本实用新型公开了一种基于炼钢生产用高效转炉冶炼装置,包括熔炼室、转炉与风机,所述熔炼室内部一侧通过隔墙安装有转炉室,所述熔炼室内部背离转炉室一侧通过隔墙安装有控制室,所述转炉室内部靠近顶端位置处通过旋转轴安装有转炉,所述控制室内部位于旋转轴一端安装有分度器,所述控制室背离分度器一侧靠近底端位置处安装有驱动电机,所述驱动电机输出轴安装有传动轮A,所述熔炼室顶端位于转炉室上端位置处安装有支撑架。本实用新型解决了现有装置注氧结构较为简单,无法快速调整注氧位置,冶炼控制效果不佳,且无法及时排出高氧注入时产生的烟雾,烟道易发生粘连,影响冶炼质量的问题,提高了本实用新型的冶炼质量。
一种镁铜晶界改性高磁性烧结钕铁硼磁体及其制备工艺,其组分为(RExFe100-x-yBy)100-u(Mg100-zCuz)u,RE稀土元素包括钕Nd和镨Pr、铈Ce、镧La中的一种或两种元素,采用向RExFe100-x-yBy主合金中晶界添加镁铜合金的方式,镁Mg和铜Cu不仅不向磁体主相中扩散,还能够协同作用改善晶界组织结构,实现材料矫顽力iHc和磁能积(BH)max在不掺Dy/Tb条件下的双提高,使镁铜晶界改性烧结钕铁硼的综合磁性能((BH)max(MGOe)+iHc(kOe)≥65。本发明的制造方法中主合金RExFe100-x-yBy和辅合金Mg100-zCuz可以分别采用熔炼方法制备,后经制粉、混粉、取向成型、烧结和处理等过程制备永磁材料,该制备工艺简单,容易实现大规模的工业化生产。
本发明公开了一种铜锡晶界改性抗蚀烧结钕铁硼磁体及其制备工艺。铜锡晶界改性抗蚀烧结钕铁硼磁体的通式为(RExFe100-x-y-zCoyBz)100-v(Cu100-uSnu)v。本发明的有益效果是:制得的磁体与未经铜锡合金晶界改性的磁体相比,具有更高的抗腐蚀能力;同时与现有磁体制备方法相比,利用高电位低熔点的铜锡合金进行晶界改性,降低了烧结和热处理温度,可以节约大量的能源,减少了材料的生产成本。
本发明公开了一种材料热弯模具的制备方法,涉及材料热弯模具的制备技术领域;解决了复杂结构模型制作难成本高的技术问题;该技术方案包括:将100份碳化硅粉和2~8份的有机聚合物粉按照重量百分比混合,根据模具数字模型设计图分层进行选择性激光烧结成型得到素坯,将强化后的素坯渗硅烧结,得到模具。
本发明属于有色金属材料领域,涉及一种原位TaC/Ta2C二元硬质相强化铜基复合材料及其制备方法。本发明采用机械球磨、模压、烧结多工序合成技术,制备出了体积百分比为1-40vol%的原位析出TaC/Ta2C二元纳米硬质相增强铜基复合材料。材料的制备方法为:先将反应物粉料按比例进行多步骤机械球磨,后在室温下采用“模压——等静压”方式制备出反应坯体,最后烧结冷却,获得TaC/Ta2C纳米硬质相增强的铜基复合材料。本发明主要特点:纳米尺度的TaC/Ta2C原位生成,在基体中分布均匀,颗粒表面洁净,二元硬质相协同作用,与铜基体界面结合强度高,材料硬度高且导电性良好。
本发明公开了一种碳化聚多巴胺/Ag纳米复合薄膜的制备方法。该制备方法以Tris缓冲溶液作为分散介质,加入多巴胺和银氨溶液,剧烈搅拌一定时间,将单晶硅浸于溶液中静置,经一定时间取出硅片,经高温烧结制备目的薄膜,本制备方法具有合成工艺简便、反应绿色环保等优点。
本发明公开了一种金刚石合成用分体芯柱及其制备方法,金刚石合成用分体芯柱包括芯柱管,芯柱管内设置芯柱,芯柱管上端设置第一芯柱片,芯柱管下端设置第二芯柱片。本发明的金刚石合成用分体芯柱采用外围料和内部料的不同配料比,并且控制外围料的触媒重量比例比芯柱高4~8%,能有效控制外围料的粒度,从而降低外围料的生长速度,使得合成芯柱整体在石墨转化成金刚石的过程中生长速度一致,使得合成的金刚石粒度均匀;通过控制芯柱片和芯柱管的等静压造粒粒度范围和芯柱的等静压造粒粒度范围,可以使压制时模腔进料均匀并且压制后的芯柱片、芯柱管和芯柱产品密度均匀,从而保证了合成后金刚石的质量和产率。
本发明涉及一种氯化石蜡真空脱除工艺及设备,将氯化石蜡粗品喷淋进入真空分离塔中,在真空状态下将氯化氢气体从溶液中分离出来,分离后的液体通过中间泵进入氯化石蜡中间罐,分离出来的气体从塔顶采出进入真空喷射器,然后进入盐酸储罐,再通过真空泵循环进入真空喷射器,最后从盐酸储罐转出。本发明利用设备产生真空,既节省了设备投资又避免了吹除剂(氮气)的利用,降低资源消耗,从根本上改良了原有精制工艺,解决了装置中耗时、耗能的问题,在减少设备投资的情况下大大提高了粗品的处理量。
