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一种高C含量CNTs‑ZA27锌铝基复合棒材的制备方法，它涉及一种ZA27复合棒材的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的碳纳米管增强锌铝基复合材料中碳纳米管分散不均匀，结构损伤导致碳纳米管增强锌铝基复合材料的强度和韧性提升不明显，变形性差的问题。方法：一、混料；二、低温高速球磨；三、低速球磨；四、温压成形；五、粉末锻造，得到直径为20mm～60mm的高C含量CNTs‑ZA27锌铝基复合棒材。本发明制备的高C含量CNTs‑ZA27锌铝基复合棒材的组织致密，耐磨性和耐蚀性较常规ZA27有极大提升。本发明可获得一种高C含量CNTs‑ZA27锌铝基复合棒材。
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本发明涉及一种低成本制备烧结钕铁硼永磁体的方法，其中低成本制备烧结钕铁硼永磁体的方法包括以下步骤：收集烧结后的钕铁硼加工废料，去除钕铁硼加工废料表面的污染物；去除钕铁硼加工废料表面的氧化层和残留污物；用热水清洗钕铁硼加工废料并吹干；用密封容器收集钕铁硼废粉，并充入氮气或氩气保护；在密封容器中加入40‑100ml/kg的溶剂油，搅拌30‑180分钟，使钕铁硼废粉溶解在溶剂油内；用氮气或氩气置换密封压机内的空气，使密封压机内的氧浓度控制在0‑50ppm之间。本发明充分利用烧结钕铁硼生产过程中各工序产生的废料，包括钕铁硼废磁铁、料头和料皮，实现了生产过程中废料的100％回收。
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一种高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法，属于稀土永磁材料技术领域，包括以下步骤：采用真空速凝甩带、氢破工艺制得单合金或主合金与辅合金微粉；加入润滑剂、抗氧化剂、分散剂并混料；通过气流磨制粉，磁粉中加入润滑剂并混料，磁粉在磁场中取向，同时压制成型，并经冷等静压处理；分三个温度段进行保温、放气处理；然后降温到300~500℃，充入高纯氩气，压强为2~10 MPa，进行热压处理；然后经高温烧结，自然冷却到800~900℃充入室温氩气或液态氩气快冷；后经两级热处理以及分别进行氩气快冷。本发明通过提高高温烧结前的致密度，以提高最终磁体的致密度，从而增强剩磁与最大磁能积。通过降低烧结温度，可实现在高剩磁和高磁能积情况下，明显提高矫顽力。本发明有较好的经济效益，适合工业化生产。
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本发明涉及一种硒化铟靶材的制备模具，模具包括上方开口且中空的外模和上封盖，外模形成一圆筒形的装料空间，上封盖包括与外模盖合的盖面和自盖面向上凸伸的封盖柄，封盖柄上开设有真空抽气孔，模具还包括垫设于外模内的若干石墨纸和支撑片。本发明同时提出一种硒化铟靶材的制备方法。该制备模具和制备方法采用热等静压技术制备高密度、低电阻的硒化铟靶材，所制备得到的硒化铟靶材的密度达到99%以上、靶材1cm间的电阻值低于1200Ω/cm，所制备得到的硒化铟靶材适用于半导体镀膜。
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本发明公开了一种掺杂少量稀土的WC‑Co硬质合金的制备方法，其制备基体粉料在于采用专利号CN202010453934.6公开的硬质合金异形件所用的特制粉体（稀土以氧化物形式掺杂于粉料中），采用冷等静压，油压或机械加压的成型技术，经过烧结温控及加压烧结技术合成的一种结合强度高，硬度大，产品致密性好，品控效果优良，次品率低的WC‑Co硬质合金异形件的制备方法。
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一种医用植入材料多孔钽的制备方法，用有机粘结剂与分散剂配制成的溶液，与淀粉和金属钽粉的混合粉制成钽粉浆料，并浇注于有机泡沫体中，浸渍直至有机泡沫体孔隙注满钽粉浆料，然后干燥除去浇注有钽粉浆料的有机泡沫体中的分散剂，在惰性气体保护气氛下脱脂处理以除去有机粘结剂和有机泡沫体，真空下烧结制得多孔烧结体，经烧结的纯钽粉末堆积构成的泡沫骨架上，钽粉颗粒相互间具有烧结颈结构，再真空下退火及常规后处理制得多孔钽；所述有机粘结剂为聚乙烯醇，所述分散剂为蒸馏水。本发明制得的医用植入多孔钽材料具有优越的生物相容性与安全性，同时具有良好的力学性能、延展性，特别适用于作为人体承重较轻的部位的医用植入材料。
