本发明提供一种TEM样品的制备方法和失效分析方法,其在衬底上进行失效区的粗略定位后切出包含失效区的初始样品,再用TEM对初始样品中的具体失效点进行精准定位并减薄所述初始样品形成最终样品,即可供TEM电子穿透的TEM样品。如此一来解决了传统技术中FIB机台分辨率不足,无法对半导体内部厚度足够小的特定层的失效点精准定位,并制造出TEM样品的技术问题。
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