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本申请公开了一种DLL失效的检测方法及装置，通过当前的DLL，获取并存储目标进程的数据信息，所述数据信息包括当前账户信息，当前账户信息为在当前的DLL注入时，目标进程中登录的账户信息，然后接收定时线程发出的账户更新信号，并在接收到所述账户更新信号时，判定当前的DLL已失效，其中，定时线程位于目标进程中，用于获取目标进程在运行过程中登录的最新账户信息，并在最新账户信息与当前账户信息不一致时，发出账户更新信号。上述方法中，针对存在账户登录的客户端进程，能够实时检测是否已切换账户登录，进而判断出当前的DLL是否已失效，有效防止上网行为管理设备接收到错误的数据，提高对客户端上网行为审计的准确度。
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本实用新型涉及一种检测电路。一种用于DOHERTY功率放大器中器件失效检测的电路,其特征是它包括微控制器(1)、第一电阻(2)、第二电阻(3)、第三电阻(4)、输入功率检波电路(5)、输出功率检波电路(12);第一电阻(2)的输入端接待检测的DOHERTY功率放大器中的峰值放大器(10)的栅极供电端,第二电阻(3)的输出端同时连接DOHERTY功率放大器中的峰值放大器(10)的输入端;输入功率检波电路(5)的输入端接DOHERTY功率放大器中的输入功分器(6)的-90°耦合输出端,输出功率检波电路(12)的输入端接DOHERTY功率放大器中的输出功率耦合电路的耦合输出端。本电路很好的解决了DOHERTY功率放大器中器件失效检测的问题,又能做到成本较低,同时又能保证功放工作可靠、稳定。
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本发明提供一种具GOA电路失效检测功能的显示面板。所述显示面板设置有若干个级联的GOA电路单元，这些GOA电路单元被分成若干个GOA电路单元组，每个GOA电路单元组中的最末一级的GOA电路单元与一测试线连接。本发明能够以一个GOA电路单元组为单位，检测其内的GOA电路单元是否失效，提高GOA失效检测的精确性。
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本发明公开一种发动机湿式正时皮带的失效快速检查方法及测量装置，方法包括：基于皮带的老化程度与宽度的正相关性，构建皮带的老化程度与宽度的对应关系数据库；获取皮带的宽度，遍历构建的对应关系数据库得到对应的皮带老化程度；根据得到的皮带老化程度，判断皮带的失效状态。测量装置包括支撑杆、滑杆和连杆测量组件。该方法无需要拆解正时皮带及周边相关零件，仅需要打开机油加注盖，用专用测量测量装置对正时皮带宽度进行检查，工时大大缩短，维护成本低。
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本发明提供了一种车辆底盘紧固连接系统失效检测方法及装置，该方法包括以下步骤：在螺栓端部中心钻孔，将电阻式应变片固定在该孔内；检测电阻式应变片的电阻值变化量，根据电阻值变化量计算螺栓的应变值，进而根据螺栓的应变值计算出螺栓的伸长量；根据螺栓的伸长量计算螺栓对连接件的夹紧力：根据夹紧力判断底盘紧固连接系统是否失效。本发明在螺栓端部中心钻孔，并将电阻式应变片固定在该孔内，进而通过检测电阻式应变片的阻值变化，计算得到车辆底盘紧固连接系统的夹紧力，以此判断底盘紧固连接系统是否失效；如检测到连接系统失效或异常值时，及时通过向驾驶员预警或主动干预，避免造成更为严重的后果。
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本发明实施例提供一种车辆失效场景检测方法及系统，该方法包括：在车辆的行驶过程中，通过安装于所述车辆的控制系统采集所述车辆的周边环境数据，并同时通过安装于所述车辆的视频采集设备采集行车视频数据；将所述周边环境数据与所述行车视频数据进行同步比对，并基于比对结果获得所述控制系统的失效场景检测结果。本发明实施例中的上述过程可自动实现比对，所需时间显著少于现有技术中的人工比对方式的时间，有效提高检测效率。
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本实用新型提出了一种开关电源失效器件检测系统，包括：电源、信号采集PCB第一电路、振荡电路、ARM微处理电路以及显示电路；所述电源通过依次串联的信号采集PCB第一电路、振荡电路以及ARM微处理电路与显示电路输入端连接。本实用新型通过结合集PCB第一电路以及振荡电路，将信号采集到的波纹电压进行偏置、放大，滤波处理后，通过振荡电路检测各器件的频率和相位差，根据频率和相位差来判断开关电源中电解质电容器件是否失效，通过振荡电路，不仅提高了检测精确度，也提高了检测效率。
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本发明公开了一种检测蓄电池失效的方法和装置，属于蓄电池技术领域。所述方法包括：以设定的时间间隔测量蓄电池两端的电压；确定蓄电池在设定开关导通时的瞬时电压，设定开关为汽车上的点火开关或者不间断电源UPS内控制蓄电池供电的继电器；当设定开关连续多次导通时的瞬时电压随确定时间的推进而降低，且最后一次确定的瞬时电压小于蓄电池的标准电压的80％时，确定蓄电池失效。本发明直接在蓄电池的使用过程中测量电压并根据电压的变化趋势判断蓄电池是否失效，可以检测适用于汽车上的蓄电池和UPS内的蓄电池是否失效。
