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本发明涉及交通设备技术领域，其目的在于提供一种轨道交通标识灯箱锁具失效的检测方法及检测系统。本发明包括一种轨道交通标识灯箱锁具失效的检测方法，包括以下步骤：S1：检测电路检测锁具的锁定状态，并在锁具的工作状态发生改变时，发送提示信号至合锁确认电路；S2：合锁确认电路接收提示信号，然后判断锁具的锁定状态是否异常，若是则进入步骤S3，若否则返回步骤S1；S3：合锁确认电路发送告警信号至告警电路；S4：告警电路接收告警信号，然后发出告警信息。本发明还包括一种轨道交通标识灯箱锁具失效的检测系统，包括：检测电路、合锁确认电路和告警电路。本发明能够实时得知灯箱标识锁具开合状态，并在锁具出现异常锁定状况时及时报警。
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本申请实施例公开了一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，其中，所述晶片的获取方法包括：在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。
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本发明涉及一种目标晶粒的区分方法及封装芯片的失效分析方法，所述目标晶粒的区分方法包括：获取具有多颗晶粒的样品，其中至少一个晶粒为目标晶粒，且至少暴露各晶粒边缘的部分切割道区域；确定所述目标晶粒在所述样品中的位置；通过在部分晶粒边缘的切割道区域内形成激光标记，以区分所述目标晶粒和所述目标晶粒以外的晶粒；将所述多颗晶粒分离；根据各晶粒边缘的切割道区域内是否形成有所述激光标记，分辨出其中的目标晶粒。上述目标晶粒的区分方法能够提高区分效率，并且避免对目标晶粒造成损伤。
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本发明提供一种TEM样品的制备方法和失效分析方法，其在衬底上进行失效区的粗略定位后切出包含失效区的初始样品，再用TEM对初始样品中的具体失效点进行精准定位并减薄所述初始样品形成最终样品，即可供TEM电子穿透的TEM样品。如此一来解决了传统技术中FIB机台分辨率不足，无法对半导体内部厚度足够小的特定层的失效点精准定位，并制造出TEM样品的技术问题。
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本申请涉及一种识别转向节多轴断裂失效的分析方法，涉及汽车零部件结构强度分析领域。本分析方法为首先建立整车动力学模型，获取转向节在过横沟误用工况下的理论载荷数据，然后进行贡献度分析，确定造成转向节断裂的贡献度最高的三个目标载荷分别为上球头Y向力、下前球头Z向力和转向拉杆点Y向力，随后获取实际整车在过横沟误用工况下的上球头Y向力和转向拉杆点Y向力，对整车动力学模型进行修正以确定下前球头Z向力，复现断裂以得到转向节的结构强度参数，进行可靠度计算分析，以判断可靠度是否达标。本申请提供的分析方法解决了相关技术中对转向节断裂失效不能进行准确分析而导致转向节可靠度低及影响其使用性能的问题。
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本发明实施例公开了一种用于失效分析的芯片样品制作方法，将辅助支架围绕芯片设置，在辅助支架的围绕所述芯片的空间内填充固定粘接剂，能够保证芯片在研磨过程中不会发生移动，避免研磨不均匀，提高芯片样品制备成功率；辅助支架的高度要高于引线的最高点高度，可以增加对引线的保护，便于制样成功后直接进行芯片背面失效分析。进一步的，对芯片背面进行化学研磨时配置的研磨抛光液，可以提升研磨效率，节约研磨时间，而且不会和固定粘接剂进行化学反应，避免反应堆积物引起的芯片破损，最终获取均匀、完整、光洁的芯片样品表面，提高了无损制样的成功率。
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本发明涉及一种存储器芯片的失效分析方法，包括：确定失效点所在的热点区域；确认存在漏电的字线；对所述存在漏电的字线施加偏压，同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度，直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线；对所述失效位线进行失效分析。上述方法能够提高失效分析效率。
