本发明涉及一种激光器
芯片失效定位分析样品制备方法及中间件。该方法及中间件连带热沉一同取下,在芯片周围粘接垫脚用作保护,通过研磨的方式去掉热沉,持续研磨去除衬底处金层,至芯片衬底完全露出,适用于多种封装形式的半导体激光器芯片,也适用于不同材料体系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半导体激光器芯片,该方法可直接对百um量级微小易碎的激光器芯片进行制样,无需采用各种精密的微纳米加工设备。注重对样品保护,可有效避免在失效样品取样过程中或制样过程中的样品损伤。制样完成后探测点在同一平面上,便于加电测试。采用的可清洗粘接剂,样品可取出,利于后续其他分析。
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