本发明涉及一种化纤行业聚合物的反应系统,尤其涉及一种废塑料调质调粘系统。一种废塑料调质调粘系统,包括真空分离塔(1);所述真空分离塔(1)上方设有原料入口(3)和真空口(2);所述真空分离塔(1)下方设有出料口(6);所述真空分离塔(1)外表设有热媒盘管(4);所述真空分离塔(1)内部垂直方向上间隔设置有多孔板(5);所述出料口(6)还连接一个二级调质调粘装置。由于加设了一个二级调质调粘装置,该装置内设有螺杆,不仅可以推动原料,而且能够搅拌原料提高粘度;单加一个真空泵,进一步提高真空度,为原料粘度提高提供了反应环境,以上这些的因素结合促成了高粘度PET塑料原料生产效率的明显提高。
本发明公开的Yb敏化的氧化钇基激光陶瓷,其晶粒具有核壳结构,核层为(Y,Yb,M)2O3相、壳层为(Y,N)2O3相,其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下:首先将钇的化合物、镱的化合物和M的化合物混合,煅烧得(Y,Yb,M)2O3粉体,再将钇的化合物与N的化合物混合,煅烧得(Y,N)2O3粉体,然后将上述两种粉体混合;或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y,Yb,M)2O3粉体混合、煅烧;将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结,冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y,N)2O3薄层对(Y,Yb,M)2O3相进行包覆,可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变,从而获得优良的激光性能。
本发明公开了一种高饱和磁通密度、低损耗锰锌铁氧体材料及其制备方法。锰锌铁氧体材料:Fe2O3:52~54mol%;MnO:33~40mol%;ZnO:8~13mol%;辅助成分CaCO3:100~600ppm;SiO2:50~300ppm;其余为金属氧化物辅助成分。方法的步骤为:1)原材料混合;2)预烧;3)辅助成分添加;4)二次球磨;5)成型;6)烧结。本发明制备的锰锌铁氧体材料中添加的辅助成分均为普通的氧化物颗粒,无需纳米级别,不存在团聚问题,因此添加简易、成本较低。本发明提供的锰锌铁氧体材料的制备方法简易,预烧和烧结温度较低,对烧结设备的要求较低,能够在普通的真空烧结炉内实现,因此易于实现产业化。
本发明公开了一种大尺寸光纤预制棒的制造方法,先采用小芯包比的芯棒为靶棒进行沉积,然后放入石英炉内进行干燥以增加多孔光纤预制棒的密度,干燥过程中通入少量的氯气和惰性气体,氯气的流速为0.3‑0.8L/min,惰性气体流速为5‑10L/min,最后将其放入真空烧结炉内进行烧结致密化,形成最终的大尺寸光纤预制棒。本发明能减少真空烧结炉的负载,可制造出无气泡、大尺寸、低羟基的光纤预制棒,总体制造成本低,适合规模化生产。
本发明公开的Nd敏化的氧化钇基激光陶瓷,其晶粒具有核壳结构,核层为(Y,Nd,M)2O3相、壳层为(Y,N)2O3相,其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下:首先将钇的化合物、钕的化合物与M的化合物混合,煅烧得(Y,Nd,M)2O3粉体,再将钇的化合物与N的化合物混合,煅烧得(Y,N)2O3粉体,然后将上述两种粉体混合;或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y,Nd,M)2O3粉体混合、煅烧;将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结,冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y,N)2O3薄层对(Y,Nd,M)2O3相进行包覆,可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变,从而获得优良的激光性能。
