北京北京有色金属真空冶金技术理论与应用

低品位氧化铅锌矿的冶炼系统 686     

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本实用新型提供了一种低品位氧化铅锌矿的冶炼系统。该冶炼系统包括：预氧化反应装置和真空还原挥发单元，预氧化反应装置设置有第一加料口和排渣口，第一加料口用于向预氧化反应装置中加入低品位氧化铅锌矿，同时通入空气或富氧空气；真空还原挥发单元设置有第二加料口、还原剂入口、含有氧化锌和氧化铅的烟气出口，其中第二加料口与排渣口通过排渣管路连通。上述冶炼系统不仅能适用于低品位氧化铅锌矿，而且相比于单一的熔炼装置还有利于提高铅元素和锌元素的提取效率。

用硅热法从硼泥中提取金属镁 819     

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一种从硼泥中提取金属镁的方法,以石灰石、萤石为造渣剂,硅铁为还原剂,硼泥及石灰石先经焙烧,然后将上述原料粉碎后均匀混合,压成团块,在真空还原罐中加热进行还原反应,即可在还原罐的出口处得到金属镁蒸汽,冷凝后即得到结晶金属镁。用本法可将硼泥中的镁还原60%,其纯度可达99%。用本法还原硼泥后所产生的还原渣,可用来制作免烧砖,彻底解决了硼泥废料的污染环境问题。

低品位铅锌矿的锌元素的提取系统 984     

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本发明提供了一种低品位铅锌矿的锌元素的提取系统。该提取系统包括真空还原冶炼单元和白铅矿供应装置。真空还原冶炼单元设置有加料口和锌蒸气出口，加料口用于添加白铅矿、还原性燃料和低品位铅锌矿；白铅矿供应装置设置有白铅矿供应口，白铅矿供应口与加料口连通。相比于其他提取金属锌和金属铅的装置，采用低品位氧化铅锌矿为原料制备金属锌和金属铅时制备成本更加低廉，有利于我国低品位氧化铅锌矿的利用与开发。采用上述提取系统将低品位氧化铅锌矿中的锌元素以锌单质的形式富集分离出来，原料中锌元素的还原挥发率可达到99％左右，同时还得到含铅炉渣。

低品位铅锌矿中锌元素的提取方法 862     

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本发明提供了一种低品位铅锌矿中锌元素的提取方法。该提取方法中使用的装置包括真空还原冶炼装置，低品位铅锌矿中的铅元素和锌元素的总含量低于20wt％，且锌元素和铅元素以硅酸锌、碳酸锌、硫化锌、碳酸铅和硫化铅共生的形式存在，提取方法包括：在真空还原冶炼装置中，将低品位铅锌矿、还原性燃料和白铅矿进行还原冶炼，得到金属锌和含铅渣。相比于其他原料制备金属锌和金属铅，本发明采用低品位氧化铅锌矿为原料制备金属锌和金属铅，这有利于大幅降低制备成本。且通过上述提取方法，将低品位氧化铅锌矿中的锌元素以锌单质的形式富集分离出来，原料中锌元素的还原挥发率可达到99％左右。

低品位氧化铅锌矿的冶炼系统及冶炼方法 783     

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本发明提供了一种低品位氧化铅锌矿的冶炼系统及冶炼方法。该冶炼系统包括：预氧化反应装置和真空还原挥发单元，预氧化反应装置设置有第一加料口和排渣口，第一加料口用于向预氧化反应装置中加入低品位氧化铅锌矿，同时通入空气或富氧空气；真空还原挥发单元设置有第二加料口、还原剂入口、含有氧化锌和氧化铅的烟气出口，其中第二加料口与排渣口通过排渣管路连通。上述冶炼系统不仅能适用于低品位氧化铅锌矿，而且相比于单一的熔炼装置还有利于提高铅元素和锌元素的提取效率。

复杂形状生物医用多孔钛钼合金植入体的制备方法 570     

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本发明提供了一种快速制备复杂形状生物医用多孔钛钼合金植入体的方法,属于生物医用多孔金属材料制备技术领域。采用钛、钼金属元素粉末与有机高分子粉末的混合物为原料,通过三维建模、选择性激光烧结快速成形、热脱脂和真空烧结等工艺,制备出生物医用多孔钛钼合金植入体。该工艺步骤简单,周期短,材料利用率高,成本低,便于制造任意复杂形状的多孔钛合金植入体,对植入体的个性化设计和快速制造更具有效率和经济优势。该工艺制备的钛钼合金材料孔隙均匀,孔隙率、开孔率和孔径可调节范围广,弹性模量和抗压强度与自然骨非常接近,可满足作为生物医用材料所需要的生物力学相容性要求。

