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本发明提供了一种透明稳定高性能的全无机金属卤素钙钛矿光电探测器元件及其制备方法与应用。其制备过程包括以下步骤：在导电基底表面形成一层电子传输层薄膜；将添加了盐酸硫胺的无机钙钛矿材料铯铅碘溴(CsPbIxBry，x+y＝3)旋涂于电子传输层薄膜上；在上述制备的钙钛矿薄膜依次制备有机共轭聚合物材料和金属电极层。本发明制备过程简单、光谱响应范围广、透明度高，同时所制备的光电探测器具有自驱动性，便于小型化，便携化，具有巨大的潜在应用价值。
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本发明公开了一种钙钛矿量子点掺杂的有机紫外探测器及其制备方法。该方法采用过饱和溶液结晶制备钙钛矿量子点，掺杂到有机物聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]中，再通过溶液旋涂方法制备基于氧化锌/钙钛矿量子点掺杂的聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜的紫外探测器。本发明制备的探测器具有极低的暗电流，将量子点掺杂到有机物层，提高了有机物层的载流子迁移率，进一步提高了紫外探测器的性能；制备方法简便易行，为提高紫外探测器性能提供了一种新的途径，具有较大的应用潜力，可广泛应用于环境监测、火焰检测、导弹追踪等领域。
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本发明提出了一种基于钙钛矿量子点的阵列式紫外线探测器及其制备方法，属于属于生物医学紫外线成像技术领域。包括：阵列式闪烁体屏，具有阵列分布的若干密封孔，每个所述密封孔中填充有钙钛矿量子点液体，所述密封孔的密封端透光且所述密封孔的侧壁不透光；图像传感器，设置于所述阵列式闪烁体屏的一端，用于接收钙钛矿量子点液体在紫外线辐照下产生的可见光。通过将闪烁体层进行像素化处理，形成多个独立的探测单元，可以避免可见光相互干扰，避免降低探测器的分辨率，同时阵列式闪烁体屏的高度可调，在不增加面积的情况下能够吸收更多的紫外线。
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本发明公开了一种基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜、电极层以及封装层；其中，所述钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管。本发明的基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，利用碳纳米管的高载流子迁移率与宽谱吸收特性，将钙钛矿的吸收光谱拓宽至近红外范围，同时提升了钙钛矿薄膜结晶质量及载流子迁移率，克服了溶液法制备的多晶钙钛矿薄膜在近红外范围内吸收低与载流子迁移率低的关键应用瓶颈。本发明所述的钙钛矿‑碳纳米管体异质结结构可显著增加用于电荷分离的界面面积，使得光响应度得到了大幅度提升。
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本发明属于可见光通信技术领域，公开了一种钙钛矿光电探测器、阵列及制备方法；钙钛矿光电探测器用于可见光通信，为复合层式结构，包括透明基底，透明基底上依次沉积的透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、麦芽酚修饰层、PCBM修饰层、电子传输层、第二导电层。在钙钛矿吸光层表面修饰麦芽酚修饰层，可以通过强金属螯合作用来消除钙钛矿吸光层中的锡离子相关陷阱。修饰的PCBM修饰层能与电子传输层形成双层电子传输结构，可有效促进光生载流子的传输和提取。麦芽酚修饰层和PCBM修饰层带来的钙钛矿吸光层的结晶质量和电荷转移特性的提高，可以提高单个钙钛矿光电探测器的响应速度、工作带宽、光响应度和比探测率。
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本发明公开了一种用于矿洞勘探的移动机器人，包括摄像仪和底板，所述摄像仪一端固定连接有机体，所述机体底端安装有伸缩杆，所述伸缩杆远离机体的一端与底板固定连接，所述机体内部安装有中央控制器，所述机体顶端活动连接有LED灯座，所述LED灯座一端固定连接有LED灯，所述机体远离LED灯座的一端安装有气体传感器，所述气体传感器一侧安装有温湿度传感器，所述底板内部安装有二号电机，所述底板两侧对称安装有滑轮，靠近二号电机的两侧所述滑轮之间安装有驱动轴，所述驱动轴中端与二号电机的输出轴活动连接。该用于矿洞勘探的移动机器人，行动平稳，跨越障碍能力强，提高了工作效率。
