本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法,属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3,其中Cd2SnO4的含量大于95w%。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料,采用热压烧结工艺,不添加任何添加剂,并且在热压工艺中采用两段式温度,进行低温真空烧结,高温氩气保护烧结,制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。该靶材中Cd2SnO4含量大于95w%,相对密度达到80~95%,电阻率达到1~6×10-4Ω·cm。
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