有色金属真空冶金技术理论与应用

含稀土氧化物强化相钛合金的粉末冶金制备方法 1227     

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本发明公开了一种在钛合金中获取弥散分布的稀土氧化物强化相的粉末冶金方法。其以稀土氢化物粉末的形式添加稀土元素,将稀土氢化物粉末与氢化脱氢钛粉末以及其它必要的合金粉末或合金元素粉末充分混合,经过冷等静压成型或模压成型,然后将压制坯体在高温下真空烧结,最后将烧结后的钛合金进行高温变形,变形方式可以是锻造,轧制,挤压等。本发明方法生产工艺简化,能获得理想的稀土氧化物强化相,提高了钛合金的综合力学性能。

锡酸镉靶材及其制备方法 1018     

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本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料，采用热压烧结工艺，不添加任何添加剂，并且在热压工艺中采用两段式温度，进行低温真空烧结，高温氩气保护烧结，制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。该靶材中Cd2SnO4含量大于95w％，相对密度达到80～95％，电阻率达到1～6×10-4Ω·cm。

制备富含氧空位的二氧化锡纳米粉的方法及所得产品 1044     

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本发明公开了一种制备富含氧空位的二氧化锡纳米粉的方法以及所得产品，步骤为：配制浓度为0.2–3.0?mol·L-1的无机锡盐水溶液，边搅拌边向其中加入0.5–5.0?mol·L-1的NaOH或KOH水溶液，使混合完毕得到的均匀白色沉淀悬浮液体系的pH值为6.0–8.5，继续搅拌10–60?min；将白色沉淀悬浮液进行固液分离，沉淀用水洗涤2–5次后于40–120℃干燥，得二氧化锡前驱体粉末；将二氧化锡前驱体粉末在真空度为0.01?Pa–25?kPa的环境中进行真空热处理，升温速率为2–15℃/min，保温温度为250–600℃，保温时间为0.5–4.0?h，自然冷却后得产品。本发明利用真空烧结工艺对二氧化锡前驱体粉末进行热处理，无需二次处理或改性，可直接获得富含氧空位的二氧化锡纳米粉，具有工艺简单、设备需求低、成本低、污染少、可大量生产等优点。

Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法 827     

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本发明公开的Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷，其晶粒具有核壳结构，核层为(Y, Tm, M)2O3相、壳层为(Y, N)2O3相，其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下：首先将钇的化合物、铥的化合物与M的化合物混合，煅烧得(Y, Tm, M)2O3粉体，再将钇的化合物与N的化合物混合，煅烧得(Y, N)2O3粉体，然后将上述两种粉体混合；或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y, Tm, M)2O3粉体混合、煅烧；将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结，冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y, N)2O3薄层对(Y, Tm, M)2O3相进行包覆，可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变，从而获得优良的激光性能。

Re-Fe-B磁性材料的制备方法 1031     

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本发明公开了一种Re‑Fe‑B磁性材料的制备方法，包括速凝熔炼X类合金薄片和Y类合金薄片、氢破碎、气流磨制粉、混粉、取向压制成型、真空烧结、热处理的步骤。所述X类合金和Y类合金分别采用不同的氢破碎工艺，控制X类合金氢碎粉氢含量为100‑2000ppm，控制Y类合金氢碎粉氢含量为2000‑20000ppm。本发明通过在Re‑Fe‑B磁性材料的制备过程中，分别控制主相合金（X类合金）和富稀土相合金（Y类合金）氢破碎后的氢含量，在真空烧结过程中，磁性材料中的氢原子延晶界富稀土相扩散脱氢，提高磁性材料晶界富稀土相的抗氧化能力，有效降低磁体的氧含量，提高磁体的磁性能和耐腐蚀性能。