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本发明涉及一种宽光谱自驱动钙钛矿光电探测器及其制备方法，其包括依次设置的导电基底、电子传输层、铅基钙钛矿纳米凹凸结构、有机共轭聚合物层和电极层；有机共轭聚合物层的材质包括PDPP3T和/或P3HT。其制备方法包括以下步骤：在导电基底表面形成一层氧化物层；然后将铅基钙钛矿材料的前驱体溶液旋涂于氧化物层表面，并采用压印技术形成铅基钙钛矿纳米凹凸结构；再在铅基钙钛矿纳米凹凸结构表面依次形成有机共轭聚合物层和电极层，有机共轭聚合物层的材质包括PDPP3T和/或P3HT。本发明的光电探测器制备方法简单，具有自驱动性以及合适的能带结构，有利于提高电子空穴对分离，光的吸收利用率高，有效的提高了光电探测器的性能。
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本发明公开了一种矿洞勘探安全车，包括机壳，所述机壳内设有四个移动轮，所述移动轮能够带动机壳进行移动，从而进入矿洞进行勘探，所述机壳内设有两个左右对称的移动腔，所述机壳上侧设有升降柱，所述升降柱上端面固定连接有固定顶板，所述固定顶板上端面固定连接有保护块，所述保护块内设有求救器，所述固定顶板上侧设有顶板，所述顶板能够在发生危险时转动，从而挡在勘探人员头顶所述升降柱内设有两个左右对称的存放腔，所述存放腔内存放有食物和水以及药品，能够保证勘探人员的生存需求，所述升降柱内设有两个左右对称的放置腔，所述放置腔内设有氧气面罩，所述氧气面罩能够提供氧气。
本发明公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器及制备方法，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本发明构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。
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本申请属于可见光通信技术领域，公开了一种钙钛矿光电探测器及阵列；钙钛矿光电探测器用于可见光通信，为复合层式结构，包括透明基底，透明基底上依次沉积的透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、麦芽酚修饰层、PCBM修饰层、电子传输层、第二导电层。在钙钛矿吸光层表面修饰麦芽酚修饰层，可以通过强金属螯合作用来消除钙钛矿吸光层中的锡离子相关陷阱。修饰的PCBM修饰层能与电子传输层形成双层电子传输结构，可有效促进光生载流子的传输和提取。麦芽酚修饰层和PCBM修饰层带来的钙钛矿吸光层的结晶质量和电荷转移特性的提高，可以提高单个钙钛矿光电探测器的响应速度、工作带宽、光响应度和比探测率。
本发明属于光电探测器器件制造技术领域，具体涉及一种有机‑无机杂化的无铅氯化物钙钛矿薄膜可见光盲紫外探测器及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：在表面有绝缘层的衬底上制备MASnCl3薄膜后蒸镀叉指电极，或在表面有绝缘层的衬底上蒸镀叉指电极后制备MASnCl3薄膜。本发明提供了一种金叉指电极的共平面MSM结构的MASnCl3薄膜可见光盲紫外探测器，其制备方法可生长得到致密的且结晶度良好的MASnCl3薄膜，制备的紫外探测器响应度高，为制备高灵敏度的钙钛矿可见光盲紫外探测器提供新的思路。
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本发明公开了一种基于钙钛矿纳米线径向结的光电探测器及制备方法，包括探测器衬底、底电极、钙钛矿核心纳米线、钙钛矿第一外延壳层、钙钛矿第二外延壳层、顶电极。所述钙钛矿核心纳米线为p型纳米线或者n型纳米线，所述钙钛矿第一外延壳层为本征层，第二外延壳层为n型层或者p型层；钙钛矿核心纳米线、第一外延壳层和第二外延壳层构成径向pin结或者nip结；所述底电极与顶电极层分别于钙钛矿核心纳米线和第二外延壳层构成欧姆接触。本发明由纳米线阵列及其径向结增大了光电效应的有效作用面积，提高光电转换量子效率；纳米线径向具有准单晶结构，提高光生载流子输运能力，进而增大探测外量子效率。