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本发明公开了一种热敏/结构材料复合叠层测温刀具及其制备方法，属于切削刀具制备技术领域。所述热敏/结构材料复合叠层测温刀具为由结构材料和热敏材料组成的叠层结构，所述热敏材料为热敏陶瓷xY2O3‑yLaCrO3，其中0.4≤x≤0.7，x+y＝1，x和y均为摩尔数；所述结构材料为金属陶瓷。所述热敏/结构材料复合叠层测温刀具集切削功能和测温功能于一体，可在切削的同时实现切削温度测量。本发明的热敏/结构材料复合叠层测温刀具，热敏陶瓷与结构陶瓷界面结合良好，保证了切削性能(力学性能)和测温性能的完美结合，使刀具的性能更加稳定。
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本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种PIM器件及其制造方法，包括覆铜陶瓷基板以及布设于覆铜陶瓷基板上的三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件；三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片；三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片；制动单元包括二极管芯片Ⅶ、IGBT芯片Ⅶ、clip铜片、clip发射极铜片和clip控制极铜片。本技术方案的PIM器件结构小巧、使用方便，将该PIM器件运用于相关电路中，可简化电路结构，基于PIM器件采用的clip工艺，PIM器件性能稳定，进一步使得使用该PIM器件的电路安全可靠。
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本发明涉及一种作为医用植入材料的多孔铌及其制备方法。该多孔铌具有孔隙三维连通分布的泡沫结构,采用有机粘结剂与分散剂配制成的溶液和铌粉制成铌粉浆料,并浇注于有机泡沫体中,浸渍直至有机泡沫体孔隙注满铌粉浆料,然后干燥除去浇注有铌粉浆料的有机泡沫体中的分散剂,在惰性气体保护气氛下脱脂处理以除去有机粘结剂和有机泡沫体,真空下烧结制得多孔烧结体,经烧结的纯铌粉末堆积构成的泡沫骨架上,铌粉颗粒相互间具有烧结颈结构,再真空下退火及常规后处理制得多孔铌。本发明所述多孔铌高孔隙,孔隙分布均匀且连通,烧结微观结构颗粒均匀,烧结颈明显,保证了良好的力学性能,特别是具有良好的延展性。
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本发明提供了一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：球磨混合二氧化硅粉、粘结剂和溶剂，得到喷雾造粒用料浆，再对喷雾造粒用料浆进行喷雾造粒得到球形混合粉末；所述球形混合粉末进行装模、真空热压并冷却得到所述氧化硅陶瓷靶坯；其中，所述真空热压包括依次四段升温和两段加压；所述制备方法采用真空热压烧结法制备出高纯度、高致密度、成材率高的氧化硅靶材，致密度＞99％，纯度≥99.99％，满足磁控溅射对靶材纯度、密度要求。
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本发明涉及基于还原氧化石墨烯和铜复合材料的成型件制备方法，该方法采用湿法球磨制备氧化石墨烯/铜混合粉体，然后将混合粉体在氢气气氛下还原，最后通过复压复烧的粉末冶金方法获得了还原氧化石墨烯/铜复合材料。本发明方法很好地实现了还原氧化石墨烯均匀分散到铜基体中，制备的还原氧化石墨烯/铜复合材料具有高强度、高塑性和高导电性的优点，而且复压复烧的烧结成型方法工艺简单可控，生产成本较低，生产效率较高，易于实现大规模的工业化生产。本发明制备的成型件氧化物少，气孔少，致密度高，具有高强、高导电、高塑性等优异的综合性能。
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本发明提供一种光学蒸镀用一氧化钛的制备方法，其选取符合要求的钛与二氧化钛，并按1:0.98～1.02的摩尔比进行混合搅拌，将所得混合物取出，并利用干燥制粒机通过13Mpa的等静压处理，将反应完全的材料进行成型，过筛得半成品；之后进行抽真空及加热反应操作，最终冷却后出炉即得颗粒状的一氧化钛；所制得的颗粒状一氧化钛可直接作为光学蒸镀镀膜的材料，而且避免了因副产物的产生而导致的不易分离提纯的问题。