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本发明涉及集群存储领域，提供一种适应于大规模存储集群的失效检测方法，该方法在存储集群系统中设置有失效检测模块，该方法采用的失效检测故障模型为失效/恢复模型，该方法采用的失效节点信息的传播机制为永久免疫传染病的传播模型。使用本发明方法使得失效检测时间与存储集群规模无关，并具有良好的扩展性，保证在大规模存储集群且不断变化的情况下保持稳定的低负载。
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一种分布式计算环境通用监测系统，包括，连通性监测系统，其包括设置于客户端上的连通性监测模块、设置于服务器上的连通性应答模块，以及连接连通性监测模块与连通性应答模块的连通性监测通道，且所述连通性监测系统用于检测网络互连环境或服务器是否连通；服务有效性监测系统，所述服务有效性监测系统包括设置于客户端上的心跳监测模块、设置于服务器上的心跳应答模块以及连接心跳监测模块与心跳应答模块的心跳监测通道，所述服务有效性监测系统用于检测服务器是否失效。避免人工干预与故障判断的低效与迟滞，充分发挥集中式中央局大型设备的能力，提高其可用性，保障运营商的投资效益。
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本发明属于轧辊检测技术领域，公开了一种轧辊潜在失效检测与剩余使用寿命预测专家系统，检测模块进行轧辊二维图像的采集、处理，进行轧辊内部缺陷三维形貌图像的特征提取与分类；预测模块根据不同的缺陷对轧辊的剩余使用寿命影响程度不同，确定不同缺陷的权重系数，进行轧辊剩余使用寿命预测。本发明提高了缺陷检测的灵敏度、结果的可靠性和准确性；设定影响轧辊失效的主要缺陷形式和不同缺陷对应的主要图像特征值，并将其输入专家系统，得到不同缺陷对应的发展阶段，并结合浴盆函数，评估轧辊的剩余使用寿命，减少了技术人员的工作量，提高了寿命预测的准确度，并设置时间点对轧辊进行动态监测，为轧辊的再制造和更换提供了准确的依据。
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本发明提供了一种GOI失效点的检测方法，包括：提供待测样品，待测样品包括衬底，衬底的表层包括多个浅沟槽隔离层及由浅沟槽隔离层隔离的多个实体部；覆盖表层的栅氧化层；位于栅氧化层背离衬底一侧的半导体层；及位于半导体层背离衬底一侧的金属连线层；将衬底背离栅氧化层一侧减薄，直至裸露浅沟槽隔离层；采用电子束照射衬底的裸露所述浅沟槽隔离层的一侧，并基于电压衬度分析法检测待测样品的GOI失效点。将衬底进行减薄直至裸露实体部，从而获取衬底裸露实体部一侧的电压衬度图像；由于无任何结构层对该实体部背离栅氧化层一侧进行遮挡，使得获取的电压衬度图像更加精确，进而保证基于电压衬度分析法对GOI失效点的检测更加精确。
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本发明涉及交通设备技术领域，其目的在于提供一种轨道交通标识灯箱锁具失效的检测方法及检测系统。本发明包括一种轨道交通标识灯箱锁具失效的检测方法，包括以下步骤：S1：检测电路检测锁具的锁定状态，并在锁具的工作状态发生改变时，发送提示信号至合锁确认电路；S2：合锁确认电路接收提示信号，然后判断锁具的锁定状态是否异常，若是则进入步骤S3，若否则返回步骤S1；S3：合锁确认电路发送告警信号至告警电路；S4：告警电路接收告警信号，然后发出告警信息。本发明还包括一种轨道交通标识灯箱锁具失效的检测系统，包括：检测电路、合锁确认电路和告警电路。本发明能够实时得知灯箱标识锁具开合状态，并在锁具出现异常锁定状况时及时报警。
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本申请实施例公开了一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，其中，所述晶片的获取方法包括：在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。
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本发明涉及一种目标晶粒的区分方法及封装芯片的失效分析方法，所述目标晶粒的区分方法包括：获取具有多颗晶粒的样品，其中至少一个晶粒为目标晶粒，且至少暴露各晶粒边缘的部分切割道区域；确定所述目标晶粒在所述样品中的位置；通过在部分晶粒边缘的切割道区域内形成激光标记，以区分所述目标晶粒和所述目标晶粒以外的晶粒；将所述多颗晶粒分离；根据各晶粒边缘的切割道区域内是否形成有所述激光标记，分辨出其中的目标晶粒。上述目标晶粒的区分方法能够提高区分效率，并且避免对目标晶粒造成损伤。
