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存储器芯片的失效分析方法

659   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:31
本发明涉及一种存储器芯片的失效分析方法,包括:确定失效点所在的热点区域;确认存在漏电的字线;对所述存在漏电的字线施加偏压,同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度,直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线;对所述失效位线进行失效分析。上述方法能够提高失效分析效率。
声明:
“存储器芯片的失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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