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主要用于电力能源领域、航空航天领域镍基高温合金管及马氏体不锈钢管等产品的退火、正火、回火及时效处理等;也用于奥氏体不锈钢管、铁镍基耐蚀合金管及高温合金管等管棒材的固溶处理，能够实现真空高压气淬、真空回火、真空退火及消除应力等热处理工艺。
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真空超高温超高压炉主要用于粉末成型、预织成型工件的脱脂，也可用于高温加压烧结、浸渗增强、晶体转化生长、化合反应等工艺，采用电阻加热。
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真空超高温超高压炉(机械加压）主要用于在一定温度、压力下，两个和两个以上表面之间的原子级扩散连接，产品应用于能源、航天、航空等领域。
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专用脱脂烧结炉（注射成型MIM）主要用于铁基、不锈钢、钛合金、合金钢和高速钢等材料的注射成型制品的脱脂和烧结。
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真空烧结炉（氧化铝粉）主要用于氧化铝粉、特种陶瓷、高纯氧化铝块、超纯氧化铝饼在保护气氛下的连续烧成 。
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真空高温烧结炉（碳碳、碳碳-碳陶复合材料）主要用于碳/碳复合材料、碳/碳-碳/陶复合材料的高温石墨化、高温提纯处理。
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真空高温烧结炉（碳化硅、氮化硅）主要用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结，也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。
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真空钨网炉/连续生产线 主要用于电力能源燃料芯块及燃料小球、燃料大球的烧结处理。
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真空烧结炉（碳纳米管）主要用于制备大型纳米碳材料，如碳纳米管粉、碳纳米管薄膜和定向碳纳米管制备。
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设备结构紧凑、升温速度快、密封性能好、炉膛温度均匀性高，拥有高性能的烧结效果、现代化的外型设计和简单便捷的操作功能。
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主要用于在一定温度、压力下，两个和两个以上表面之间的原子级扩散连接，产品应用于核能、航天、航空等领域。
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设备用途：主要用于在硅片(或玻璃片)表面制备金属薄膜(A I 、Ag 、Ni 、Cu、Ti 、Pd等)，及有机薄膜，并能升级实现反应溅射。模块式设计，可根据实际需求和功能，组合成型。
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「设备用途」沈阳好智多新材料制备技术有限公司水冷铜坩埚感应熔炼定向凝固提纯设备，采用物理冶金提纯法，主要用于冶金级工业硅粉的提纯，用以制备太阳能级多晶硅原材料。
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「设备用途」采用物理冶金提纯法，主要用于冶金级工业硅粉的提纯，用以制备太阳能级多晶硅原材料。产品型号VEBZ-2，主真空室卧式圆筒型真空室，尺寸φ1000×2000mm，双层水冷。主真空室真空获得系统扩散泵，罗茨泵，机械泵，高真空气动挡板阀。
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沈阳好智多新材料制备技术有限公司的超声激振技术系列应用设备，主要用于金属制备过程中的多种处理。它通过真空感应熔炼金属，在金属凝固前或凝固过程中，对金属熔体施加高强度超声激振，能够实现粉末材料与母合金液的均匀化分散，还能控制金属凝固组织和性能，比如细化晶粒等。
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金属溶渗工艺是在金属的融化温度以上，将多孔制件与熔融的液体金属相接触或渗入液体金属内，利用毛细管作用，使液相金属充填到预制件的孔隙内，形成致密的两相或多相复合材料。本设备具体是将钨丝密排于石英管内，将融化后的合金液(非晶合金)浇注压力熔渗入钨丝之间的孔隙内，经保温后将石英管(内置钨丝及合金液)快速淬入镓铟锡合金液内(或者盐水)，达到快速凝固作用，制成复合材料零件。
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产品应用：利用等离子弧加热熔化放置于水冷铜坩埚内的高熔点金属或陶瓷，通过设置于水冷铜坩埚外的高频感应线圈进一步熔化搅拌合金液，在通过连续下拉机构完成铸锭;熔铸过程中可以连续加料。用于多晶硅、钛合金、活性金属以及高熔点陶瓷材料的高温提纯和净化及铸锭。
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沈阳好智多新材料制备技术有限公司的电子束冷床熔炼铸锭炉，主要用于多晶硅、钛合金等活性金属和高熔点金属的高真空熔炼提纯、净化及铸锭。该设备具备出色的真空性能，极限真空度可达6.67×10⁻⁵Pa，压升率不超过0.67Pa/H。电子枪额定功率为100KW，加速电压35KV，加速电流7A，电子枪室真空度在10⁻⁴～10⁻³Pa之间。电子束距离长度为400～800mm，功率密度大于2.5×10⁵W/cm²。
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ISM 熔炼过程是在一种由水冷片或称之为“手指型结构”组成的水冷铜质坩埚内，并在真空或者保护气氛环境下进行的生产过程。整个结构没有采用任何耐火材料炉衬从而杜绝了金属/坩埚之间的反应。这样也就消除了金属陶瓷夹杂污染的可能性，生产出超纯净、高品质的产品。普遍应用于钛、锆等材料的熔炼提纯与离心铸造。
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设备用途：设计专门用于熔融样品，适合实验室、工厂用于材料研究、开发、质量控制等。气体保护环境下熔融、合金化反应性和高熔点金属材料。适合稀土金属元素及合金的熔融。
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LOCA作为反应堆运行过程中比较严重的事故，是反应堆基准设计事故，而作为确保裂变产物不泄漏的第一道屏障，锆合金优异的性能对于保证LOCA-nAT的核安全具有重要意义，本设备用于模拟LOCA工况下锆合金的高温氧化行为，抗热冲击性能和力学性能及显微组织等方面的内容，为反应堆用锆合金的研发提供了技术支持。
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产品应用：设备是集合金熔炼、浇注、模壳双区保温、定向凝固为一体的单晶高温合金定向凝固设备。在凝固过程中获得高的温度梯度，稳定的晶体生长条件，该设备以实验研究为主，兼顾小规模工业示范研究;采用的单晶制备技术：①籽晶法 ②选晶法。
2025年03月21日 ~ 23日 
2025年03月28日 ~ 30日 
2025年03月28日 ~ 30日 
2025年03月28日 ~ 30日 
2025年04月25日 ~ 27日 
