浙江杭州有色金属真空冶金技术理论与应用

Yb敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法 904     

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本发明公开的Yb敏化的氧化钇基激光陶瓷，其晶粒具有核壳结构，核层为(Y,Yb,M)2O3相、壳层为(Y,N)2O3相，其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下：首先将钇的化合物、镱的化合物和M的化合物混合，煅烧得(Y,Yb,M)2O3粉体，再将钇的化合物与N的化合物混合，煅烧得(Y,N)2O3粉体，然后将上述两种粉体混合；或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y,Yb,M)2O3粉体混合、煅烧；将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结，冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y,N)2O3薄层对(Y,Yb,M)2O3相进行包覆，可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变，从而获得优良的激光性能。

高饱和磁通密度、低损耗锰锌铁氧体材料及其制备方法 1148     

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本发明公开了一种高饱和磁通密度、低损耗锰锌铁氧体材料及其制备方法。锰锌铁氧体材料：Fe2O3：52～54mol％；MnO：33～40mol％；ZnO：8～13mol％；辅助成分CaCO3：100～600ppm；SiO2：50～300ppm；其余为金属氧化物辅助成分。方法的步骤为：1)原材料混合；2)预烧；3)辅助成分添加；4)二次球磨；5)成型；6)烧结。本发明制备的锰锌铁氧体材料中添加的辅助成分均为普通的氧化物颗粒，无需纳米级别，不存在团聚问题，因此添加简易、成本较低。本发明提供的锰锌铁氧体材料的制备方法简易，预烧和烧结温度较低，对烧结设备的要求较低，能够在普通的真空烧结炉内实现，因此易于实现产业化。

大尺寸光纤预制棒的制造方法 1134     

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本发明公开了一种大尺寸光纤预制棒的制造方法，先采用小芯包比的芯棒为靶棒进行沉积，然后放入石英炉内进行干燥以增加多孔光纤预制棒的密度，干燥过程中通入少量的氯气和惰性气体，氯气的流速为0.3‑0.8L/min，惰性气体流速为5‑10L/min，最后将其放入真空烧结炉内进行烧结致密化，形成最终的大尺寸光纤预制棒。本发明能减少真空烧结炉的负载，可制造出无气泡、大尺寸、低羟基的光纤预制棒，总体制造成本低，适合规模化生产。

Nd敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法 1018     

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本发明公开的Nd敏化的氧化钇基激光陶瓷，其晶粒具有核壳结构，核层为(Y,Nd,M)2O3相、壳层为(Y,N)2O3相，其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下：首先将钇的化合物、钕的化合物与M的化合物混合，煅烧得(Y,Nd,M)2O3粉体，再将钇的化合物与N的化合物混合，煅烧得(Y,N)2O3粉体，然后将上述两种粉体混合；或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y,Nd,M)2O3粉体混合、煅烧；将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结，冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y,N)2O3薄层对(Y,Nd,M)2O3相进行包覆，可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变，从而获得优良的激光性能。

Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法 760     

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本发明公开的Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷，其晶粒具有核壳结构，核层为(Y, Tm, M)2O3相、壳层为(Y, N)2O3相，其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下：首先将钇的化合物、铥的化合物与M的化合物混合，煅烧得(Y, Tm, M)2O3粉体，再将钇的化合物与N的化合物混合，煅烧得(Y, N)2O3粉体，然后将上述两种粉体混合；或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y, Tm, M)2O3粉体混合、煅烧；将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结，冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y, N)2O3薄层对(Y, Tm, M)2O3相进行包覆，可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变，从而获得优良的激光性能。

纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法 686     

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本发明公开了一种纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米铜添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高,耐腐蚀性好,此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力、高耐腐蚀性的烧结钕铁硼。

以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法 763     

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本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料,在碳质材料粉体的表面生成原硅酸,高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中,并用盖子将坩埚盖好后放入高温真空烧结炉中,抽真空并充入氩气保护气,然后加热到1200～1700℃,保持高温一段时间后关掉电源。冷却后取出石墨坩锅,得到棉花状淡绿色产物。将产物采用X射线衍射分析产物的相组成,场发射扫描电镜观察其形貌,用透射电镜分析其微结构。本发明制备的超长SiC纳米线为单晶β-SiC相,纳米线直径为50-200纳米,长度为1-10毫米。