大尺寸稀土烧结磁体的磁场凝胶注模成型方法 1044     

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一种大尺寸稀土烧结磁体的磁场凝胶注模成型方法,属于粉末冶金成型技术领域。将丙烯酸羟乙酯溶于甲苯,制成5～50VOL.%均一稳定的预混液;向预混液中加入分散剂后,于真空操作箱中AR气氛下与磁粉混合;将所得混合料球磨2～24小时;加入引发剂后,将浆料室温真空除泡5～30分钟;将浆料注入模具中,之后加热模具至40～80℃,在磁场中保温约30～150分钟后脱模,真空干燥,得到稀土磁体坯体;坯体经真空烧结、热处理,获得稀土烧结磁体。优点在于:提高磁取向度从而获得高的磁性能,提高磁取向度从而获得高的磁性能,成型过程不需要大型设备,操作简便,可以在较低成本的前提下同时满足大尺寸、复杂形状的要求。

金属电解精炼用的粉末冶金阴极母板及其制造工艺 755     

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本发明为电解精炼铜、镍、钴等有色金属用的阴 极母板及其制造工艺。本发明的复合阴极母板克服 了铜、不锈钢和熔炼变形钛板制成的阴板母板的缺 点，同时又保留了铜、钛用于阴极母板的优点，导电率 高，与导电耳环保持良好电连接，易剥离种板，耐腐 蚀，种板产片率高。对该种母板采用了等静压成型一 热轧工艺，不需要大规格粉末轧机和真空烧结炉，适 用于较大规格复合阴极母板的制造。

具有中空内部结构增压涡轮的近终成形方法 856     

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一种具有中空内部结构增压涡轮的近终成形方法，将雾化高温合金粉末与石蜡基粘结剂进行混炼，制成流变性能均匀的喂料。对中空内部结构简单的涡轮，喂料在注射成形机上直接成形就得到中空结构涡轮坯体。对中空内部结构复杂的涡轮，先将聚苯乙烯注射成形为与内部结构形状相同的模芯，然后将其嵌入模具中，注射成形后得到带有模芯的涡轮坯体，接着在三氯乙烷中浸泡后将模芯完全溶解，得到中空结构涡轮坯体。涡轮坯体在溶剂脱脂和热脱脂后进行真空烧结，烧结坯采用无包套热等静压致密化，最后经过固溶和时效处理就得到中空结构增压涡轮。该发明解决了复杂形状增压涡轮近终成形的难题,所得涡轮接近全致密、组织结构均匀、综合力学性能优于铸造涡轮。

低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法 695     

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一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法，属于光学镀膜材料技术领域。按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1：0.3～1:3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。制备的低价态氧化钽光学镀膜材料用于生产光学元件。本发明的优点是在五氧化二钽中加入一定量金属钽粉，经成型造粒或压片，真空烧结，形成低价态的稳定氧化钽，可在大气中长期存放，不会发生价态的变化，这样就解决了真空烧结五氧化二钽在大气中不稳定的问题。

高孔率微孔网状多孔钨结构及其制备方法 856     

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本发明涉及一种高孔率(指孔率在70%以上)微孔网状多孔钨结构,该结构中的孔隙主要由尺度在几个微米量级的微孔所组成。孔隙之间相互连通,孔率高于70%。这种多孔钨结构的制备方法是以通孔有机泡沫为载体,采用灌浆干燥的方式获取毛坯,然后进行高温真空烧结而成。其中料浆由钨粉和无毒性有机黏结剂组成,黏度用去离子水调节。

锡酸镉靶材及其制备方法 883     

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本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料，采用热压烧结工艺，不添加任何添加剂，并且在热压工艺中采用两段式温度，进行低温真空烧结，高温氩气保护烧结，制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。该靶材中Cd2SnO4含量大于95w％，相对密度达到80～95％，电阻率达到1～6×10-4Ω·cm。

烧结卡具、压接式IGBT模块单面烧结方法及制得的子模组 688     

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本发明提供了一种压接式IGBT模块单面烧结一致性的方法，该方法包括：从下至上将钼片、焊片和IGBT芯片组装到烧结卡具中、组装限位销压制压片和用连续真空烧结炉烧结构，制得压接式IGBT模块单面烧结连接结构。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法将待烧结零件与卡具之间的接触关系由面接触转变为点接触，解决了烧结过程中焊料溢出损害卡具以及工件无法取出的问题，改善了烧结过程中焊料的溢出，确保了烧结后工件的高度一致性。

