本发明涉及半导体和太阳能硅材料技术领域,具体地说是一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法,选取切割废料,通过抽真空,通入氩气,保压升温,通入混合气体,第二次保压升温,预处理,第三次保压升温,保温抽真空,保压降温的手段,制备碳化硅粉体。本发明同现有技术相比,采用传统工艺烧结制备高纯碳化硅时,需要收集后进行二次煅烧和提纯,尺寸不均匀、一致性较差,且成本较高。本发明为一步法实现全碳化的制备工艺,无需烧结后的分选、提纯和二次回烧处理。本发明不需要除水过程,还可借助水合硅微粒或含水超细高纯硅微粒的疏松结构优势,实现低温碳化工艺处理,大幅提高现有技术制备碳化硅微粒的效率和质量。
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