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本发明提供了一种芯片固定装置及制备失效分析样品的方法，通过将芯片样品贴附于芯片固定装置上，通过固定芯片样品提供化学研磨过程中需要的反摩擦力和反离心力，实现自动化学研磨，从而实现批量自动制备失效分析样品，提高了失效分析样品预处理的效率，提高了失效分析样品制备的成功率，同时节省了人力资源；同时，在压力调节装置中设置有弹簧，通过调节阀调节弹簧的松紧，从而调节施加在化学研磨平台上的压力，实现化学研磨速度的调节，提高了化学研磨的效率。
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本公开实施例公开了一种物理失效分析样品及其制备方法，所述方法包括：提供待分析结构；其中，所述待分析结构包括相对设置的第一表面和第二表面，失效区域位于所述第一表面和所述第二表面之间；在所述待分析结构的第一表面形成凹槽；其中，所述凹槽包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁覆盖所述失效区域；在所述第一侧壁与所述失效区域之间的相对距离小于预设距离时，轰击所述第二侧壁的组成粒子；其中，被轰击的至少部分所述组成粒子溅射至所述第一侧壁，形成覆盖所述失效区域的第一保护层。
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本申请提供一种封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法。该用于半导体晶粒测试的封装管壳包括：壳体和连接引脚；其中，壳体用于将半导体晶粒收容在其内；壳体包括对应半导体晶粒的正面的第一观测窗和对应半导体晶粒的反面的第二观测窗；连接引脚用于与收容在壳体内的半导体晶粒形成连接，在封装管壳通过连接引脚在第一方向上插设在插槽中进行测试时，通过第一观测窗定位半导体晶粒正面的热点；在封装管壳通过连接引脚在第二方向上插设在插槽中进行测试时，通过第二观测窗定位半导体晶粒反面的热点。该封装管壳能够使定位半导体晶粒正反面的热点的过程较为简单，耗时较短，有效缩短了产品的测试周期，提高了产品的测试成功率。
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本发明特别涉及一种橡胶材料的失效分析方法，属于失效分析技术领域，通过扫描电子显微镜分析、溶胀指数分析、红外光谱分析和GC‑MS分析等一系列定性和定量的材料失效分析手段的协同组合，形成一种拓扑分析的失效分析方法，采用多步骤组合、递进，准确找到汽车用减震橡胶件的橡胶材料破损的失效原因，可对各类橡胶材料分析失效原因，不受橡胶材料的限制，逻辑清晰，大幅缩短失效试验的人力、物力投入，提升质量整改效率。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的失效分析方法。所述三维存储器的失效分析方法包括如下步骤：提供一存储区域，所述存储区域包括多条平行设置的阵列共源极，相邻阵列共源极之间具有插塞，所述插塞的端部用于与字线电连接；获取与失效字线电连接的目标插塞的位置；形成连接线于所述存储区域，所述连接线电连接所述存储区域内的所有阵列共源极；分别引出所述目标插塞与一所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部，以对所述失效字线进行热点定位分析。本发明提高了三维存储器在失效分析过程中热点定位的准确度和定位的效率，确保了三维存储器失效分析结果的可靠性。
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本发明涉及半导体缺陷分析技术领域，尤其涉及一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法，首先在一个预设电压的条件下筛选出具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构，然后对该具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构进行操作，先研磨掉金属互连层，然后用扫描电镜电压对比方法确定栅氧化层缺陷位置，再依次去除互连线、介电层和栅极，并在剩下的栅氧化层上沉积一层与栅氧化层透射电镜衬度对比度较大的衬度对比层，在有问题的栅极区域进行透射电镜样品制备，最后通过透射电镜来进行分析。通过该方法可以清晰的观察栅氧化层缺陷原貌，为查找栅氧化层制程工艺缺陷提供有力的依据和方向。
