一种粉末冶金支座的制造方法,步骤:将铁、铬、钼、锰、镍、碳及铜按质量百分比混合成混合粉;将上述混合粉在压机上压制成密度为6.2~7.2g/cm3的支座生坯;在温度1000℃~1350℃中进行烧结,烧结的时间为5~180分钟,在非氧化性气氛中进行退火;通过挤压成型机或精整压机改装的压机上进行挤压,挤压变形量在直径方向上大于等于2%;根据尺寸要求选择性加工,蒸汽处理。本发明的优点在于:制作工艺简单,精度高、表面光洁度好,有效消除了锻造过程中由于在高温下进行而使模具易产生龟裂的难题,从而降低了生产成本,提高了生产效率。与传统粉末冶金工艺相比,产品的密度更高,基本实现表面致密化。
本发明属于稀土永磁领域,特别涉及一种高性能低成本稀土永磁材料及其制备方法。一种高性能低成本稀土永磁材料,该材料主要由主相和晶界相合金按1∶0.005-0.2的重量比混合烧结而成,所述的主相是由R1-Fe-M-B合金、R2-Fe-M-B合金、R3-Fe-M-B合金、R4-Fe-M-B合金、R5-Fe-M-B合金中的任意两种或两种以上组成的混合物,其中R1是镨、R2是钕、R3是镧、R4是铈、R5是钇,M选自Co、Nb、V、Mo、W、Cr、Al、Ti、Zr、Cu、Ga中的一种或几种;所述的晶界相合金为一种富稀土合金。
本发明公开了一种无压烧结碳化硼陶瓷防弹片的批量生产方法,包括以下步骤:(1)将各种原料按照配方比例放入混料制浆设备,各种原料由固态A料和液态B料组成,所述固态A料包括以下重量百分比的各组分:碳化硼粉75~97wt%,烧结助剂0~15.0wt%,碳源1.0~12.0wt%,粘接剂0.5-6.0wt%,分散剂0.5-6.0wt%,以上各组分重量之和为100%;所述B料为去离子水,所述A料和B料混合球磨或高速搅拌制成浆料,所述浆料的固含量为30~70wt%;所述烧结助剂采用纳米级到微米级ZrC、TiC、SiC、AlN、TiB2中的一种或一种以上;该方法具有单炉产能高、自动化程度高、产品无需磨加工、成本低、适宜批量生产等特点,实现了低成本化批量稳定生产。
本发明提供了一种面心结构复合陶瓷,包括荧光材料和氧化铝材料,所述荧光材料由第一底面、第二底面和侧面组成,所述氧化铝材料复合于所述荧光材料的第一底面的表面和侧面的表面。本申请还提供了面心结构复合陶瓷的制备方法和应用。本申请提供的面心结构复合陶瓷避免了传统弥散结构中激光光斑辐照范围内因不发光的氧化铝占据大部分面积造成的发光效率下降问题,同时利用高热导率的氧化铝陶瓷为荧光陶瓷进行散热,有利于提升复合陶瓷的发光性能。
本发明属于电子元器件技术领域,具体涉及一种超低功耗、高直流偏置磁芯,包括非磁性绝缘基体和分散于非磁性绝缘基体中的磁性纳米颗粒。本发明的超低功耗、高直流偏置磁芯,由磁性纳米颗粒分散在非磁性绝缘基体中形成;非磁性绝缘基体能有效阻止电子传导,显著降低涡流损耗;同时超顺磁性纳米粒颗具有线性磁化曲线,具有优异的抗直流偏置特性。
本申请涉及钕铁硼磁材生产领域,具体公开了一种防腐蚀的烧结钕铁硼磁材及其制备工艺,一种防腐蚀的烧结钕铁硼磁材包括磁体,磁体包括以下质量份数的成分:Nd:28~33份、Zr:0.1份~0.3份、Cu:0.1份~0.2份、Co:0.5份~1.3份、B:0.3~0.5份、Ce:0.5~0.7份、Al:0.2~0.8份、Gd:0.2份~0.4份、Fe:55~57份、硅酸钠:10.2~12.1份,所述硅酸钠填充于烧结钕铁硼的孔隙中,增加烧结钕铁硼磁材的耐腐蚀性,同时还公开了其制备方法,以获得本申请的防腐蚀的烧结钕铁硼磁材。
