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半导体器件失效分析方法

838   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:29
本发明涉及半导体器件检测领域,尤其涉及一种半导体器件失效分析方法。在该半导体器件失效分析方法中,将插销和金属层间的介电质层全部刻蚀掉,再观测插销与金属层间连接部分,观测其中异常情况,找到导致产品失效的根源,方便实用。
声明:
“半导体器件失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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