本发明公开了一种还原炉,涉及多晶硅生产技术领域,主要目的是提供一种能够替代现有的硅芯的还原炉,使得硅棒的生产周期减少,降低硅棒的能源消耗和生产成本。本发明的主要技术方案为:一种还原炉,包括:炉体;支撑部,所述支撑部包括底盘和电极,所述底盘连接于所述炉体,所述电极设置在所述炉体内,并且连接于所述底盘;发热体,所述发热体设置在所述炉体内,并且连接于所述电极,其中,所述发热体至少由以下重量百分比的组分组成:钨元素:20‑50%;钼元素:50‑80%。本发明主要用于生产多晶硅。
本发明公开了一种从贵铅中回收精铋的方法,包括以下步骤:(1)将贵铅进行真空蒸馏制得铅铋合金,所述铅铋合金中含Pb≥70wt%、Bi10‑20wt%、Sb4‑12wt%;(2)制得的铅铋合金直接铸成铋阳极板I,然后在硅氟酸体系下单独进行电解或者是与铅电解的主流程一起进行混合电解,得到析出铅以及富铋阳极泥;(3)富铋阳极泥经还原熔炼后得到粗铋合金,粗铋合金通过真空蒸馏制得粗铋;(4)将粗铋直接铸成铋阳极板II,然后在硅氟酸体系下进行铋电解,将阴极得到的析出铋精炼熔铸后即得精铋。本发明将铅铋合金直接铸成铋阳极板进行电解,大大缩短了生产周期,综合处理成本低,经济效益显著,属绿色环保冶金工艺。
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