本发明涉及一种稀土-铁-硼烧结磁性材料无压制备方法,该方法包括以下步骤:通过采用普通铸锭的方法制备10~20MM厚的合金铸锭,经过粗破碎和气流磨制粉后,将粒度为1~5微米的磁粉直接装入不同形状、不同规格的模具内,经过磁场取向后连同模具一起装入真空烧结炉内进行烧结,而后经回火处理即可获得烧结稀土-铁-硼永磁材料。采用该方法制备的烧结稀土-FE-B烧结磁性材料具有加工量少、材料利用率高、降低产品成本等优点。
本发明公开的Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷,其晶粒具有核壳结构,核层为(Y, Tm, M)2O3相、壳层为(Y, N)2O3相,其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下:首先将钇的化合物、铥的化合物与M的化合物混合,煅烧得(Y, Tm, M)2O3粉体,再将钇的化合物与N的化合物混合,煅烧得(Y, N)2O3粉体,然后将上述两种粉体混合;或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y, Tm, M)2O3粉体混合、煅烧;将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结,冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y, N)2O3薄层对(Y, Tm, M)2O3相进行包覆,可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变,从而获得优良的激光性能。
本实用新型属于钕铁硼磁钢生产装置技术领域,尤其涉及一种用于细晶粒钕铁硼磁钢制备的成型烧结装置。本实用新型,包括依次连接的钕铁硼制粉装置、压型装置和真空烧结炉,钕铁硼制粉装置内设有粉碎过程中可与颗粒相接触的粉碎辅助机构,压型装置内部具有相连通的混合空腔和压型空腔,压型装置顶部设有与混合空腔相连通的主料进料口和烧结助剂进料口,对在压型空腔内压制成型的钕铁硼进行烧结的真空烧结炉一侧还连接有保存室。本实用新型在钕铁硼制粉装置内设有粉碎辅助机构,实现了粉末的充分粉碎,这保证了细小晶粒获得的前提,此外,降低了烧结是所需的温度,延长了保存时间,两者相结合保证了钕铁硼磁钢获得细小晶粒,获得较为理想的矫顽力。
一种铸锭改铸片添加重稀土氧化物制备低成本钕铁硼的方法,将镨钕、硼、铝、铜、铌、钴和铁按配料比例装入真空感应炉中经充氩气,精炼浇注成铸片,将铸片放入氢碎炉中氢破,再按粉重量比添加1.04~5.05wt%重稀土氧化物,将两种粉料在混料机中搅拌后,经气流磨机制粉,将粉料放入成型压机的模具内,加磁场取向压制成型,再将坯料放入等静压机中加压,保压后制成生坯,将生坯放入真空烧结炉内烧结,在1000-1100℃下再烧结即制成钕铁硼磁体。将铸锭改为铸片,能有效提高磁体的矫顽力。在制粉阶段进行添加重稀土元素将更好地分布在晶界内及晶粒边缘,提高矫顽力的能力远远高于在熔炼阶段直接添加重稀土元素,达到利用价格较低的重稀土氧化物替代价格昂贵的重稀土原材料可下降配方成本。
本发明公开了一种纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米铜添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高,耐腐蚀性好,此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力、高耐腐蚀性的烧结钕铁硼。