改进型碳化硅陶瓷件生产用烧结炉组件 1018     

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本实用新型公开了一种改进型碳化硅陶瓷件生产用烧结炉组件，属于碳化硅新材料生产设备领域，用于碳化硅新材料的生产，其包括真空烧结炉，还包括固气分离过滤器、水循环真空泵，所述真空烧结炉通过排脂管与固气分离过滤器连接，固气分离过滤器与水循环真空泵连接；水循环真空泵通过进水管道与循环水池连接，通过出水管道与水处理设备连接；所述固气分离过滤器和水处理设备通过管道与胶状物回收器连接。鉴于上述技术方案，本实用新型能够通过水循环和胶状物回收装置实现烧结炉组件的稳定运行，降低生产成本和维修成本，提高生产效率和安全性。

石墨部件表面钛金属化改性的制备工艺 858     

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本发明涉及一种石墨部件表面钛金属化改性的制备工艺，所述石墨部件表面钛金属化的制备方法是结合了溶胶凝胶、氧化、还原以及真空烧结技术，首先以乙基纤维素、松油醇、蓖麻油、纳米TiO₂粉体为原料制备纳米TiO₂油膏，并均匀涂覆在石墨部件表面，随后，采用加热氧化彻底脱除有机成分，接着，在石墨表面氢气还原出纳米Ti颗粒层。最后，利用真空烧结技术，使石墨部件表面具备金属属性。本发明的工艺合理，操作简便，获得的表面金属改性石墨部件材料与铝合金亲和性高，并具有优异的耐铝合金腐蚀性能，在铝合金行业具有良好的推广应用前景。

采用真空挤压方式制备硬质合金的方法 1192     

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一种采用真空挤压方式制备硬质合金的方法,其是将粒度为0.55μm的WC粉、9.5wt%的粒度为0.8μm钴粉以及0.15wt%TaC、0.2wt%VC和0.6wt%Cr2C3配料,湿磨72～96小时后卸料,经真空干燥、掺纤维素、大豆胶为主组分的成形剂、真空挤压成形、300℃～600℃脱脂、900℃预烧,1420℃保温40分钟真空烧结制成硬质合金。本发明由于采用了在原料WC粉高温碳化时加入VC、Cr3C2,合金组织得到优化,VC、Cr3C2与WC分布更均匀,WC晶粒更细、更均匀一致,本发明不仅能生产出直径小到0.6mm,大到50mm等不同型号规格及精度尺寸到0.01μm的棒材、管材,产品合格率高、质量均匀,扩大了合金的应用范围,大大地降低了成本,提高了生产效率。

稀土合金永磁材料制备装置 1073     

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稀土合金永磁材料制备装置，包括原料处理部分、沉淀槽、电解炉、研磨机构、压模机构及真空烧结炉；其中，原料处理部分包括稀土金属处理槽与调配槽，同时在稀土金属处理槽上设置有输送管，输送管与调配槽连接，且调配槽通过络合溶液输送管与沉淀槽连接，沉淀槽与电解炉连接，并在电解炉一侧设置有进料口，而电解炉尾端设置有浇铸室，浇铸室与冷却室连接，冷却室通过输出管与研磨机构连接，研磨机构与压模机构连接，压模机构与真空烧结炉连接。本实用新型有效解决了合金锭产生偏析的问题，Sc的加入有利于提高合金锭的高温强度、结构稳定性、焊接性能和抗腐蚀性能，且采用Nd?Pr·Dy·Sc络合后的混合物熔炼合金锭使用普通电解炉即可。

用于细晶粒钕铁硼磁钢制备的成型烧结装置 856     

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本实用新型属于钕铁硼磁钢生产装置技术领域，尤其涉及一种用于细晶粒钕铁硼磁钢制备的成型烧结装置。本实用新型，包括依次连接的钕铁硼制粉装置、压型装置和真空烧结炉，钕铁硼制粉装置内设有粉碎过程中可与颗粒相接触的粉碎辅助机构，压型装置内部具有相连通的混合空腔和压型空腔，压型装置顶部设有与混合空腔相连通的主料进料口和烧结助剂进料口，对在压型空腔内压制成型的钕铁硼进行烧结的真空烧结炉一侧还连接有保存室。本实用新型在钕铁硼制粉装置内设有粉碎辅助机构，实现了粉末的充分粉碎，这保证了细小晶粒获得的前提，此外，降低了烧结是所需的温度，延长了保存时间，两者相结合保证了钕铁硼磁钢获得细小晶粒，获得较为理想的矫顽力。