本发明提供一种铼涂层钨基材料,包括钨金属基体、铼金属涂层及两者间形成的扩散层三部分,铼金属涂层覆盖在钨金属基体表面,在铼金属涂层与钨金属基体之间形成有效的扩散层,其中铼金属涂层厚度为1~3mm。一种铼涂层钨基材料的制备方法,包括如下步骤:S1取纯度≥99.5%的铼金属粉末,在惰性气体的保护下进行球磨,制备出颗粒度≤2μm的铼金属粉末;S2在圆柱体钨金属基体表面铺洒一层厚度为1~3mm的上述方法制备的铼金属粉末,进行预压置;S3采用真空烧结炉,在氢气保护下、温度:2000~2500℃、压力:500~800KPa、保温保压:10~20h的条件进行烧结,制成铼涂层钨基材料。本发明通过在钨金属基体表面制备铼金属涂层,改善了基体金属的表面性能,拓宽应用领域。
本发明公开了一种新型钕铁硼加工方法,属于磁性材料加工技术领域,包括压机成型、压坯分割样片、真空烧结、喷砂及晶界扩散处理、加工处理等步骤,压坯分割样片时采用的分割器包括压坯定位组件、X轴向切割机构、X轴向移动机构、Y轴向切割机构及Y轴向移动机构,压坯定位组件包括用于夹持压坯的上压板和下定板;X轴向切割机构包括一列X轴切刀及驱动X轴切刀上下移动的第一凸轮,Y轴向切割机构包括一排Y轴切刀及驱动Y轴切刀上下移动的第二凸轮。本发明的分割器的切割效果较好且切割效率较高,可以保障样片的质量,本发明可提高生产效率,可以保证产品尺寸精度,降低毛坯后序加工过程中材料损耗,提高合格率和成材率。
本发明公开了一种通过原位还原以及真空烧结的方法制备Cu/石墨烯/碳化聚多巴胺复合粉体的方法。该制备方法以Tris缓冲溶液作为分散介质,加入Cu粉和氧化石墨烯,加入多巴胺,剧烈搅拌一定时间,经离心沉淀得到Cu/石墨烯/聚多巴胺的复合物。将复合物经真空烧结得到目的产物。本制备方法具有合成工艺简便、反应绿色环保等优点。
本发明公开了一种碳化聚多巴胺/Cu纳米复合薄膜的制备方法,步骤如下:(1)以Tris缓冲溶液为分散介质原位制备聚多巴胺‑Cu2+络合物复合薄膜;(2)利用真空烧结技术制备碳化聚多巴胺/Cu纳米复合薄膜。本制备方法具有合成工艺简便、反应介质绿色环保等优点,能够实际应用。
本实用新型的真空烧结炉扩散泵保温、散热一体装置,在扩散泵加热器底部加装环形保温罩,在扩散泵泵壳上相应环形保护罩设有上层保温罩;在保温罩的一侧设有进气口,进气口与风机连接,保温罩的另一侧开有出气口,处在进气口的对称面上。所述的保温罩外层用金属套,内部填充保温棉。本实用新型具有以下优点:本实用新型的保温性能,降低加热器向空气中传导热量,提高扩散泵油吸收热量转化效率,节省能量损耗,快速加热扩散泵油,真空泵油雾化时间缩短,提高了炉体真空度;本实用新型的散热性能在扩散泵停止工作后,及时散去剩余的热量,使扩散泵油降温速度加快,缩短了氧化变质时间,延长了矿物油的使用寿命。
本实用新型提出一种高密封真空烧结炉,包括炉体和炉门,所述炉体的前端设置有连接口并与炉门连接,连接口的外圆周设置有外螺纹,所述炉门的贴近连接口的一面设置有与炉门呈一体成型的连接圈,连接圈设置有与连接口配合的内螺纹,所述炉门通过固定铰链与两个相同的连接弯杆连接,并且连接弯杆的尾部设置有移动支座,炉体的外圆周设置有从动轮,从动轮与设置在炉体底部的主动轮啮合。本实用新型提供炉门与炉体采用了螺纹连接的形式,提高了两者在接合界面的密封性,并且炉门与炉体开启和关闭的动作由电机驱动,电机按传动路线依次驱动主动轮、从动轮、移动座和炉门,伸缩杆在炉门转动的过程中自动伸长,设计合理且操作方便,适合大规模推广。
本实用新型提供了一种合成金刚石用石墨提纯真空烧结炉充气装置,包括进气总管,进气总管的一端与炉体连接,进气总管的另一端分别与第一支管、第二支管、第三支管和第四支管连接,第一支管和第二支管与第一高压泵连接,第一高压泵与氮气罐连接,第三支管和第四支管与第二高压泵连接,第二高压泵与氢气罐连接,第一支管上安装第一手动阀,第二支管上安装第一电磁阀,第三支管上安装第二手动阀,第四支管上安装第二电磁阀和质量流量计,进气总管上安装泄压阀。本实用新型设有手动阀门,在停电或电磁阀出现故障时,可手动向炉内充气,维持烧结炉正常工作。
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