本发明涉及一种太阳光全波段光催化复合材料及其制备方法,该材料为纳米TiO2/VS4复合材料。本发明方法为一步水热合成直接得到产物的制备方法,具有操作简单、环境友好、耗能低等优点;本发明的复合材料是VS4包覆TiO2核壳结构的光催化剂,可以抑制光生电子‑空穴的快速复合,提高光催化效率;同时综合TiO2具有优异的紫外光催化效果和VS4具有优异的可见与近红外光催化效果,使复合材料最大限度的利用从紫外光到近红外光的太阳光全波段进行光催化,对于促进自然太阳光光催化技术应用,缓解能源危机以及加强环境治理具有重要的意义。
本发明涉及一种医用可降解吸收Mg-Sr-Ca系镁合金植入体及其制备方法。该医用植入体是有Mg-Sr-Ca系合金制成;按重量百分比计,Mg-Sr-Ca系合金中锶含量为0-5%,但不包括0,钙含量为0-2%,但不包括0,可能含有少量的微量元素锰、锆、锡、稀土和钇中的一种或几种,按重量百分比计总含量不超过2%,余量为镁。体内和体外试验证明,本发明Mg-Sr-Ca系合金植入体无毒,具备良好的组织相容性,是一种可靠的生物医用植入材料。
一种钕铁硼磁体的制作方法,其步骤依次为配料、熔铸、制粉、成型和烧结,其特征在于配料中用GDFE合金替代或部分替换DY,其中GDFE合金为钆铁合金,DY为金属镝。本发明的优点在于采用加入GDFE(钆铁)合金的方式取代现有直接加入金属GD的方法,其优点在于:首先是由于GDFE合金其熔点低于直接加入GD的熔点,这样可降低真空感应熔炼时的温度,从而降低能量消耗,节约了生产成本;再次是,由于GDFE合金是通过电解技术制备的,这个过程是个精密合金的过程,其原材料纯度要高于GD,因此在真空感应熔炼时冶炼造渣很少,既给生产工艺简单化,也为生产高质量的钕铁硼磁体创造了有利的条件。
一种压缩机连杆的制备方法,步骤:将铁粉、0~1%石墨、0~3%铜粉、0.2~1%润滑剂、0~0.5%粘接剂或/和生坯增强剂混合均匀;成形,成形密度大于6.5g/cm3;在加工设备上进行生坯加工;在烧结炉中进行烧结;根据成品的最终要求进行模压精整;精加工内孔;在磷化液中进行磷化。与现有技术相比,本发明的优点在于:有效解决了压缩机连杆制造过程中长孔加工效率低的问题,可实现钻孔后大小头内孔无毛刺,并可通过精整满足尺寸要求,提升生产效率。此外,减少了加工液渗入连杆孔隙的风险,避免连杆与轴卡死的情况出现;还大大降低了降低加工成本。
本发明涉及具有周期性孔道结构的氧化锆陶瓷种植体及制备方法。该氧化锆陶瓷种植体包括上半部和下半部,上半部的原料包括氧化锆、氧化铝、三氧化二钇、二氧化硅、二氧化钛、聚乙基丙烯酰、三羟甲基丙烷三丙烯酸、二羟甲基丙酸、环氧树脂;下半部分的原料包括氧化锆、氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、羟基磷灰石、硅酸钠、聚乙基丙烯酰、三羟甲基丙烷三丙烯酸、二羟甲基丙酸、环氧树脂。制备方法包括陶瓷基体粉体的混合、助剂预混、上半部原料配制、下半部原料配制、种植体下半部打印、种植体上半部打印和陶瓷种植体烧结。该氧化锆陶瓷种植体为上半部分实心、下半部分中空伴有周期性网孔结构,与骨结合强度高,咬合端强度高,抗剪切能力高。
本发明公开了一种铜基石墨烯复合材料及其制备方法,该复合材料的质量百分组成为:石墨烯:0.01~0.5wt%,余量为铜和不可避免的杂质。该复合材料中石墨烯呈片状分散在铜基体中,每片石墨烯的层数为1~5,石墨烯的拉曼光谱特征峰中包括D峰和G峰,ID/IG的比值为0.01~0.2。本发明制备方法采用二维片状铜片诱导石墨烯有序分布,并结合高温还原和碳掺杂修复的手段,控制铜基体中石墨烯的分布和修复石墨烯晶体结构,获得了导电率≥102%IACS,屈服强度≥250MPa,抗拉强度≥300MPa以及延伸率:20~30%,满足技术领域对高导电、高强度的性能要求。