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本发明涉及一种用于3D打印的高显色性白光荧光粉的制备方法，是针对白光荧光粉色温高、显色指数低、成膜性能差的情况，采用2‑噻吩甲酰三氟丙酮‑邻菲罗啉‑铕、4‑苯甲酰苯甲酸‑铽、苯并噻唑‑锌、聚苯乙烯‑甲基丙烯酸缩水甘油酯为原料，经物理共混、加热熔融、干燥、研磨、过筛，制得高显色性白光荧光粉，粉体颗粒直径≤1um，制备的粉体材料精度高、纯度好，达99.8％，色坐标X＝0.332，Y＝0.337，发白光，该制备方法工艺先进，数据精确翔实，是先进的用于3D打印的高显色性白光荧光粉的制备方法。
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本发明公开了一种含有氮化物相的高性能钕铁硼永磁铁及其制造方法。该钕铁硼永磁铁的主相具有R2T14B结构，晶界相分布在主相的周围，晶界相中含有N、F、Zr、Ga、Cu元素，在主相和晶界相之间存在含有R1、Tb、N元素的复合相，复合相含有（R1,Tb）2T14（B,N）结构的相，其中R代表两种以上的稀土元素，且必须含有Pr和Nd，T代表Fe、Mn、Al和Co元素，R1代表一种以上的稀土元素，且必须含有Dy或Tb中的至少一种；所述的主相含有Pr、Nd、Fe、Mn、Al、Co、B元素，晶界相中还含有选自Nb和Ti元素的至少一种。该钕铁硼磁铁中采用N元素取代部分B元素可以提高钕铁硼稀土永磁的磁性能，尤其是提高钕铁硼稀土永磁的矫顽力，明显提高永磁体的使用温度。
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本发明的实施例提供了一种碳质成型体的制备方法、碳质成型体以及烹饪器具，该制备方法包括：按比例将原材料制备成混合粉末，所述原材料至少包括碳质粉和粘接剂；将制备成的混合粉末加入到模具中，并通过等静压工艺向所述模具加压预设时间，以成型出碳质胚体；在真空环境下对所述碳质胚体进行烧结，并在真空环境下将烧结后的碳质胚体冷却至室温。该制备方法，采用近似粉末冶金的方式，能够极大地缩短碳质成型体的加工周期，从而能够降低碳质成型体的成本，同时，上述制备方法，加工简单方便，完全能够实现批量化生产，从而可提高碳质成型体的生产效率，从而利于碳质成型体的推广使用。
本申请属于膜分离技术领域，公开一种具有高耐酸性能的甲烷/氮气分离的混合基质膜及制备方法和应用。所述具有高耐酸性能的甲烷/氮气分离的混合基质膜为层状结构，自下而上依次由PSf膜层、亲水层和PAA‑ZIF‑8@VR层组成，所述亲水层为聚二甲基硅氧烷和聚乙烯醇涂覆在PSf膜层的表面干燥得到，所述PAA‑ZIF‑8@VR层是将聚丙烯酸水溶液与表面具有碳化层的ZIF‑8@VR纳米颗粒混合后涂覆在亲水层的表面进行界面自组装后干燥而得。该混合基质膜，其耐酸性能为pH2‑5，在pH3、25℃和1bar条件下测试，其对CH4渗透速率为1179‑2900GPU，CH4/N2选择性为2.20‑3.12。
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本发明涉及一种单壁碳纳米管增强型铝镁硼陶瓷材料的制备方法，是针对铝镁硼陶瓷材料脆性大、韧性差的弊端，在铝镁硼陶瓷材料基体内掺杂单壁碳纳米管，经真空等离子放电热压烧结，制成增强型铝镁硼陶瓷材料，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备的增强型铝镁硼陶瓷材料为黑色块状，金相组织致密性好，显微硬度达27‑30GPa，断裂韧性达6‑10MPa.m0.5，是先进的增强型铝镁硼陶瓷材料的制备方法。
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本发明公开了属于复合材料加工与热处理技术领域的一种高强高导石墨烯铜复合线材及其制备方法。所述石墨烯铜复合线材中，石墨烯含量为0.05～0.8wt.％，杂质元素总含量≤0.1wt.％，余量为铜本发明制备的高强高导石墨烯铜复合线材，石墨烯均匀弥散并带有取向性地分布于铜基体中，其抗拉强度达330～480MPa、延伸率6％～20％、导电率95～105％IACS，具有优异的综合性能。