合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法 1113     

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本发明公开了一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法。将硅粉放入石墨坩锅底部,盖上经抛光的光滑的石墨片,然后把整个装置放入真空烧结炉中并保温,之后降温到1300℃,关掉电源任其自然冷却,最后有大量的灰白色的产品附着在抛光石墨基片上为六棱柱状SIC纳米棒。本发明制备的六棱柱状SIC纳米棒且产量高,制备成本低;六棱柱状SIC纳米棒以一定的角度立于石墨片上,尺寸大小、形状均一;六棱柱状SIC纳米棒的质量较高,无层错等缺陷;反应设备简单,方法简单,工艺易于操作。

碳化钛微粉及其制备方法 996     

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本发明公开了一种碳化钛微粉的制备方法,包括以下步骤:1)碳化钛前驱体的制备:于搅拌状态下在二氧化钛溶胶中加入竹炭粉,搅拌1～2小时后置于超声清洗器中超声清洗15～30分钟,接着再于160～200℃烘箱中烘干,研磨成粉,得均质性前驱体;二氧化钛与竹炭粉中碳的摩尔比为1∶3;2)将均质性前驱体置于真空烧结炉中,在1600～1900℃加热1～6小时,得碳化钛微粉。本发明还同时公开了利用上述方法制备而得的碳化钛微粉。采用本发明方法制备碳化钛微粉,具有纯度高、粒度分布可控的特点。

采用放电等离子烧结高性能铜钨电工触头材料的方法 823     

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本发明公开采用放电等离子烧结高性能铜钨电工触头材料的方法，该方法是将钨粉、铜粉配制成铜钨复合粉，放入石墨模具中；将石墨模具放入放电等离子烧结炉中，对铜钨复合粉施加20-60MPa的压力，在烧结炉中通入惰性气体或抽真空，烧结温度为900-1200℃，保温5-25min，最后随炉冷却至室温，制得铜钨电工触头材料。与传统的烧结工艺相比，放电等离子烧结法是融入热压、等离子活化和电阻加热为一体的烧结技术，从而具有升温速度快、烧结时间短以及晶粒均匀等特点，有利于控制烧结体的细微结构，从而获得的材料致密度高且性能好。

富稀土相的纳米钛粉改性制备高矫顽力稀土永磁方法 854     

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本发明公开了一种富稀土相的纳米钛粉改性制备高矫顽力稀土永磁方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米钛粉添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高,工作温度高,此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力、高工作温度的烧结钕铁硼。

透明氮化铝陶瓷的制造方法 954     

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本发明公开了一种透明氮化铝陶瓷的制造方法，氮化铝陶瓷粉体置于放电等离子烧结设备中进行预烧结，高纯氮气保护，预烧结温度范围1500-1700℃，保温时间3-10min，轴向压力10-20MPa，获得氮化铝预烧结体，然后将氮化铝预烧结体置于真空烧结炉中进行无压烧结，无压烧结在流动高纯氮气气氛中进行，无压烧结温度范围：1700-1800℃，保温时间1-6h，冷却后制得所述透明氮化铝陶瓷。本发明方法制备的氮化铝陶瓷在微观上具有干净的晶界和发育良好的晶粒结构，宏观上呈现透明状态。

晶界相重构的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 676     

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本发明公开了一种晶界重构的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法。它的成分为：NdeFe100－e－f－gBfMg，其中6≤e≤24，5.6≤f≤7，0.03≤g≤8，M为Dy、Tb、Pr、Sm、Yb、La、Co、Ni、Cr、Nb、Ta、Zr、Si、Ti、Mo、W、V、Ca、Mg、Cu、Al、Zn、Ga、Bi、Sn、In元素中一种或几种；方法为：将主相合金和重构的晶界相合金分别制粉，然后均匀混合；将混合粉末在磁场中压制成型坯件，在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明通过晶界相成分的重构，得到具有低熔点以及高电极电位的晶界相合金，在保证磁性能的基础上降低了主相和晶界相的电位差，提高了磁体的本征耐蚀性，而且工艺过程简单，成本较低，适合于批量化生产。因此，结合晶界重构和双合金法可以制备具有高本征耐腐蚀性的烧结钕铁硼磁体。

