本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种PIM器件及其制造方法,包括覆铜陶瓷基板以及布设于覆铜陶瓷基板上的三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件;三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管
芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片;三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片;制动单元包括二极管芯片Ⅶ、IGBT芯片Ⅶ、clip铜片、clip发射极铜片和clip控制极铜片。本技术方案的PIM器件结构小巧、使用方便,将该PIM器件运用于相关电路中,可简化电路结构,基于PIM器件采用的clip工艺,PIM器件性能稳定,进一步使得使用该PIM器件的电路安全可靠。
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