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本发明涉及一种激光器芯片失效定位分析样品制备方法及中间件。该方法及中间件连带热沉一同取下，在芯片周围粘接垫脚用作保护，通过研磨的方式去掉热沉，持续研磨去除衬底处金层，至芯片衬底完全露出，适用于多种封装形式的半导体激光器芯片，也适用于不同材料体系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半导体激光器芯片，该方法可直接对百um量级微小易碎的激光器芯片进行制样，无需采用各种精密的微纳米加工设备。注重对样品保护，可有效避免在失效样品取样过程中或制样过程中的样品损伤。制样完成后探测点在同一平面上，便于加电测试。采用的可清洗粘接剂，样品可取出，利于后续其他分析。
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本发明提供了一种封装器件的失效分析方法，包括：提供一包括自下向上的封装基体层、芯片主体层和封装盖板层的封装器件，封装基体层中的每条导电线路与对应的外接测试点电性连接，芯片主体层中的每个焊盘与对应的导电线路电性连接；获取每个焊盘通过对应的导电线路与对应的外接测试点之间的电性连接关系；通过外接测试点对芯片主体层进行电性测试，以获取电性测试出现异常的电性连接关系；以及，根据电性测试出现异常的电性连接关系，抓取芯片主体层中的热点，并在芯片主体层的顶表面标记热点的位置。本发明的技术方案使得能够在无损的条件下快速且准确地找到热点的位置，进而使得能够对芯片主体层进行快速且有效的失效分析。
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本申请实施例公开了一种晶圆的失效分析方法，包括：在所述晶圆的切割通道中，确定出目标测试区域，所述晶圆包括叠设的驱动晶圆层和阵列晶圆层，所述阵列晶圆层包括位于所述驱动晶圆层之上的堆叠层和位于所述堆叠层背离所述驱动晶圆层一侧的衬底，所述目标测试区域包括贯穿所述阵列晶圆层的贯穿触点以及形成于所述驱动晶圆层内且位于所述贯穿触点下方的测试结构；对所述贯穿触点的表面进行保护处理，得到保护处理后的晶圆；对所述保护处理后的晶圆中位于所述阵列晶圆层中的所述衬底进行刻蚀，得到刻蚀处理后的晶圆；对所述刻蚀处理后的晶圆进行失效分析。
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本发明公开了感温包的失效检测装置、失效检测方法及空调，失效检测装置包括：监测感温包的测量温度的下位机、根据下位机上传的数据判断感温包是否合格的上位机。空调启动后，若在预设时间内测量温度变化的绝对值未超过预设值，则上位机判断感温包不合格；若在预设时间内测量温度变化的绝对值超过预设值，则上位机判断感温包合格。本发明自动化程度高，有效提高检测效率，提升产品质量。
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本发明提供了一种半导体器件失效分析方法，包括如下步骤：暴露出半导体器件的测试区域，所述测试区域包括多个测试点；选择多个所述测试点中的至少一个所述测试点作为输入端；形成与所述输入端电性连接的输入结构；在所述输入结构上施加测试信号；使用电性测试探针扫描测试除施加了测试信号的所述输入端之外的其他所述测试点。本发明通过引入一种新的半导体器件失效分析方法，在使用导电原子力显微镜等电性探针测试方法对半导体器件进行测试分析时，形成与测试点电性连接的输入结构，通过输入结构准确地对测试点施加偏压，并通过多个输入结构有效地缩减了失效分析所需的人力和时间成本。
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本发明提供一触器失效检测方法和接触器失效检测系统，其中所述接触器失效检测系统包括一检测电路、一检测模块以及一控制模块，所述检测电路电气连接于所述电池模块和所述接触器，以形成一检测回路，其中所述检测模块被电气连接于所述检测电路，由所述检测模块检测流经所述接触器的电流和对应所述接触器的分压，以得到所述接触器的接触电阻的阻值，其中所述控制模块被电气连接于所述检测电路和所述检测模块，所述检测模块根据所述检测模块检测的数据信息计算所述接触器的温升，并根据所述接触器的实时温度判断所述接触器的有效性。
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本发明公开的一种半导体结构的失效分析方法包括：提供一待测半导体结构，待测半导体结构包括衬底、栅极结构、介质层、互连金属层和钝化层，且衬底内形成有阱区、源漏极；去除钝化层、互连金属层、介质层以及栅极结构以将源漏极的上表面予以暴露；继续将源漏极上表面暴露的待测半导体结构放入氢氟酸混合溶液中浸泡以对该待测半导体结构进行染色操作；观察进行染色操作后的待测半导体结构以对该待测半导体结构进行失效分析；通过该方法不需要对每一个晶体管进行电特性分析的精确定位，而只需要定位出一个小于10um×10um的区域，即可快速确认芯片的失效是否由LDD未有效注入引起，从而降低了失效分析的难度以及失效分析的成本。