热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法 795     

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本发明公开了一种热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法。首先将硅源放入石墨坩底部,在坩锅顶部搁置碳质材料,硅源与碳质材料之间不相互接触,碳质材料既是反应的碳源,又充当反应产物形成的基底,把装好样的坩锅装置放入高温真空烧结炉中,抽真空到0.1～20PA,然后充入氩气保护气。然后,加热升温至1200～1650℃,保温0.5～10小时后,关掉电源,冷却后取出石墨坩埚,便得到碳质材料上有一层淡绿色、淡蓝色或灰色产物。本发简单的热蒸发法具有生产成本低、纳米线纯度高,工艺简单易行的优点。

晶界相中添加纳米氧化物提高烧结钕铁硼矫顽力方法 903     

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本发明公开了一种晶界相中添加纳米氧化物提高烧结钕铁硼矫顽力方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米氧化物添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。采用该发明制得的烧结钕铁硼矫顽力比采用双合金工艺而不添加纳米氧化物制得磁体矫顽力高,更比单合金法制得的磁体矫顽力高。此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力的烧结钕铁硼。

晶界相重构的高强韧性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 801     

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本发明公开了一种晶界相重构的高强韧性烧结钕铁硼磁体及其制备的方法。它的成分为NdeFe100－e－f－gBfMg，其中6≤e≤24，5.3≤f≤6.4，0.01≤g≤6，M为Dy、Tb、Pr、Sm、Ce、Yb、Co、Ni、Mn、Nb、Ta、Zr、Si、Ti、Mo、Ag、Au、Mg、Cu、Al、Zn、Ga、Bi、Sn、In元素中一种或几种；方法为：将主相合金和晶界相合金分别制粉，然后均匀混合；将混合粉末在磁场中压制成型坯件；在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明通过晶界相成分的重构，得到具有低熔点以及高强韧性的固溶晶界相合金，在保证磁性能的基础上提高了晶界相的强韧性，从而提高了磁体本身的强韧性，而且工艺过程简单，成本较低，适合于批量化生产。因此，结合晶界重构和双合金法可以制备具有高强韧性的烧结钕铁硼磁体。

铜合金材料的制备方法 1144     

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本发明公开了一种铜合金材料的制备方法，按照百分比含量，铜合金材料由以下成分组成：铜粉85.2％～87.1％，锡粉11.8％～13.6％，钛粉0.45％～0.84％，铟粉0.04％～0.11％，硅粉0.12％～0.25％，锆粉0.24％～0.48％和锑粉0.05％～0.15％。所述制备方法包括将上述各原料球磨至粒径在220～250目，然后按照上述比例进行混合加入到混料机上转动8～12h，然后将混合均匀的粉末加入到模具中，进行冷压；将步骤S1中在模具中压制好的合金样品放置在真空烧结炉中，然后在730～745℃下真空烧结2～5h后冷却；对步骤S2中烧结冷却后的铜合金样品进行冷轧，然后将冷轧后的样品放入电阻炉中，以升温速率为6～10℃升温至720～750℃，保温1～2h后随炉冷却得到所述铜合金材料。

高耐腐蚀性烧结钕铁硼的制备方法 750     

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本发明公开了高耐腐蚀性烧结钕铁硼的制备方法。其步骤为:1)钕铁硼合金通过铸锭或速凝甩带工艺制得,经氢爆或机械破碎后采用球磨或气流磨工艺制粉;2)将除油液,活化液和化学镀铜液配制好;3)将钕铁硼磁粉首先用除油液除油,然后用活化液浸洗;4)将浸洗后的钕铁硼磁粉加到镀液中,进行化学镀铜,然后用真空烘干机烘干;5)烘干后的磁粉在磁场中压制成型坯件;6)将型坯件在高真空烧结炉内制成烧结磁体。采用该发明制得的烧结钕铁硼磁体的耐腐蚀性得到明显的提高,此工艺过程简单,适合于大规模批量化生产,因此通过本发明可以制备出高耐腐蚀性的烧结钕铁硼。

纳米改性Ti基金属陶瓷刀具材料及其制备方法 870     

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本发明公开了一种纳米改性Ti基金属陶瓷刀具材料及其制备方法，制备纳米改性Ti基金属陶瓷刀具材料的原料按其重量份包括：8～14份Co/WC纳米复合粉体、25～40份TiC、8～13份TiN、18～28份Ni、11～15份Mo、6～12份Co、0.8～1.5份C、0.5～3.5份Ti(C,N)和0.12～0.25份CeO₂。本发明纳米改性Ti基金属陶瓷刀具材料选用适宜的原料配比，优化真空烧结工艺，使制得的金属陶瓷材料具有良好的致密性，进而提高产品的韧性和强度，并且制备方法简单，制备工艺易操作，产品经济价值高的特点，具有广阔的应用空间。