二硅化锆的生产方法 1056     

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一种二硅化锆的生产方法，将原料二氧化锆粉、二氧化硅粉和石墨粉加入工业粘结剂在真空球磨机中球磨，获得混合物料；将混合物料，用油压机压制圆饼状块料，放入真空烧结炉中，抽真空至1Pa，送电升温一次烧结，获得粗二硅化锆，精整破碎，球磨，制粉，加入工业粘结剂，放入油压机磨具中，冲压成型，获得粗二硅化锆块料，放入真空感应熔炼炉的石英坩埚中，送电升温进行二次熔炼，待充分熔化后，倒入坩埚出炉冷却；出炉后，精整制粉，获得二硅化锆粉。优点是：工艺合理，可操作性强，通过严格控制反应条件，先真空烧结，再真空熔炼，两段硅锆合金化反应，使二硅化锆合金化程度可以达到100％，且合成温度相对较低，适合工业化生产。

烧结卡具、压接式IGBT模块单面烧结方法及制得的子模组 831     

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本发明提供了一种压接式IGBT模块单面烧结一致性的方法，该方法包括：从下至上将钼片、焊片和IGBT芯片组装到烧结卡具中、组装限位销压制压片和用连续真空烧结炉烧结构，制得压接式IGBT模块单面烧结连接结构。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法将待烧结零件与卡具之间的接触关系由面接触转变为点接触，解决了烧结过程中焊料溢出损害卡具以及工件无法取出的问题，改善了烧结过程中焊料的溢出，确保了烧结后工件的高度一致性。

制备透明陶瓷激光棒的离心成型方法 1119     

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针对现有透明陶瓷制备技术中存在的问题，本发明提供了一种制备透明陶瓷激光棒的离心成型方法，属于光学透明陶瓷材料制备工艺领域。该方法按(Y1-xYbx)3Al5O12，0.01≤x≤0.1的化学配比将Al2O3、Y2O3、Yb2O3粉体混合，通过固相法制得原料粉体，将透明陶瓷粉体与分散剂和去离子水混合配置成浆料，利用离心成型方法得到棒状坯体。坯体经充分干燥后，在1700℃下进行真空烧结5-10小时，再经过热处理、打磨抛光从而得到透明陶瓷激光棒。这种离心成型方法得到的激光棒气孔率低，均匀性好，致密度高。透过率在可见光区域内可以达到70％以上。从而克服了其他干法和湿法成型所带来的密度分布不均匀、成型周期长，气孔率高等缺点。可作为固体激光器工作物质，在光学透明陶瓷领域有着良好的应用前景。

Ag掺杂立方相Ca2Si热电材料 1189     

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本发明公开了一种Ag掺杂立方相Ca2Si热电材料，其是将Ca粉、Si粉和Ag粉在Ar气保护气氛下混合均匀后，将所得混合物粉末与研磨钢球在Ar气保护气氛中放入真空不锈钢球磨罐中密封，经球磨反应后采用等离子烧结的方式进行真空烧结压片，即得片状Ag掺杂立方相Ca2Si热电材料。由于Ag元素具有和碱土金属类似的性质，当Ag元素加入后，容易取代Ca位，作为施主掺杂，提供导电电子作为载流子，从而提高材料的电导率与热电性能。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低等优势，所得Ag掺杂立方相Ca2Si热电材料纯度较高，结合紧密，有较好的产业化前景。

具有近等轴WC晶粒的硬质合金的制备方法 927     

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本发明公开了具有近等轴WC晶粒的硬质合金的制备方法,其特征是先将WC和CO的混合粉末在无水乙醇中进行湿磨、干燥、压制后在1400～1440℃进行真空烧结;烧结完成的同时往炉中通入氮气进行真空淬火,氮气压力为0.1～0.4MPA,淬火时间为5～10分钟;然后出炉在液氮中进行深冷处理,处理温度为150-196℃,保温时间为:硬质合金的重量×重量系数+硬质合金的CO百分含量×成分系数,其中重量系数为5～25MIN/G,成分系数为10～20MIN;并在真空炉中在120～200℃进行回火处理,保温时间为1～3H。采用本发明的WC基硬质合金制备方法,使WC的溶解析出过程得到控制,其三棱柱状形貌得以改变,获得了近等轴的WC晶粒,WC晶粒引起的应力集中及对基体的割裂作用减小,且处理后合金表面应力状态为压应力,因此硬质合金的韧性和抗冲击能力提高。