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本发明涉及一种多孔锌镁合金/羟基磷灰石复合材料的制备方法，针对多孔单质锌力学性能差、体内降解过程中生物活性低的弊端，采用羟基磷灰石、镁和锌为原料，以氯化钠晶体为造孔剂，通过配粉、球磨混粉，放电等离子烧结、去除造孔剂，制成多孔锌镁合金/羟基磷灰石复合材料块体，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备的多孔锌镁合金/羟基磷灰石复合材料块体，其密度为2.94g/cm3，孔隙率达到53%，孔径≤450μm，屈服强度为60MPa，弹性模量为4GPa，符合人体骨骼性能参数，可满足临床医学的骨科植入材料使用，是先进的多孔ZnMg/HA复合材料的制备方法。
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本发明公开了一种制备烧结钐钴磁体的方法，首先制备第一钐钴合金和第二钐钴合金，然后将第一钐钴合金和第二钐钴合金初破碎，再将第一钐钴合金初破碎磁粉和第二钐钴合金初破碎磁粉混合后进行细破碎，细破碎过程实现了初破碎混合磁粉的细化和成分的均匀化；接着将细破碎所得的钐钴磁粉依次进行磁场取向成型、冷等静压、烧结、固溶和时效处理；优点是第一钐钴合金保持高剩磁成分特征，第二钐钴合金保持高矫顽力成分特征，调节第一钐钴合金初破碎磁粉和第二钐钴合金初破碎磁粉的混合比例，可以得到多种磁性能的烧结钐钴磁体，且工艺稳定，成本较低。
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一种强化金属复合陶瓷膜及其制备方法，所述陶瓷膜依次包括基底层、过渡层和精密层；基底层由单质金属或合金粉末烧结；过渡层为单质金属或合金粉末，与复合或混合陶瓷粉末烧结的复合层；精密层包括碱金属氧化物掺杂陶瓷粉末烧结的多孔陶瓷过滤层，精密层外侧经熔融盐离子交换。所述方法为：(1)在单质金属或合金粉末中，加入成型剂，混合，流延，烧结；(2)将单质金属或合金粉末，与复合或混合陶瓷粉末混合，流延，烧结；(3)将碱金属氧化物掺杂陶瓷粉末喷涂，烧结，离子交换，水洗，干燥，即成。本发明陶瓷膜过滤精度高，通量大，孔径均匀，韧性高，耐热震，机械强度高，表面应力强化。本发明方法简单，成本低，适于工业生产。
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本发明涉及一种同晶相核壳结构β分子筛的制备方法，是以白炭黑、正硅酸乙酯、偏铝酸钠、四乙基氢氧化铵、氟化铵为原料，四乙基氢氧化铵水溶液为处理剂，先合成核相β分子筛，经混合液配制、反应釜晶化，恒温加热、淬冷、清洗分散、离心分离、真空干燥、高温真空焙烧，制成同晶相核壳结构β分子筛，此制备方法工艺先进，数据准确翔实，制备的同晶相核壳结构分子筛晶粒直径15～20μm，晶粒外部纳米晶粒包裹紧密，产物包裹度达97％，产物纯度达99.9％，可与多种化学物质匹配做为催化剂使用，是十分理想的同晶相核壳结构β分子筛的制备方法。
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一种医用多孔钽材料的制备方法，其特征在于：将聚乙醇水溶液与钽粉配成浆料，采用震动加压将所述浆料注入有机泡沫体中，再经干燥、脱脂、烧结、冷却和热处理步骤制得医用多孔钽材料；所述聚乙烯醇水溶液的质量浓度为2～8%，所述震动频率为20～80次/分钟。本发明制得的多孔钽非常适合用于替代承重骨组织的医用植入材料，同时保证了生物相容性与力学性能。并且，所述的制备方法工艺简单、易控；整个制备过程无害、无污染、无毒害粉尘，对人体无副作用，适于工业化规模生产。再者，在制备过程中优先采用在烧结过程中能够全部分解，没有残留的试剂及有机泡沫体等，将有利于保证植入材料的生物安全性。
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本发明涉及一种用于3D打印的氧化锰/碳球复合材料的快速制备方法，是针对电容器电极容量小、比电容低的问题，以碳球做碳源，高锰酸钾做锰掺杂剂，经配制溶液、超声波分散处理、合成氧化锰/碳球，经洗涤、抽滤、真空干燥、真空微波加热烧结，制成氧化锰/碳球复合材料，此制备方法工艺先进快捷、数据精确翔实，产物为黑色粉体，粉体颗粒直径≤200nm，产物纯度达99.3％，比电容指标为114F/g，是先进的快速制备氧化锰/碳球复合材料的方法，此材料可用于3D打印技术。