本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料,在碳质材料粉体的表面生成原硅酸,高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中,并用盖子将坩埚盖好后放入高温真空烧结炉中,抽真空并充入氩气保护气,然后加热到1200~1700℃,保持高温一段时间后关掉电源。冷却后取出石墨坩锅,得到棉花状淡绿色产物。将产物采用X射线衍射分析产物的相组成,场发射扫描电镜观察其形貌,用透射电镜分析其微结构。本发明制备的超长SiC纳米线为单晶β-SiC相,纳米线直径为50-200纳米,长度为1-10毫米。
本实用新型公开一种用于钕铁硼圆柱烧结炉的真空度监测机构,其特征在于:包括真空烧结炉(1)和真空检测仪(2),所述真空烧结炉(1)的上端连接有出气管(3),所述真空检测仪(2)设于出气管(3)上。本实用新型提供一种可以及时并且准确地反馈烧结炉的真空状态的一种用于钕铁硼圆柱烧结炉的真空度监测机构。
本发明公开了一种提高烧结钕铁硼磁性能的方法,包括如下步骤:1)采用速凝薄片工艺制备钕铁硼基速凝薄片,之后用氢爆法将合金薄片破碎并通过气流磨粉碎制备3‑5微米钕铁硼基原料粉末;2)将步骤1)所得粉末在磁场中进行取向成型,得到压坯;3)将压坯用模具装好进行一次等静压;4)将一次等静压好的压坯放入真空烧结炉中进行低温烧结;5)将步骤4)中低温烧结过的产物进行表面抛光处理后,再放入含重稀土Dy或Tb的溶液组成的液体介质中进行二次等静压;6)将二次等静压后的产物放入真空烧结炉中进行高温烧结;7)将高温烧结所得的产物进行回火热处理,即得高性能烧结钕铁硼磁体。
本发明涉及一种稀土永磁体的制备方法,其包括以下步骤:⑴分别提供钕铁硼合金磁粉以及镨钴合金磁粉;⑵将所述镨钴合金磁粉与所述钕铁硼合金磁粉混合均匀得到混合磁粉,其中,在所述混合磁粉中所述镨钴合金磁粉所占的质量比例为5%~50%;⑶将所述混合磁粉依次进行磁场取向成型、真空烧结和二级回火热处理,得到稀土永磁体。
本发明公开了一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法。将硅粉放入石墨坩锅底部,盖上经抛光的光滑的石墨片,然后把整个装置放入真空烧结炉中并保温,之后降温到1300℃,关掉电源任其自然冷却,最后有大量的灰白色的产品附着在抛光石墨基片上为六棱柱状SIC纳米棒。本发明制备的六棱柱状SIC纳米棒且产量高,制备成本低;六棱柱状SIC纳米棒以一定的角度立于石墨片上,尺寸大小、形状均一;六棱柱状SIC纳米棒的质量较高,无层错等缺陷;反应设备简单,方法简单,工艺易于操作。
本发明公开了一种碳化钛微粉的制备方法,包括以下步骤:1)碳化钛前驱体的制备:于搅拌状态下在二氧化钛溶胶中加入竹炭粉,搅拌1~2小时后置于超声清洗器中超声清洗15~30分钟,接着再于160~200℃烘箱中烘干,研磨成粉,得均质性前驱体;二氧化钛与竹炭粉中碳的摩尔比为1∶3;2)将均质性前驱体置于真空烧结炉中,在1600~1900℃加热1~6小时,得碳化钛微粉。本发明还同时公开了利用上述方法制备而得的碳化钛微粉。采用本发明方法制备碳化钛微粉,具有纯度高、粒度分布可控的特点。
本发明公开采用放电等离子烧结高性能铜钨电工触头材料的方法,该方法是将钨粉、铜粉配制成铜钨复合粉,放入石墨模具中;将石墨模具放入放电等离子烧结炉中,对铜钨复合粉施加20-60MPa的压力,在烧结炉中通入惰性气体或抽真空,烧结温度为900-1200℃,保温5-25min,最后随炉冷却至室温,制得铜钨电工触头材料。与传统的烧结工艺相比,放电等离子烧结法是融入热压、等离子活化和电阻加热为一体的烧结技术,从而具有升温速度快、烧结时间短以及晶粒均匀等特点,有利于控制烧结体的细微结构,从而获得的材料致密度高且性能好。
本发明公开了一种富稀土相的纳米钛粉改性制备高矫顽力稀土永磁方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米钛粉添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高,工作温度高,此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力、高工作温度的烧结钕铁硼。