铸锭改铸片添加重稀土氧化物制备低成本钕铁硼的方法 1072     

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一种铸锭改铸片添加重稀土氧化物制备低成本钕铁硼的方法,将镨钕、硼、铝、铜、铌、钴和铁按配料比例装入真空感应炉中经充氩气,精炼浇注成铸片,将铸片放入氢碎炉中氢破,再按粉重量比添加1.04～5.05wt%重稀土氧化物,将两种粉料在混料机中搅拌后,经气流磨机制粉,将粉料放入成型压机的模具内,加磁场取向压制成型,再将坯料放入等静压机中加压,保压后制成生坯,将生坯放入真空烧结炉内烧结,在1000-1100℃下再烧结即制成钕铁硼磁体。将铸锭改为铸片,能有效提高磁体的矫顽力。在制粉阶段进行添加重稀土元素将更好地分布在晶界内及晶粒边缘,提高矫顽力的能力远远高于在熔炼阶段直接添加重稀土元素,达到利用价格较低的重稀土氧化物替代价格昂贵的重稀土原材料可下降配方成本。

纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法 771     

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本发明公开了一种纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米铜添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高,耐腐蚀性好,此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力、高耐腐蚀性的烧结钕铁硼。

钕铁硼磁体的制备方法 1160     

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本发明提供了一种稀土氟化物纳米颗粒掺杂制备具有高矫顽力的钕铁硼磁体的制备方法。本发明所采用的技术方案是:一种钕铁硼磁体的制备方法,包括以下步骤:a、首先将氟化稀土纳米粉末加入到钕铁硼原料粉末中混合均匀;b、然后将经过均匀混合后的粉末在磁场中取向并压制成型得到压坯;c、接着将压坯置入真空烧结炉内做脱氢、烧结处理;d、最后进行热处理。按照本发明的处理方法,本发明采用在微粉时添加稀土氟化物纳米粉末颗粒入母粉中,制备出优异磁性能特别是高矫顽力的烧结钕铁硼磁性材料。与纯的稀土纳米颗粒相比,稀土元素氟化物的纳米粉末颗粒不易氧化,工艺操作性好;而且与同性能的磁体相比稀土用量少,与同样成分的单一合金相比性能高,且利用传统设备就能够制备出高性能的烧结磁体。

稀土永磁材料制备装置 1133     

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稀土永磁材料制备装置，包括稀土金属处理槽、调配槽、沉淀槽、电解炉、浇铸室、恒磁场源、冷却室、研磨机构及真空烧结炉；其中，稀土金属处理槽通过输送管与调配槽连接，调配槽通过络合溶液输送管与沉淀槽连接，沉淀槽与电解炉连接，并在电解炉一侧设置有进料口，而电解炉尾端设置有浇铸室，浇铸室与恒磁场源连接，冷却室与恒磁场源连接，研磨机构通过输出管与冷却室连接，真空烧结炉与研磨机构连接。本实用新型有效解决了各组分的熔点不同导致合金锭产生偏析的问题，Sc或Y的加入有利于提高合金锭的实际矫顽力，且采用Nd?Pr·Dy·Sc络合后的混合物熔炼合金锭降低企业的生产成本，通过磁场以诱导晶体结晶与形核，从而提高磁粉性能。