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本发明公开了一种基于钙钛矿单晶薄膜的超快光电探测器，属于光电探测器技术领域。本发明的基于钙钛矿单晶薄膜的超快光电探测器包括依次层叠设置的衬底层、背电极层、第一载流子传输层、界面修饰层、光吸收层、第二载流子传输层、顶电极层和封装层；其中，所述的光吸收层为单晶钙钛矿薄膜。本发明的单晶钙钛矿超快光电探测器具有超快的响应速度、极高的光电转换效率及较强的稳定性，制备方法简单，成本低，而且重复性好，可以实现小面积器件阵列，充分利用了钙钛矿单晶薄膜自身的性能优势，在光电通信等领域中具有十分潜在的应用价值。
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本发明提出基于钙钛矿p‑i‑n结的γ射线探测结构及校正方法，利用逆温溶液结晶法生长超厚本征钙钛矿晶体，作为γ射线光子吸收体，采用外延掺杂生长方法在本征钙钛矿晶体一侧生长p型钙钛矿外延层，在另外一侧生长n型钙钛矿外延层，利用钙钛矿p‑i‑n结抑制暗态电流和噪声，同时采用大尺寸的钙钛矿晶体更多地吸收和转换γ光子，为了克服γ光子入射深度不同引起的探测能量分辨率降低的问题，提出同时测量阴极端和阳极端的探测信号，根据这两个信号的比值标定γ光子的纵向互作用深，再将同样深度下的探测事件分别归类统计，利用已知特征峰确定校正参数，最后通过深度位置校正算法获得高探测效率、高能量分辨率的γ射线探测能谱。
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本发明提供一种基于钙钛矿雪崩管的高灵敏度探测结构及制备方法，涉及高灵敏度X射线/γ射线探测领域，本发明包括以下部分：采用厚度大于1厘米的本征钙钛矿晶体作为X射线/γ射线光子吸收体，利用钙钛矿晶体的高吸收系数，获得较高的X射线/γ射线光子吸收转换效率，利用本征钙钛矿晶体的高电阻率，减小探测器暗电流，在本征晶体上顺序生长空间电荷层、宽带隙钙钛矿倍增层和窄带隙钙钛矿倍增层，对光生电子空穴对雪崩倍增，获得高增益探测信号，与常规采用闪烁体的间接雪崩探测器件相比较，它避免了将X射线/γ射线光子转换为可见光子的过程，因此可以具有更高的探测量子效率。
本发明公开了一种高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，制备所述金属卤素钙钛矿薄膜的钙钛矿前驱体溶液中加入了乙胺碘添加剂。本发明还提供了由所述金属卤素钙钛矿薄膜制备的金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法。通过往钙钛矿前驱体中加入乙胺碘，成功的调控了钙钛矿薄膜的结晶过程，并且得到了具有高结晶取向性的优质薄膜。以此薄膜为基础，制得了具有优良光电性能得自驱动光电探测器。
本发明提供一种基于钙钛矿n‑i‑n结的窄带光探测器结构及制备方法，涉及光电探测领域，本发明包括本征钙钛矿晶体作为γ光子吸收层，以及在其两侧生长的n型外延层。所述本征钙钛矿晶体为探测光谱段光子的吸收层，吸收层的能量带隙Eg2=hc/λmax，h是普朗克常数，其中c是光传播速度，λmax是设计探测光谱的峰值响应波长；利用钙钛矿n‑i‑n异质结的不同能量带隙，使得设计探测光谱内的入射光子具有较高的吸收系数，从而提高了窄带探测的量子效率，利用n‑i‑n结的耗尽层调控探测器的电场分布，将n‑i‑n结能带结构和电场分布相结合，调控光生载流子的输运和复合，获得较小的探测谱线宽度，以及较高的光谱抑制比。
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本发明涉及一种地质矿产勘查PDC取芯钻及其装配设备和方法，属于钻探设备技术领域，取芯钻包括刀翼部分和钻杆，刀翼部分包括头部和保径部；头部均匀设有若干U型凹槽，头部上均匀设有若干排齿；取芯钻的钻杆上设有锥形部，锥形部的外径由远离刀翼部分的一端向靠近刀翼部分的一端逐渐缩小，锥形部内活动嵌有一排沿钻杆轴向设置的滚珠，滚珠直径由远离刀翼部分的一端向靠近刀翼部分的一端逐渐缩小，锥形部外套有环套。本发明借助环套对滚珠的单向抑制作用，将滚珠逆向转动锁死，进而控制矿芯下滑，实现对矿芯的单向抑制；在取矿芯时，矿芯带动滚珠滚动，滚珠的球状结构不会对矿芯产生套紧形式的抑制和阻碍，不会影响采取矿芯过程。