本申请公开了一种用于制造柔轮的高熵合金及柔轮的加工方法,属于谐波减速器的制造技术领域。所述高熵合金为具有FCC型单相固溶体结构的FeCoCrNiMo0.2C0.1高熵合金。所述柔轮的加工方法为:熔炼FeCoCrNiMo0.2C0.1高熵合金、制备高熵合金粉末、压制成形、烧结、热锻、高温退火、深冷处理、机加工成形和喷丸强化。本申请制备的柔轮平均晶粒尺寸为3~4μm,抗拉强度超过1200MPa,屈服强度超过900MPa,伸长率超过30%,强塑积超过36000MPa%,具有更高的力学性能和传动性能,从而提高谐波减速器使用寿命。
本发明公开了一种低磁偏角圆片磁钢的制备方法,其特征在于:采用压制方向与磁场取向方向平行的成型压机压制,毛坯料规格取向方向按一出一设计,一次近终成型。本发明的制备方法由于坯料磁化取向方向短,磁场均匀性高,可以降低成型磁场和加工工艺对磁钢磁偏角的影响,磁偏角合格率高;同时由于粉料填充高度小,粉料填充均匀性好,生坯压制应力小,可以省却等静压二次压制过程直接进炉烧结;烧结后毛坯料变形小,外径尺寸控制精度高,无须套孔、外圆磨和切片工序,加工损耗少,加工效率高,材料利用率可达到90%,2°磁偏角合格率达到99.99%以上,可实现磁偏角免检,对缩短产品生产周期,降低综合生产成本有重要作用。
本发明提供一种碳化硼‑铝合金复合板的制备方法,先制备出大厚度碳化硼陶瓷板,之后将陶瓷板与铝合金直接浇注,使铝合金在三维空间上对碳化硼陶瓷进行约束和固结,形成铝包裹碳化硼的一体结构材料。陶瓷板上均匀分布的止裂孔也有利于浇筑过程中液态铝的流动和贯通,使铝合金与碳化硼陶瓷的结合更加牢固。
本发明公开了一种碳纤维增强的铜基复合材料的制备方法,包括如下的步骤:步骤一、称取配料进行球磨混合,混合时间为3小时;得到混合料;所述碳纤维表面包覆有镍层;所述石墨粉粒径为50um,并且所述的石墨粉经过化学镀技术处理表面镀有铜层;步骤二、将所述步骤一制备的混合料在700Mpa的压力下压制;得到毛坯;步骤三、将所述步骤二制备的毛坯进行二期烧结,得到烧结后的合金块;步骤四、将所述步骤三处理后的合金块进行热处理;得到本发明所述的碳纤维增强的铜基复合材料。本发明制备的铜基复合材料不仅具有优良的自润滑性能,而且耐磨性能和力学性能特别优秀。
本发明提供了一种宽禁带半导体器件及其制作方法,属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座,并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本发明还提供了一种制作本宽禁带半导体器件的方法。本发明的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成,能够达到快速散热的目的;同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同,因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料,极大的简化了宽禁带半导体器件结构,减小了热膨胀的影响,提高了稳定性。
本发明公开了一种超高矫顽力烧结钕铁硼磁体及其制备方法,它包括主相和晶界添加相,所述的主相包括低HA主合金和高HA主合金。本发明采用高磁晶各向异性场HA和低HA两种主合金作为主相在烧结及热处理过程中使重稀土元素从高HA相向低HA相扩散实现矫顽力的初步提高;同时可控制合金成分及制备工艺,提高磁体中Nd2Fe14B相的含量,保证磁体具有高的磁能积。而晶界添加相能够进一步实现晶粒表面磁硬化提高矫顽力,并优化显微结构,进一步提高矫顽力。本方法兼具传统双合金法及单合金晶界添加法的优点,提供一种操作简单,适用于大批量生产超高矫顽力高剩磁烧结钕铁硼磁体的方法。