低碳高韧性高速钢的制备方法 754     

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本发明公开了一种低碳高韧性高速钢的制备方法，本发明具体涉及高速钢制备方法技术领域，具体是一种低碳高韧性高速钢的制备方法，本发明制备的高速钢，耐磨性好，抗磨粒磨损方面真空烧结高速钢已超过普通高速钢。真空烧结高速钢与铸造高速钢相比，组织更为精细，硬质相分布更加均匀，马氏体基体上均匀弥散分布着细小的硬质相颗粒。在磨损过程中这些硬质颗粒阻碍了磨损的进行，对基本起到很好的保护作用；韧性好，与传统高速钢内部组织不均匀不同，粉末冶金高速钢结晶颗粒细致均匀，无方向性，故韧性较佳。

抗高温氧化、耐碱蚀的铁基多孔材料及其制备方法 1119     

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本发明公开了一种抗高温氧化、耐碱蚀的铁基多孔材料及其制备方法。本发明将Fe、Cr、Ni、Si高纯粉末按质量百分比为Cr 20～30%、Ni 15～25%、Si 2～10%、Fe为余量的比列混合均匀、干燥后，压制成型获得生坯，利用固相偏扩散的原理对生坯进行真空烧结反应合成Fe‑Cr‑Ni‑Si多孔材料。本发明制得的多孔材料孔隙丰富、均匀可控，制备工艺简单，具有优异的抗高温氧化、耐碱蚀性能，可应用于高温和碱蚀等过滤领域。

3D C/氧化亚铜-AgNPs水消毒纳米复合材料及其制备方法 1044     

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本发明公开了一种3D C/氧化亚铜‑AgNPs水消毒纳米复合材料及其制备方法。首先以泡沫铜为基底进行预处理；然后采用碱性刻蚀液进行刻蚀，原位生成针状氢氧化铜纳米线结构，在真空下热处理生成氧化亚铜纳米线；随后浸泡于还原银的溶液中一段时间，然后将其置于管式炉中真空烧结，使氧化的泡沫铜及纳米线表面包覆一层镶嵌纳米银的碳膜。所制备纳米复合材料包括泡沫铜基底，在铜表面原位生成的氧化亚铜纳米线阵列，及其纳米线表面包覆的一层镶嵌纳米银的碳膜，具有良好的导电性。本发明的制备工艺简单、成本低廉、能够实现高效杀菌，对于实际水体中的微生物灭杀处理具有很好的应用前景。

搭载过渡金属氧化物的石墨烯增强铜基复合电接触材料及其制备方法 1129     

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一种搭载过渡金属氧化物的石墨烯增强铜基复合电接触材料及其制备方法，本发明涉及石墨烯增强铜基复合电接触材料及其制备方法。本发明是要解决现有的石墨烯增强铜基复合材料的耐磨性差、耐电弧烧蚀性差的技术问题。本发明的搭载过渡金属氧化物的石墨烯增强铜基复合电接触材料由搭载有过渡金属氧化物的石墨烯和铜组成，其中过渡金属氧化物为SnO2、ZnO、Fe3O4、CuO、NiO、MnO和Co3O4中的一种或其中几种的混合物。制法：将过渡金属氧化物/石墨烯粉末和铜粉混合均匀，然后进行分散混合，得到混合粉末；混合粉末放入磨具中，压制成坯锭，然后将坯锭真空烧结，即得。可用于制作电触头元件。

宽幅多层Cu-CuMo70-Cu复合材料的制备方法 950     

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宽幅多层Cu-CuMo70-Cu复合材料的制备方法，将预处理过的CuMo70板材放在模具中，然后将CuNi10材料和表面处理过的Cu材料一同放置在石墨坩埚中，将石墨坩埚置于模具之上并一起放在真空烧结炉中进行熔渗烧结后保温，最后除去多余的Cu，在650-900℃下多道次轧制即得。本发明制备方法，利用金属Cu与CuMo70合金在膨胀系数和熔点上的差别，在Cu与CuMo70之间加入适量第三组元CuNi10材料实现两者高强度的冶金结合，经过真空高温烧结和缓慢冷却，形成的双金属复合材料除了具有金属Cu和CuMo70合金的各自性能优点外，同时还具有较高的结合强度，其界面结合强度可达200Mpa以上。