本发明公开了一种透明氮化铝陶瓷的制造方法,氮化铝陶瓷粉体置于放电等离子烧结设备中进行预烧结,高纯氮气保护,预烧结温度范围1500-1700℃,保温时间3-10min,轴向压力10-20MPa,获得氮化铝预烧结体,然后将氮化铝预烧结体置于真空烧结炉中进行无压烧结,无压烧结在流动高纯氮气气氛中进行,无压烧结温度范围:1700-1800℃,保温时间1-6h,冷却后制得所述透明氮化铝陶瓷。本发明方法制备的氮化铝陶瓷在微观上具有干净的晶界和发育良好的晶粒结构,宏观上呈现透明状态。
本发明涉及一种钕铁硼磁性体的制备方法,其包括如下步骤:步骤一:将速凝炉抽真空然后充入氩气,将钕铁硼原料放入速凝炉中加热至1450℃-1500℃,使钕铁硼原料熔化,然后浇铸并冷却;步骤二:将冷却后的钕铁硼材料与氢气反应至吸氢饱和,然后脱氢;步骤三:将脱氢后的钕铁硼材料制成粉体;步骤四:将钕铁硼粉体成型;步骤五:将成型后的钕铁硼粉体在真空烧结炉中烧结,烧结温度为1000℃-1090℃,得到钕铁硼磁性体。本发明提供的钕铁硼磁性体的制备方法较为简单,生产时间短,成本较低,而且生产出来的钕铁硼磁性体具有较高的磁能积和矫顽力,磁性性能较好,能满足绝大多数电子产品的需求。
一种碳化硅陶瓷材料的压注成型工艺,按重量百分比取细度为W10的碳化硅微粉80~90%、碳墨10~20%作为配料;经球磨、过筛、和蜡搅拌后在热压注机中一次成型为蜡坯,然后坯装入匣钵内,以生氧化铝粉作吸附剂,放入低温排蜡炉内缓慢升温进行排蜡,当坯体中的石蜡排出70%~85%时,将匣钵卸下冷却至室温,把坯体取出;接着,将排蜡后的碳化硅毛坯与硅片均匀地放置在坩埚内,装入真空烧结炉进行烧结,开始以每小时300℃的升温速度均匀升温,升至1200℃时,升温速度改为每小时200℃,当温度升至1600℃时,保温3~4小时。与现有技术相比,本发明配方简单而成品的理化性能好,由于采用金属模具,效率极高,且模具磨损小,使用寿命长,与干压工艺相比能使产量增加10倍左右,成型合格率提高5%左右,同类产品的价格与干压产品相比,可降低20%左右。
本发明公开了一种碲化铋基块体热电材料的制备方法,该方法将磁场辅助区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺以及热等静压工艺相结合,以高纯碲、铋、锑、硒等为原料,首先采用区熔法制备碲化铋晶锭,然后将晶锭粉碎、研磨、过筛,再利用逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺将过筛粉料压制成块体材料,最后采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压工艺相结合,制备具有良好取向性且接近完全致密的织构化块体热电材料;本发明可显著提高碲化铋晶粒取向性,获得的碲化铋基块体材料兼具良好的热电性能和机械加工性能,是一种材料利用率高、简单易行、制备效率高,具有良好应用前景的制备方法。
本发明公开了一种晶界重构的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法。它的成分为:NdeFe100-e-f-gBfMg,其中6≤e≤24,5.6≤f≤7,0.03≤g≤8,M为Dy、Tb、Pr、Sm、Yb、La、Co、Ni、Cr、Nb、Ta、Zr、Si、Ti、Mo、W、V、Ca、Mg、Cu、Al、Zn、Ga、Bi、Sn、In元素中一种或几种;方法为:将主相合金和重构的晶界相合金分别制粉,然后均匀混合;将混合粉末在磁场中压制成型坯件,在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明通过晶界相成分的重构,得到具有低熔点以及高电极电位的晶界相合金,在保证磁性能的基础上降低了主相和晶界相的电位差,提高了磁体的本征耐蚀性,而且工艺过程简单,成本较低,适合于批量化生产。因此,结合晶界重构和双合金法可以制备具有高本征耐腐蚀性的烧结钕铁硼磁体。