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本发明提供一种TEM样品的制备方法和失效分析方法，其在衬底上进行失效区的粗略定位后切出包含失效区的初始样品，再用TEM对初始样品中的具体失效点进行精准定位并减薄所述初始样品形成最终样品，即可供TEM电子穿透的TEM样品。如此一来解决了传统技术中FIB机台分辨率不足，无法对半导体内部厚度足够小的特定层的失效点精准定位，并制造出TEM样品的技术问题。
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本申请涉及一种识别转向节多轴断裂失效的分析方法，涉及汽车零部件结构强度分析领域。本分析方法为首先建立整车动力学模型，获取转向节在过横沟误用工况下的理论载荷数据，然后进行贡献度分析，确定造成转向节断裂的贡献度最高的三个目标载荷分别为上球头Y向力、下前球头Z向力和转向拉杆点Y向力，随后获取实际整车在过横沟误用工况下的上球头Y向力和转向拉杆点Y向力，对整车动力学模型进行修正以确定下前球头Z向力，复现断裂以得到转向节的结构强度参数，进行可靠度计算分析，以判断可靠度是否达标。本申请提供的分析方法解决了相关技术中对转向节断裂失效不能进行准确分析而导致转向节可靠度低及影响其使用性能的问题。
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本发明实施例公开了一种用于失效分析的芯片样品制作方法，将辅助支架围绕芯片设置，在辅助支架的围绕所述芯片的空间内填充固定粘接剂，能够保证芯片在研磨过程中不会发生移动，避免研磨不均匀，提高芯片样品制备成功率；辅助支架的高度要高于引线的最高点高度，可以增加对引线的保护，便于制样成功后直接进行芯片背面失效分析。进一步的，对芯片背面进行化学研磨时配置的研磨抛光液，可以提升研磨效率，节约研磨时间，而且不会和固定粘接剂进行化学反应，避免反应堆积物引起的芯片破损，最终获取均匀、完整、光洁的芯片样品表面，提高了无损制样的成功率。
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本发明涉及一种存储器芯片的失效分析方法，包括：确定失效点所在的热点区域；确认存在漏电的字线；对所述存在漏电的字线施加偏压，同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度，直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线；对所述失效位线进行失效分析。上述方法能够提高失效分析效率。
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本发明提供了一种芯片固定装置及制备失效分析样品的方法，通过将芯片样品贴附于芯片固定装置上，通过固定芯片样品提供化学研磨过程中需要的反摩擦力和反离心力，实现自动化学研磨，从而实现批量自动制备失效分析样品，提高了失效分析样品预处理的效率，提高了失效分析样品制备的成功率，同时节省了人力资源；同时，在压力调节装置中设置有弹簧，通过调节阀调节弹簧的松紧，从而调节施加在化学研磨平台上的压力，实现化学研磨速度的调节，提高了化学研磨的效率。
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本公开实施例公开了一种物理失效分析样品及其制备方法，所述方法包括：提供待分析结构；其中，所述待分析结构包括相对设置的第一表面和第二表面，失效区域位于所述第一表面和所述第二表面之间；在所述待分析结构的第一表面形成凹槽；其中，所述凹槽包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁覆盖所述失效区域；在所述第一侧壁与所述失效区域之间的相对距离小于预设距离时，轰击所述第二侧壁的组成粒子；其中，被轰击的至少部分所述组成粒子溅射至所述第一侧壁，形成覆盖所述失效区域的第一保护层。
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本申请提供一种封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法。该用于半导体晶粒测试的封装管壳包括：壳体和连接引脚；其中，壳体用于将半导体晶粒收容在其内；壳体包括对应半导体晶粒的正面的第一观测窗和对应半导体晶粒的反面的第二观测窗；连接引脚用于与收容在壳体内的半导体晶粒形成连接，在封装管壳通过连接引脚在第一方向上插设在插槽中进行测试时，通过第一观测窗定位半导体晶粒正面的热点；在封装管壳通过连接引脚在第二方向上插设在插槽中进行测试时，通过第二观测窗定位半导体晶粒反面的热点。该封装管壳能够使定位半导体晶粒正反面的热点的过程较为简单，耗时较短，有效缩短了产品的测试周期，提高了产品的测试成功率。