本发明涉及一种温度稳定性良好的钕铁硼磁性材料,其由主相合金与辅相合金混合配置而成;所述主相合金由下列原料按重量百分比配置而成:铁64.5~68.5%、硼1.0~1.2%、钕30.2~34.3%、钆0.05~0.4%、铝0.1~0.4%;辅相合金由下列原料按重量百分比配备而成:铁50.8~54.2%、硼0.8~1.2%、钕18.9~21.1%、锆12.8~16.3%、钐8.9~11.1%、铜0.8~1.2%;采用上述技术方案制成的钕铁硼磁性材料,其可具有较好的温度稳定性。
一种金属螺杆及其制作方法,所述螺杆以含铬钼的合金钢棒作为螺杆芯棒(1),在螺杆芯棒(1)的外周通过烧结法包覆有一层多元硼化物基金属陶瓷层(2):所述多元硼化物基金属陶瓷层(2)为Mo2FeB2-Fe基金属陶瓷层或Mo2NiB2-Ni基金属陶瓷层或WCoB-Co基金属陶瓷层。其制作方法为:将螺杆芯棒放入包套中,并在螺杆芯棒和包套的间隙内部填充配比好的原料粉末;将包套整体放入密封容器中并抽真空;在密封容器烧结,再对多元硼化物基金属陶瓷层经精加工制得金属螺杆。本发明中多元硼化物基超硬双金属螺杆或金属螺杆具有综合成本较低、制作工艺简单、使用寿命长和适于产业化等优点,可替代目前广泛使用的经过渗氮、喷焊、浇铸等处理的螺杆。
本发明公开了一种加工边角料再生稀土永磁的制备方法,将预处理好的加工边角料,和一定比例的钕铁硼新料合金铸片,加入氢碎炉中进行混合除潮预加热,预加热会加速初始吸氢反应速率,混入的新料合金铸片会优先吸氢,其吸氢反应过程放热,会加速加工边角料吸氢反应,完成氢碎后低温快速脱氢,使得混合粗粉氢含量达到1000‑10000ppm,这利于气流磨磨粉效率的提升,以及获得更优异的粒度分布。气流磨后的细粉中,残留有较高的氢含量,会在后续的烧结过程中,会形成一个氢还原气氛,夺走加工边角料中带入的高氧,使得不需要过量添加稀土元素,来稀释加工边角料带入的高氧,可使得再生磁体可以获得更高的磁性能。
一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的制造方法,在不改变烧结钕铁硼磁体原有组成配比基础上,通过改变磁体浇铸的速凝工艺的参数,进行二次气流磨,使磁体颗粒平均粒度≤2.5um,采用低温烧结控制在1020-1035℃烧结3.5-5.0小时后,在450-600℃进行4-6小时的时效处理,速凝浇铸和二次气流磨技术后磁体粉末粒度下降,表面活性增加,容易烧结致密,结合低温烧结既能保证磁体致密性,又能防止晶粒快速长大,提高磁体磁性能,矫顽力平均提高2-3kOe,使磁体性能价格比显著提高。
本发明属于陶瓷技术领域,具体涉及一种3D打印高强度ZTA陶瓷基片材料与制备工艺。该3D打印高强度ZTA陶瓷基片材料包括以下重量份数计算的组分:ZTA粉体100份、氧化锆粉体4‑35份、光固化树脂40‑60份、光引发剂0.05‑1.0份、分散剂10—20份、烧结助剂0.5‑5.0份、支撑材料0.1‑3份;所述ZTA粉体粒径为100nm‑5000nm,所述氧化锆粉体粒径为100nm‑1000nm;相应的制备工艺,包括陶瓷基体粉体混合、树脂混合液制备、ZTA陶瓷浆料预混、ZTA陶瓷浆料配置、ZTA陶瓷浆料打印和ZTA陶瓷坯体烧结。该组分的配置的陶瓷材料结构均匀,强度高;操作简单,打印后ZTA陶瓷致密性高,不易开裂。
本发明公开了一种超低剩磁温度系数稀土永磁材料及其制备方法,所述稀土永磁材料的组份为LR,HR,Co,M,B和Fe;各组份重量百分比为:LR和HR总重量为:29~33%,Co:10~22%,M:0.75~2.5%,B:0.85~1.05%,余量为Fe;其中,LR选自Pr和Nd中的一种或两种,HR选自Dy,Tb和Ho中的任意两种,M选自Al,Cu,Ga,Zr,Nb,Ti,Si,Ge,Sn和Gd中的任意一种或几种。本发明制得超低剩磁温度系数的烧结钕铁硼永磁材料,降低剩磁温度系数至‑0.06%/℃左右,同时又保持高的内禀矫顽力,尤其是在温度稳定性方面有独特的优势,可以拓展烧结钕铁硼材料的应用领域。