降低烧结温度制备高磁性烧结钕铁硼的方法 822     

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一种降低烧结温度制备高磁性烧结钕铁硼的方法，属于稀土磁性材料技术领域。本发明将钕铁硼磁粉与适量的磷粉或磷的金属化合物粉在氩气保护介质中混合均匀，再进行取向压型和冷等静压，最后在真空烧结炉中1000-1080℃烧结1-3h，再经过850-900℃一级回火1-3h和480-550℃二级回火1-3h，制备得到高磁性烧结钕铁硼材料。材料中的P起到降低烧结温度，抑制晶粒长大的作用，从而提高磁体的矫顽力；同时，Co2P、GaP、CuP等化合物中Co、Ga、Cu等合金元素存在可部分取代Fe，有利于降低基体相的饱和磁化强度，改善组织结构，提高矫顽力。采用本发明方法制备的烧结钕铁硼材料，可广泛应用于钢铁、冶金、能源等机械装备中，特别适合要求高温环境的场合。

制备高导热性铝-金刚石双相连续复合材料的方法 969     

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本发明的一种制备高导热性铝-金刚石双相连续复合材料的方法是将金刚石颗粒与铝规则排布,使在导热方向上金刚石颗粒连续接触;对排布好的坯体进行致密化处理;对致密化处理后的坯体进行烧结。所述致密化处理包括冷等静压、软膜压制、刚模压制,轧制、挤压。所述烧结包括保护气氛烧结、真空烧结、热压、热等静压、放电等离子体烧结。本发明的优点在于:能够制备出致密度较高,组织均匀,物相稳定,导热性高的复合材料。金刚石连续接触方向上导热系数是其他方向上的3倍。本发明率先使用铝和金刚石制备双相连续的复合材料,降低了成本并提高了导热材料的性能。不仅对导热材料制备具有创新性意义,而且对于复合材料领域的理论与实践也具有推动作用。

颗粒增强铝基复合材料及其零部件和零部件的近净成形工艺 1053     

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本发明涉及颗粒增强铝基复合材料及其零部件和零部件的近净成形工艺。本发明的复合材料中增强体颗粒平均粒度为0.1～3.5μm,体积百分比为10～40%,增强体与基体之间形成物理或化学冶金的界面结合且均匀分布。其坯锭的制法为将增强体粉末、铝基合金粉末加入到球磨筒中进行变速高能球磨,最后,再加入微量液态表面活性剂在15～80℃范围内球磨,球磨结束后制得的复合粉末经冷等静压以及随后的真空烧结或真空热压成形获得坯锭,坯锭经过半固态触变成形后获得复杂形状的零部件,可应用于航空航天、半导体、电子、汽车等领域。本产品性能优异、易切削、质量稳定、零件近净成形、具有较高的性价。

固体片式钽电解电容器及其制造方法 996     

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本发明公开一种固体片式钽电解电容器及其制造方法。属于电子元器件领域。方法包括:按6.0～8.0克/CC的压制密度将比容为6000～10000UUF.V/G、击穿电压达到240V的片式钽粉末压成带钽丝引出线的坯块,对坯块在1600～1800℃温度,真空度达到5×0.0004PA的条件下进行真空烧结,对烧结后的坯块在出炉时进行钝化处理;在60～85℃温度下,将烧结后的坯块放入装有磷酸乙二醇体系的电解液形成槽内,使用直流电压在坯块表面生成耐压达到63V额定电压要求厚度的介质层;将生成介质层的所述坯块,采用反复浸渍法使用硝酸锰溶液在坯块表面形成二氧化锰层作为阴极,并形成阴极引出层;将所述坯块的钽丝引出线粘结到对应壳号的外壳金属框架引线上,封装后即得耐压可达63V钽电解电容器。

铬基合金耐热滑块及制备方法 939     

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本发明涉及一种铬基合金耐热滑块及制备方法，属于粉末冶金高温材料技术领域。本发明的铬基合金化学成分(wt％)为：Fe 11.0～20.0％、Si 0.5～2.0％、Mo 3.1～5.0％、C≤0.05％，余量为Cr。本发明以铬粉、低碳铬铁粉、硅铁粉、钼粉为原料，经球磨混料、冷等静压成型、真空烧结近净成形制备铬基合金耐热滑块。本发明铬基合金具有优异的高温强度和抗氧化性能，耐热滑块制造技术节能环保，在其它高温环境使用的部件也可推广应用。