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本发明特别涉及一种橡胶材料的失效分析方法，属于失效分析技术领域，通过扫描电子显微镜分析、溶胀指数分析、红外光谱分析和GC‑MS分析等一系列定性和定量的材料失效分析手段的协同组合，形成一种拓扑分析的失效分析方法，采用多步骤组合、递进，准确找到汽车用减震橡胶件的橡胶材料破损的失效原因，可对各类橡胶材料分析失效原因，不受橡胶材料的限制，逻辑清晰，大幅缩短失效试验的人力、物力投入，提升质量整改效率。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的失效分析方法。所述三维存储器的失效分析方法包括如下步骤：提供一存储区域，所述存储区域包括多条平行设置的阵列共源极，相邻阵列共源极之间具有插塞，所述插塞的端部用于与字线电连接；获取与失效字线电连接的目标插塞的位置；形成连接线于所述存储区域，所述连接线电连接所述存储区域内的所有阵列共源极；分别引出所述目标插塞与一所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部，以对所述失效字线进行热点定位分析。本发明提高了三维存储器在失效分析过程中热点定位的准确度和定位的效率，确保了三维存储器失效分析结果的可靠性。
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本发明涉及半导体缺陷分析技术领域，尤其涉及一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法，首先在一个预设电压的条件下筛选出具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构，然后对该具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构进行操作，先研磨掉金属互连层，然后用扫描电镜电压对比方法确定栅氧化层缺陷位置，再依次去除互连线、介电层和栅极，并在剩下的栅氧化层上沉积一层与栅氧化层透射电镜衬度对比度较大的衬度对比层，在有问题的栅极区域进行透射电镜样品制备，最后通过透射电镜来进行分析。通过该方法可以清晰的观察栅氧化层缺陷原貌，为查找栅氧化层制程工艺缺陷提供有力的依据和方向。
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本发明涉及一种激光器芯片失效定位分析样品制备方法及中间件。该方法及中间件连带热沉一同取下，在芯片周围粘接垫脚用作保护，通过研磨的方式去掉热沉，持续研磨去除衬底处金层，至芯片衬底完全露出，适用于多种封装形式的半导体激光器芯片，也适用于不同材料体系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半导体激光器芯片，该方法可直接对百um量级微小易碎的激光器芯片进行制样，无需采用各种精密的微纳米加工设备。注重对样品保护，可有效避免在失效样品取样过程中或制样过程中的样品损伤。制样完成后探测点在同一平面上，便于加电测试。采用的可清洗粘接剂，样品可取出，利于后续其他分析。
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本发明提供了一种封装器件的失效分析方法，包括：提供一包括自下向上的封装基体层、芯片主体层和封装盖板层的封装器件，封装基体层中的每条导电线路与对应的外接测试点电性连接，芯片主体层中的每个焊盘与对应的导电线路电性连接；获取每个焊盘通过对应的导电线路与对应的外接测试点之间的电性连接关系；通过外接测试点对芯片主体层进行电性测试，以获取电性测试出现异常的电性连接关系；以及，根据电性测试出现异常的电性连接关系，抓取芯片主体层中的热点，并在芯片主体层的顶表面标记热点的位置。本发明的技术方案使得能够在无损的条件下快速且准确地找到热点的位置，进而使得能够对芯片主体层进行快速且有效的失效分析。
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本申请实施例公开了一种晶圆的失效分析方法，包括：在所述晶圆的切割通道中，确定出目标测试区域，所述晶圆包括叠设的驱动晶圆层和阵列晶圆层，所述阵列晶圆层包括位于所述驱动晶圆层之上的堆叠层和位于所述堆叠层背离所述驱动晶圆层一侧的衬底，所述目标测试区域包括贯穿所述阵列晶圆层的贯穿触点以及形成于所述驱动晶圆层内且位于所述贯穿触点下方的测试结构；对所述贯穿触点的表面进行保护处理，得到保护处理后的晶圆；对所述保护处理后的晶圆中位于所述阵列晶圆层中的所述衬底进行刻蚀，得到刻蚀处理后的晶圆；对所述刻蚀处理后的晶圆进行失效分析。
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本发明公开了感温包的失效检测装置、失效检测方法及空调，失效检测装置包括：监测感温包的测量温度的下位机、根据下位机上传的数据判断感温包是否合格的上位机。空调启动后，若在预设时间内测量温度变化的绝对值未超过预设值，则上位机判断感温包不合格；若在预设时间内测量温度变化的绝对值超过预设值，则上位机判断感温包合格。本发明自动化程度高，有效提高检测效率，提升产品质量。
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2025年03月21日 ~ 23日 
2025年03月28日 ~ 30日 
2025年03月28日 ~ 30日 
2025年03月28日 ~ 30日 
2025年04月27日 ~ 29日 