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本发明涉及半导体和太阳能硅材料技术领域，具体地说是一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法，选取切割废料，通过抽真空，通入氩气，保压升温，通入混合气体，第二次保压升温，预处理，第三次保压升温，保温抽真空，保压降温的手段，制备碳化硅粉体。本发明同现有技术相比，采用传统工艺烧结制备高纯碳化硅时，需要收集后进行二次煅烧和提纯,尺寸不均匀、一致性较差，且成本较高。本发明为一步法实现全碳化的制备工艺，无需烧结后的分选、提纯和二次回烧处理。本发明不需要除水过程，还可借助水合硅微粒或含水超细高纯硅微粒的疏松结构优势，实现低温碳化工艺处理，大幅提高现有技术制备碳化硅微粒的效率和质量。
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本发明公开了一种用钕铁硼废料生产的高性能钕铁硼永磁铁及其制造方法，包括：在真空条件下将包括纯铁、硼铁、钕铁硼废料、氟化稀土的一部分原料送入坩埚进行精炼；用熔渣清理装置吸附熔渣并移除；再将剩余的原料加入坩埚内进行精炼，精炼后的熔液通过中间包浇铸到水冷旋转辊的外缘上形成合金片；然后对合金片进行氢破碎、气流磨制粉、磁场成型、预烧结、烧结等工序。采用上述方法制造的钕铁硼永磁铁的平均晶粒尺寸在3-7μm范围内，钕铁硼永磁铁包括主相和晶界相，晶界相分布在主相的周围，主相中包含有Pr、Nd、Mn、Co元素，晶界相中包含有Zr、Ga、Cu、F元素；在主相和晶界相之间存在包含有Tb、N元素的复合相。
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本发明涉及一种树脂型碳负载铜催化剂的快速制备方法，是针对碳负载铜催化剂制备的弊端，以树脂、硝酸铜为原料，经配制溶液、盐酸浸渍、超声波处理、制备前驱体、气体保护烧结，快速制成树脂型碳负载纳米级铜催化剂，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备速度快，成本低，产物为黑色粉体，粉体颗粒直径≤100nm，产物纯度达99.5％，反应活性高，催化性能达99.99％，是十分先进的快速制备树脂型碳负载铜催化剂的方法。
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本发明提供的一种石墨烯增强导热铝基复合材料，包括金属铝层和石墨烯金属铝复合结构层，金属铝层保留了铝金属所特有的抗氧化、耐腐蚀、导电性和导热性；石墨烯金属铝复合结构层，片状石墨烯的碳原子以sp2键紧密排列成的二维蜂窝状晶格结构二维几何形状与铝基体材料的强耦合，使得片状石墨烯可以沿面内热传导，从而提高石墨烯金属铝复合结构层热导率，特别是片状石墨烯被金属铝包围固化，有效地增强了散热和热阻的降低，起到了石墨烯增强导热的效果；本发明制备方法克服了现有制备方法石墨烯与铝基材料球磨混合温度较高时，易发生界面反应生成A14C3、A14C3破坏石墨烯基复合材料的力学、电学、热学性能的技术问题。
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一种金属复合陶瓷膜及其制备方法，所述陶瓷膜依次包括基底层、过渡层和精密层；所述基底层由单质金属或合金粉末烧结；所述过渡层为单质金属或合金粉末，与复合陶瓷或混合陶瓷粉末烧结的复合层；所述精密层包括复合陶瓷或混合陶瓷粉末烧结的多孔陶瓷过滤层。所述方法为：(1)在单质金属或合金粉末中，加入成型剂，混合，流延，烧结，得基底层；(2)将单质金属或合金粉末，与复合陶瓷或混合陶瓷粉末混合后，流延至基底层上，烧结，形成过渡层；(3)将复合陶瓷或混合陶瓷粉末喷涂于过渡层上，烧结，即成。本发明陶瓷膜过滤精度高，通量大，孔径均匀，韧性高，耐热震性好，机械强度高，易反吹清洗。本发明方法简单，成本低，适于工业化生产。
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本发明涉及一种用废旧石膏制备铁酸钙锭的方法，是针对废旧石膏制品数量多、存放难、处理难、污染严重的情况，以废旧石膏制品为原料，经酸洗、水洗、干燥、破碎、配料混合、热压成型、真空高温烧结，制成铁酸钙锭，使废旧石膏回收再利用，此回收制备方法工艺先进、数据精确翔实，回收制备的铁酸钙锭产物纯度达97％，脱硫率达98％，可在炼钢中作为脱磷剂使用，是先进的用废旧石膏制备铁酸钙锭的方法。
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2025年07月09日 ~ 11日 