本发明公开了一种高强度高精度过滤材料的制备方法,其特征在于,该制备方法,包括以下步骤:一、在1平米的隔层上,将金属纤维进行无序叠加平铺;二、将平铺纤维层通过隔层送至真空烧结炉在真空压力施加下进行真空烧结;三、烧结完成后,通入惰性气体进行自然冷却到室温;四、采用压机把烧结为一体的金属纤维毡平整并压制到的1mm~1.2mm厚度,即得到了表面光滑高强度高精度烧结金属纤维过滤材料。本发明提出的烧结金属纤维过滤材料通过边烧结边预压缩,冷却后在进行压制,其孔隙率能达到40%以上,能承受400公斤的压力不变形,过滤精度5um~40um,而且焊接性优于传统粉末烧结板。
本发明公开了一种无磁硬质合金及其制作方法,该无磁硬质合金以碳化钨(WC)为主要成分,添加镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)所组成;其制作方法,包括配料、湿磨、过滤混合料料浆、烘干过筛、成型、真空烧结、检验等工序;按照本发明生产的无磁硬质合金与现有技术相比,具有硬度高、耐磨性好,摩擦系数小、抛光性能好、抗压强度高、刚性好等优点,从而不仅能有效保证加工件的表面光洁度,提高加工件的质量;而且可以有效地保证加工件的几何形状尺寸的精度。
金属‑陶瓷复合衬底的制造方法及其制造的复合衬底,属于陶瓷金属化技术领域。包括如下步骤:在陶瓷基板的表面形成第一钎焊料层,第一钎焊料层为铜、银和活性金属钎焊料层。在第一钎焊料层的表面形成第二钎焊料层,第二钎焊料层为铜和银钎焊料层。在第二钎焊料层的表面形成铜层。真空烧结金属‑陶瓷复合衬底前体。此制造方法在真空烧结的时候,第一钎焊料层的活性金属与陶瓷发生反应,结合力高,耐热冲击性强。第二钎焊料层的铜和银与铜箔发生共晶反应,其与铜箔的结合紧密,同时,由于采用两层钎焊料,一方面降低了银含量,成本更低,另一方面降低了活性金属含量,降低了电气阻抗,金属‑陶瓷复合衬底的耐高压、耐大电流的性能更强。
本发明公开了一种低压小型断路器触头,其特征在于:其各组分及其质量百分含量如下:镧:0.1~0.3%,氧化铝:0.02~0.7%,其余为无氧铜粉。还公开了一种制备上述触头的方法,其包括:(1)将镧、氧化铝、无氧铜粉按比例进行混滚(2)将混合粉倒入模具冷压成圆柱型(3)将冷压呈圆柱型材料经750~800℃真空烧结保温,冷却,再次冷压整型(4)将冷压整型好的材料经700℃真空烧结保温后挤压成板材型(5)将板材型材料经800℃退火处理并经冷却(6)将退火冷却后的板材型材料进行冷轧成型,对冷轧成型的材料进行热喷焊层处理(7)将经过热喷焊层处理的材料进行冲压成型,并对其进行抛光、烘干处理得到触头产品。
一种高耐蚀性烧结钕铁硼永磁材料的生产工艺,其特征在于:依次包括如下工艺步骤:将准备好的材料在熔炼炉中进行熔炼;熔炼后的材料制成0.3~0.5MM厚度的甩带或铸锭;再将甩带或铸锭通过氢破碎制成粒度为2.5~3.5UM粉体状;将粉体进入氧含量在200~500PPM浓度中的气流磨中再进行制粉;经制粉后粉体在模具中进行磁场取向压型;将压型成磁块的磁体在真空烧结炉中进行烧结;然后再进行回火、机械加工及表面等处理成成品。本发明的优点在于:调整了熔炼铸造的甩带技术参数,从源头减少了穿晶断裂出现的几率;改变钕铁硼永磁合金现机械破碎方式,通过氢气在合金不同相间有选择的吸放,减少了穿晶断裂的比例;在气流磨制粉过程中有意引入微量氧气200~500PPM,以增加合金粉体中氧化物含量且分布均匀。
本发明公开了一种高性能铜基粉末冶金含油自润滑轴承及其生产工艺。旨在提供一种有很好的抗黏着性能的铜基粉末冶金含油自润滑轴承。它呈轴套状,其特征是原料组成的质量比是:铝粉8~12%、锡粉4~8%、镍粉0.6~4%、硬质颗粒物1~5%、硬酯酸锌1~5%,余量为铜粉。其工艺路线依次是:根据上述原料组成,将各原料混合、压制成轴套状坯料、真空烧结、车加工至要求的几何尺寸和真空浸油,制成成品。该发明的机械性能明显优于传统的粉末冶金轴承,特别适合承受高面压和很大的偏载,滑动速度及低摆角度很少的工程机械的工作机部位。
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