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为了克服利用过滤网对废气进行过滤，极易使得粉尘、油烟附着在过滤网上，导致废气的净化效果差的缺点，本发明提供一种生物质气化炉用废气净化装置。
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活性氧化铝球可以作为废气净化处理过程中使用的催化剂，可以采用填充有活性氧化铝球的废气净化催化剂模块提高废气净化的效率和效果，在将活性氧化铝球填充在废气净化催化剂模块内时由于活性氧化铝球尺寸大小不一，使得在催化剂模块内活性氧化铝球之间存在大量的空隙，导致每个催化剂模块内的活性氧化铝球含量不一定，导致催化剂模块的性能和使用寿命降低，在灌装的过程中对于催化剂模块进行震动可以降低催化剂模块内活性氧化铝球之间的空隙，可以在催化剂模块内填充更多的活性氧化铝球，以确保催化剂模块的性能和使用寿命。
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本申请的目的在于提供正极材料及其制备方法和钠离子电池，通过该制备方法能够制备得到低成本、振实密度高的层状结构钠离子电池正极材料。
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目前，锂离子电池已得到广泛的应用，锂离子电池的正极材料有三元、磷酸铁锂、锰酸锂、钴酸锂等，锂离子电池的负极材料通常为石墨。钠离子电池目前已具备商业可行性，其电芯生产工艺与锂电池工艺设备高度相似，部分材料如隔膜、铝箔一致，主要是正极材料变为钠离子电池正极材料，负极材料变为硬碳，负极集流体由铜箔变为铝箔，电解液变为六氟磷酸钠。但现有的锂离子电池或者钠离子电池往往具有明显磁性以及存在析出枝晶的问题。这将为电池性能带来负面影响。
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本发明涉及钠离子电池技术领域，具体涉及一种钠离子电池正极材料及其制备方法以及钠离子电池。
本发明属于锂电池及其配件相关领域，尤其涉及一种容置锂电池电芯的环氧金属复合壳体、包括该复合壳体的锂电池及生产方法。
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本发明的目的在于提供一种氢同位素废水处理及资源化利用的装置及方法和应用，利用化学交换和精馏耦合处理氢同位素废水并分离纯化氢同位素。
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本发明涉及污水处理附属装置的技术领域，特别是涉及一种用于污水处理过程中的搅拌器装置。
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动力电池回收是指将回收到的废旧动力电池通过拆解提炼稀有金属的方式进行再次利用，是将废旧的动力电池进行资源化处理。动力电池回收是新能源汽车持续发展的重要一环，而目前的回收工艺方法尚不成熟，回收利用率不高，废动力锂电池的回收利用问题会成为一个关键的问题。本发明涉及锂电池回收技术领域，尤其涉及一种废旧电池拆解分选系统及其分选方法。
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本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种正极材料及其制备方法、正极极片和O3型层状钠离子电池。
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目前，锂离子电池（LIB）广泛应用于便携式设备、电子产品中，然而，仍然在电动汽车和可再生能源储存电网的应用中存在一些问题，包括能量密度、材料成本和使用安全等。因此，发展具有高能量密度和长循环寿命性能的锂离子电池是目前主流研发方向。本发明要解决的技术问题是提供一种负极材料，在硅颗粒掺杂包覆硅镁合金之后，再使硅或硅氧颗粒与调节剂混合加热生成碳化包覆层，能够抑制硅晶体的体积膨胀，减少含锂物质暴露在负极材料的表层，进而减少负极材料与水之间反应产生的气体，使材料具备较好的电化学性能。
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2025年06月06日 ~ 08日 
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