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公开了一种失效分析方法及结构，方法包括：获取测试结构的位置以及与所述测试结构对应的目标焊盘的位置；将所述目标焊盘电连接至空白焊盘上；通过所述空白焊盘对所述测试结构进行失效分析，其中，所述目标焊盘位于所述测试结构上方，将所述目标焊盘电连接至所述空白焊盘上后，所述目标焊盘与所述空白焊盘之间实现电交流。该申请中通过将目标焊盘与空白焊盘电连接，通过在空白焊盘扎针进行失效分析的方法，避免了直接在目标焊盘扎针进行失效分析的过程中，多次扎针引起的测试结构损伤的情况，提高了失效点定位的准确性。
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本申请公开了一种堆叠封装结构的失效分析方法及结构，所述堆叠封装结构包括堆叠且粘接在一起的多个裸片，所述多个裸片各自包括裸露的焊盘。所述失效分析方法包括：对所述堆叠封装结构进行电测量，以确认故障裸片；采用探针标记所述故障裸片的焊盘；将所述堆叠封装结构的多个裸片彼此分离；以及对已经标记的所述故障裸片进行失效分析。该失效分析方法从堆叠封装结构中定位和标记故障裸片，在堆叠封装结构的多个裸片分离之后能够快速的找到故障裸片，进一步定位故障裸片的内部位置，因而不仅降低了测试成本，而且提高了效率。
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本发明公开了一种失效模式分析知识管理系统,包括知识库和检索-推理模块。所述知识库用于预设与产品质量特性关联的失效模式分析信息和与所述失效模式分析信息对应的预防措施信息。所述检索-推理模块用于接收客户端系统发送的失效模式分析知识检索-推理请求,并根据所述检索-推理请求对所述知识库的失效模式分析信息和预防措施信息进行检索和推理,获取所述检索和推理的反馈结果,并将所述反馈结果发送给所述客户端系统。本发明失效模式分析知识管理系统实现了失效模式分析知识的及时传递,也能为相关人员提供决策支持。本发明同时公开了一种失效模式分析知识管理方法。
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本发明涉及半导体器件检测领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析方法。在该半导体器件失效分析方法中，将插销和金属层间的介电质层全部刻蚀掉，再观测插销与金属层间连接部分，观测其中异常情况，找到导致产品失效的根源，方便实用。
本申请实施例公开了一种车道保持功能失效分析方法、系统、电子设备及存储介质，方法包括：检测车道保持功能的失效场景；当失效场景为车辆在高速路出口且车道保持功能异常时，对车道线进行识别，并得到对车道线的识别类别；当车道线的识别类别为误识别时，分析车辆经过高速路出口时，路面状况对车辆行驶的影响类型以及影响严重程度级别；对于其它的失效场景，分析车道保持功能异常的原因类型。本申请实施例能够根据检测到的数据自动化分析车道保持功能异常时，路面状况对车辆的影响以及严重程度级别，以及分析车道保持功能异常发生的原因，相比原始的主观判断和手动分析，节约了大量时间，且分析结果更加准确。
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本申请一种闪存芯片位线间漏电失效分析的方法，涉及芯片失效分析领域，通过采用非破坏性分析工艺，将FIB切分工艺和奈米级探针量测工艺相结合，在完全不破坏前端工艺所有材料的状况下，直接定位出失效的栓塞处，且其可检测位于栓塞不同位置的桥连(如位于栓塞顶部、中间或其他任何位置处的桥连)，并能够获得较好的TEM样品，以便于后续TEM的精准观测，即在有效提高失效分析的可靠性的同时，还能大大降低失效分析所花费的时间及工艺成本等。
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本发明涉及半导体可靠性分析领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析的方法。本发明建立一种针对存储器的失效分析的方法，通过对失效区域及其周围区域的连接通孔进行电压对比分析并对电压对比分析结果剖析，以检测出快闪存储器由于冗余替换的存储区域缺陷经过可靠性测试或实际使用后造成的临近区域的失效问题。在可靠性失效中对冗余替换的信息进行分析，为冗余电路的替换造成的可靠性失效问题提供有力的分析依据，并对可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。
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