本发明涉及电池领域,特别涉及一种复合材料制备方法、电池正极、电池及其制备方法。所述复合材料制备方法、电池正极、电池及其制备方法,包括以下步骤:将富锂材料与镍钴锰酸锂材料混合得到混合物,其中,所述富锂材料质量占比50%‑80%,所述镍钴锰酸锂材料质量占比20%‑50%;向所述混合物中加入硝酸,加热并保温;加入柠檬酸,静置;干燥;分段烧结,得到所述富锂‑镍钴锰酸锂复合材料。本发明采用富锂材料与镍钴锰酸锂材料复合的技术,使用两种材料复合后,结合了两种材料的优点,制造的动力电池比能量高,循环寿命好;本发明所采用的复合材料制备方法制备环境无须十分苛刻,生产制造更简单。
本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备工艺,涉及金属材料加工技术领域,解决了因钕铁硼磁体的各粉末颗粒原料容易产生团聚,而导致其整体磁性能不佳的问题。一种钕铁硼磁体,其包括如下重量份数的组分:PrNd 15‑30份;铁60‑80份;硼0.8‑1.5份;钛0.04‑0.12份;锆0.03‑0.09份;铌0.1‑0.3份;镓0.1‑0.3份;钴0.8‑1.6份;铜0.2‑0.5份;铝0.5‑1.5份;低分子石蜡0.03‑0.07份;润滑剂0.2‑0.4份;抗氧化剂0.05‑0.15份。本发明中的钕铁硼磁体具有良好的磁性能,其各组分原料在混合制备过程中不易产生团聚,并整体具有良好的品质和应用效果。
本发明涉及一种气流磨分选轮及用该气流磨分选轮制粉的烧结钕铁硼磁体的方法,属于稀土磁材料技术领域。所述分选轮包括转轴、叶片以及分选轮外壳,分选轮外壳的直径为140-200mm,两个分选轮外壳轴向的长度为60-100mm,所述叶片为120-160片,叶片的厚度为5-20mm,叶片的形状为直片式,均匀地连接到转轴上。并公开了用该气流磨分选轮制粉的烧结钕铁硼磁体的方法。本发明通过增大气流磨分选轮的直径,并减小气流磨分选轮轴向的长度,不但改善了粒度分布,又保持了较快的出料速度,提高了制粉效率。且通过该气流磨分选轮制粉烧结钕铁硼磁体,不仅提高了制粉效率,提高了烧结方法的效率,还提高了磁体的磁性能。
本发明一种高耐腐蚀性电机用烧结钕铁硼磁体的制备方法,由以下工艺步骤制备:制备含金属元素的钕铁硼铸片,将该钕铁硼铸片进行饱和氢碎,待氢碎脱氢冷却至35℃并保持10‑30分钟后,补入50‑200ppm的氧气,氧含量稳定后,把粗粉取出,并在粗粉混合过程中加入润滑剂,粗粉混合后进行气流磨,气流时导入10‑200ppm的氧,然后混匀细粉,并加防氧化剂,并在1.8T的磁场下进行取向成型及等静压,最后烧结时效得到产品。本发明通过微量元素的混合添加,以及氢碎及气流磨两道工序给氧的特殊工艺控制,提升烧结钕铁硼材料主相的耐蚀性及富钕相的稳定性和耐蚀性,特别是晶界稳定性,从而实现烧结钕铁硼材料的基体的高耐腐蚀性。
本发明涉及锯条的制造方法,公开了一种多金属锯条的制造方法,它是由多种金属齿材焊接到同一个锯带上经磨削而成,包括以下步骤,a.对齿材进行热处理或高温烧结处理;b.对锯带进行热处理;c.将步骤一中处理后的齿材焊接到锯带;d.将锯带上的齿材进行磨削成锯齿状。本发明采用分别由M51材料和硬质合金材料制成的锯齿交叉焊接在锯带上,其精度更高、更锋利、耐磨性更好,使用寿命长,且不易连续崩齿,硬质合金齿材用量少,齿材损耗少节约资源;锯带的材料为D6A材料或X32材料,其抗疲劳性能好,且X32材料刚性好不容易扭曲。
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