碳化硼微粉及其制备方法 1030     

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本发明公开了一种碳化硼微粉的制备方法,包括以下步骤:1)室温下,将三氧化二硼和竹炭微粉按照三氧化二硼∶碳=2∶7的摩尔比进行配比,然后进行机械球磨和粉碎,得均质性复合前驱体;2)将均质性复合前驱体在真空烧结炉中于2000～2200℃加热1～4小时,冷却后取出,得碳化硼微粉。本发明还同时提供了利用上述方法制备而得的碳化硼微粉。采用本发明方法制备而得的碳化硼微粉,具有纯度高、粒度分布可控的特点。

碳化锆微粉的制备方法 895     

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本发明公开了一种碳化锆微粉的制备方法,依次包括以下步骤:1)以粒径为0.1～1μm的竹炭微粉作为碳源,以二氧化锆溶胶作为锆源;2)室温下,将竹炭微粉、分散剂、催化剂分别加入到二氧化锆溶胶中,搅拌0.5～4小时,然后于100～200℃烘干,研磨成粉,得碳化锆前驱体;3)将碳化锆前驱体置于真空烧结炉中,在1600～2200℃下加热1～10小时;冷却后,即得碳化锆微粉。采用本发明的方法制备而得的碳化锆微粉具有粒径均匀可控的特点。

塑料模具钢及其制备方法 1103     

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本发明公开了塑料模具钢及其制备方法，其制备方法包括：将Nb‑Ta‑Zr合金、Cu‑0.7Cr‑0.8Hf合金与与成分优化后的P20钢，不含Ni与V，真空熔炼，精炼，真空脱气，浇注钢锭；钢锭加热锻造成锻坯；锻坯回火处理；上述Nb‑Ta‑Zr合金经真空熔炼，热锻，热轧，固溶工序加工制得；上述Cu‑0.7Cr‑0.8Hf合金经真空熔铸，热轧，固溶，冷轧，时效工序加工制得；该塑料模具钢硬度高且具有优异耐磨性，淬透性，耐腐蚀性的塑料模具钢。

用于深空探测的高真空分离电连接器 1057     

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一种用于深空探测的高真空分离电连接器，属于航天电连接器技术领域，采用线包在插座上、撞柱在电分离条件下触发推动插头拉杆的结构方式实现分离；采用质轻材料的壳体、电缆罩和接触件等零件完成装配；采用接触阻力更低的接触件和分离动力更高的分离弹簧，以提高分离动力与分离阻力比系数；采用压接式接触件，避免低温对焊接式触点的影响；采用高真空专用润滑脂，以减小摩擦阻力。该插头使用时方便可靠，满足了深空探测环境中的新要求以及线包安装在电连接器插座中的结构需求。

用于真空烧结的插板阀 1061     

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本实用新型公开了一种用于真空烧结的插板阀，包括阀体、阀芯、驱动单元，驱动单元与阀芯的第一端相连并驱动阀芯沿阀体内部移动，阀体的第一端设有阀口，阀体第一端内壁设有撞块，阀芯包括阀板、阀架、顶轮、安装块和若干拉簧，阀架上安装有转轴，转轴与安装块之间通过转动连杆转动连接，转轴的两端与阀体滑动连接，拉簧的上端与阀架相连，阀板底部安装有第一环形密封圈，当顶轮抵住撞块驱动单元驱动阀架向前移动时转动连杆绕转轴转动使得阀板向下运动密封住阀口并拉伸拉簧，当驱动单元驱动阀架向后移动时拉簧复位使得阀板向上运动脱离阀口。本实用新型具有阀芯与阀体采用上下运动密封方式，减少阀板与阀体的摩擦作用，提高使用寿命等优点。

