本发明提供了一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:球磨混合二氧化硅粉、粘结剂和溶剂,得到喷雾造粒用料浆,再对喷雾造粒用料浆进行喷雾造粒得到球形混合粉末;所述球形混合粉末进行装模、真空热压并冷却得到所述氧化硅陶瓷靶坯;其中,所述真空热压包括依次四段升温和两段加压;所述制备方法采用真空热压烧结法制备出高纯度、高致密度、成材率高的氧化硅靶材,致密度>99%,纯度≥99.99%,满足磁控溅射对靶材纯度、密度要求。
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