碳化硼复合材料的制备方法 791     

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本发明涉及一种碳化硼复合材料的制备方法,特征是步骤如下:按质量百分数计取金属氧化物粉末5～50%,余量为碳化硼粉末,混合配料,在100～150MPA下模压成预制坯;然后将预制坯置于真空烧结炉中,抽真空至20～100PA,以5～8℃/MIN速度升温至1850～2060℃,保温10～60分钟,得到碳化硼基多孔预烧体;最后在真空条件下熔渗铝,熔渗工艺为900～1100℃,保温0.5～2H,真空度为5～100PA。本发明优点和产生积极效果是:在单一碳化硼材料的基础上提高断裂韧性1.78～2.75倍;生产成本低;制备方法简单,有利于加工成各种形状复杂的产品,易于在碳化硼陶瓷材料制造领域推广应用。

以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法 837     

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本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料,在碳质材料粉体的表面生成原硅酸,高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中,并用盖子将坩埚盖好后放入高温真空烧结炉中,抽真空并充入氩气保护气,然后加热到1200～1700℃,保持高温一段时间后关掉电源。冷却后取出石墨坩锅,得到棉花状淡绿色产物。将产物采用X射线衍射分析产物的相组成,场发射扫描电镜观察其形貌,用透射电镜分析其微结构。本发明制备的超长SiC纳米线为单晶β-SiC相,纳米线直径为50-200纳米,长度为1-10毫米。

无气孔高密度锆或锆合金粉末冶金异型件制备工艺 1187     

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本发明涉及一种无气孔高密度锆或锆合金粉末冶金异型件制备工艺。该工艺主要采用海绵锆加工成氢化锆粉,100目-300目粒度搭配,采用橡胶模具成型,等静压260-350兆帕压力压铸,经真空脱氢,再经过真空烧结炉1200-1420度烧结,达到密度98%以上。采用此工艺加工的锆或锆合金粉末冶金异型件,无气孔、高密度,标志着对这一项目的探索成功,目前在国内处于领先地位。

纳米改性WC/CO硬质合金材料及其制造方法 1122     

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纳米改性WC/CO硬质合金材料及其制造方法,它涉及一种改性WC/CO硬质合金材料及其制造方法。它克服了现有提高综合性能的方法存在的制备工艺复杂、工艺参数要求高,需要更新设备,成本高及晶粒易长大的问题。纳米改性WC/CO硬质合金由纳米改性材料和WC/CO合金制成。制备方法:混粉;干燥过筛;掺蜡;干燥过筛;模压成型;真空烧结。本发明纳米改性WC/CO硬质合金与纳米改性前相比,硬度提高1HRA以上,抗弯强度提高约20%,冲击韧性提高40%～50%,断裂韧性提高20%～40%,冲击磨损性能提高100%以上。本发明制备方法工艺简单,工艺参数要求低,而且与粉末冶金法相比无需增加新设备,具有性能价格比高的优点。

钨铝-铜合金烧结体及制法 718     

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本发明提供了一种钨铝－铜合金烧结体及制法。该钨铝－铜合金烧结体的成分组成为钨铝粉末和铜粉，钨铝粉末的表达式为W1－xAlx，式中，x＝0.1－0.86，所述铜粉在烧结体中的质量比为5－80％。制备方法是以钨铝粉末和铜粉为原料，分别进行真空烧结和热压烧结，制备高致密，性能优越的合金烧结体样品。并通过改变铜的质量分数，烧结温度、压力、时间等条件的控制，合成具有良好结晶形态和显微结构的合金块状材料。所得合金的性能为：电导率21.1－29.4MS/m－1，显微硬度3.50－4.74GPa，弯曲强度760－1200MPa。

用于钕铁硼圆柱烧结炉的真空度监测机构 1113     

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本实用新型公开一种用于钕铁硼圆柱烧结炉的真空度监测机构，其特征在于：包括真空烧结炉(1)和真空检测仪(2)，所述真空烧结炉(1)的上端连接有出气管(3)，所述真空检测仪(2)设于出气管(3)上。本实用新型提供一种可以及时并且准确地反馈烧结炉的真空状态的一种用于钕铁硼圆柱烧结炉的真空度监测机构。