高功率因素节能型真空烧结电源 1088     

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本实用新型公开了一种高功率因素节能型真空烧结电源，包括测温传感器、温控器、加热器和高频逆变开关整流电源模块，所述测温传感器与加热器相连并检测加热器的温度，测温传感器与温控器相连并向温控器反馈温度检测信号，所述温控器与高频逆变开关整流电源模块相连并输出控制信号给高频逆变开关整流电源模块，所述高频逆变开关整流电源模块包括不可控全桥整流电路、IGBT全桥逆变电路、高频隔离变压器，高频逆变开关整流电源模块与3相380V电源、单相220V控制电源相连，高频逆变开关整流电源模块输出低压高频直流电给加热器并控制加热器工作情况。本实用新型具有体积小无需外置变压器，产生谐波小，功率因素高，减少用电量，节能等优点。

降温速率可控式真空烧结炉及其控制方法 711     

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本发明公开了一种降温速率可控式真空烧结炉及其控制方法，所述系统包括炉体和保温室，保温室设置有进气口和出气口，炉体上设置有通入到炉体内的冷却管和扇叶设置于炉体内的变频风机，冷却管连通有进液管和出液管，变频风机耦接有温控系统，温控系统包括：测温装置一，检测并输出进液管管内的进液温；测温装置二，检测并输出出液管的出液温；测温装置三，检测并输出保温室内的室内温；控制器，耦接于测温装置一、测温装置二、测温装置三和变频风机，根据接收到的进液温、出液温和室内温控制变频风机按照预设的温控曲线调控变频风机的转速，温控曲线与室内温、预设热量吸收速度值相关联；具有对炉体和保温室内降温速率可控的优点。

基于调度与控制器参数动态重构的磁粉真空烧结装置网络化控制方法 868     

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基于调度与控制器参数动态重构的磁粉真空烧结装置网络化控制方法，包括以下步骤：1)、根据实际工况对控制对象的模型进行辨识得到对象模型参数；根据系统IAE性能指标参数设置调度器阈值、调度策略、系统采样周期、系统传输周期初始值，采样序列和更新序列，系统模型为(1)；2)、根据当前的网络服务质量动态重构通信序列并在线解析计算控制器参数；3)、由D/A转换后输出至执行器，由执行器作用到被控对象,使被控对象运行在给定的范围内。本发明可根据网络实时状态进行控制器参数动态重构的单一控制器，克服原有控制器结构复杂并受通信序列传输周期约束问题，避免多个控制器周期性切换，方便被工程技术人员掌握和推广使用。本发明可有效改善网络环境，提高网络利用率及系统的整体性能。

捕蜡装置以及应用该装置的真空烧结炉 1110     

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本发明公开了一种捕蜡装置以及应用该装置的真空烧结炉，解决了抽气泵抽离烧结炉中的蜡蒸汽后对设备损坏的问题，其技术方案要点是，通过外管和置于外管内的冷却管以及积留片而形成捕蜡装置，将蜡进行冷凝凝结，从而将炉内抽出的气体中的蜡成分进行去除，达到了保护设备的目的。

易拆装的预制棒真空烧结炉电极绝缘密封装置 761     

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本实用新型公开了一种易拆装的预制棒真空烧结炉电极绝缘密封装置，包括真空烧结炉、电极、石墨连接件、进水管和第二法兰，真空烧结炉包括炉壁、石墨保温件、炉芯管，炉壁、石墨保温件上分别安装有第一法兰、石墨连接套，电极左端用导电连接件和石墨连接件相连，电极和第二法兰之间设有若干电极绝缘件，石墨连接件与加热器连接件相连，导电连接件外沿套设有第一绝缘件，石墨连接套外沿接有辐射隔离件，电极右端密封连接有与冷却水管连接装置，进水管左端插入电极内部使得进水管、冷却水管连接装置、电极和出水管之间形成有冷却水流通道，第二法兰和第一法兰密封相连。本实用新型具有密封、防漏水、隔热和绝缘效果好，整体拆装维护方便等优点。

钐钴真空烧结炉及其应用方法 983     

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本发明涉及永磁材料制备领域，公开了一种钐钴真空烧结炉及其应用方法，该钐钴真空烧结炉包括：炉体以及设于炉体外与炉体连通的换热冷却机构，炉体内设有旋转底盘、位于旋转底盘上方且可升降的烧结保护罩；炉体外设有驱动机构；炉体上设有保护罩升降机构；烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下形成有通气结构。本发明真空烧结炉可有效抑制钐挥发并提高烧结冷却均温性，具有操作便捷、冷却均匀、节能环保的特点，可解决生产效率无法满足需求的问题。