WP/Al复合材料与Al2O3陶瓷的焊接方法 916     

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本发明提供一种Wp/Al复合材料与Al2O3陶瓷的焊接方法，包括以下步骤：(1)将Wp/Al复合材料表面打磨、除油、见光，用去离子水洗涤；(2)将处理后的Wp/Al复合材料放入浸锌液中进行浸锌预处理；(3)采用磁控溅射法在Wp/Al复合材料表面溅射厚度为0.5～2μm的金属沉积层；(4)将表面镀有Au层的Al2O3陶瓷、Au-Sn焊料和步骤(2)中得到的具有金属沉积层的Wp/Al复合材料依次叠放，一并放入真空烧结炉中进行真空焊接，焊接温度为310～350℃，保温时间为3～10min，然后降温至50℃以下出炉。本发明有效解决了高体积分数的Wp/Al复合材料与钎焊料润湿性不好的问题，焊接后复合材料与Al2O3陶瓷形成了有效焊接。

铁铝基金属间化合物微孔过滤元件的制备方法及用途 900     

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本发明属于粉末冶金制备领域，特别涉及应用于 含有腐蚀性组分的高温气体的净化过滤和除尘工艺或系统中 所用的金属微孔过滤元件的制备方法及用途。该方法首先将上 述原料投入真空冶炼炉中熔炼；将熔炼后的 Fe3Al采用高压水雾化工艺制 粉，雾化水压＞8MPa；高压水雾化制备的 Fe3Al金属间化合物粉末通过标 准筛，筛分成不同级别；然后将原料粉末，采用等静压/模压成 型工艺一次成型，压力100～300MPa，保压时间10～30min， 脱模后，采用真空烧结工艺，烧结温度1100～1350℃，保温时 间1～5h，真空度＜9.0×10－3 托。本发明与现有技术相比具有强度高，抗高温氧化性和抗硫 腐蚀性能优异，过滤效率高、运行阻力低、工艺稳定、易于反 吹清洗再生、寿命长、节能的优点。

LuAG:Ce透明陶瓷的制备方法及LuAG:Ce透明陶瓷 1063     

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本发明提供一种LuAG:Ce透明陶瓷的制备方法及LuAG:Ce透明陶瓷，该透明陶瓷的制备方法包括：配制含Ce³⁺的铈盐溶液；将Lu₂O₃和Al₂O₃纳米粉体分别进行预处理；按比例混合含Ce³⁺的铈盐溶液和经预处理的Lu₂O₃以及Al₂O₃纳米粉体，混合均匀后进行球磨；将球磨后的混合物进行干燥处理，然后再进行煅烧；将煅烧后的粉体压制成坯体并进行预烧；将预烧后的坯体进行真空烧结即得。本发明能够解决现有技术中LuAG:Ce陶瓷在可见光范围中的透过率较低，且制备时由于高的烧结温度所限制的规模化的应用，以及现有的制备方法无法采用粒径更小的纳米粉体作为原料导致无法获取质量更加优异的LuAG:Ce透明陶瓷的技术问题。

难熔金属化合物高温抗氧化涂层及其制备方法 795     

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本发明涉及一种难熔金属化合物高温抗氧化涂层及其制备方法，属于无机功能涂层材料制备技术领域，所述的难熔金属化合物是指铪、锆、钨、钼等的硼化物、硅化物、碳化物。本发明通过将卤化物催化剂引入到内覆层中，在烧结后即可形成难熔金属化合物高温涂层，对高真空度、双炉室的真空烧结炉无依赖，可以在通用的真空烧结设备中实现涂层的制备，降低了涂层制备成本。

新型含钎剂铝合金焊丝及其制备方法 582     

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本发明公开了一种新型含钎剂铝合金焊丝及其制备方法,属于钎焊材料技术领域。由混合均匀的铝硅钎料粉末和氟化物钎剂粉末组成,铝硅钎料粉末含量为93%～85%,氟化物钎剂粉末含量为7%～15%;所述的铝硅钎料粉末中铝含量为88%,硅含量为12%;所述的氟化物钎剂粉末为由KF-AlF3系构成的氟铝酸钾混盐,其中AlF3和KF的摩尔比为44.5∶55.5。制备过程为:首先制备铝硅钎料粉末和氟化物钎剂粉末,然后将两种粉末混合均匀、冷等静压、真空烧结制得毛胚,将毛胚在热挤压机上挤压并拉丝为产品。本发明表面精度高,不需在道次之间用碾头机,可缩短加工时间;材料利用率高,减少废料处理,焊接工艺性能良好。

低碳含量的烧结钕铁硼磁体的制备方法 580     

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本发明公开了一种低碳含量的烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将钕铁硼磁体原料进行真空熔炼得到钕铁硼磁体合金，钕铁硼磁体原料包括：Nd 35％、B 2.5％、Cu 1.8％、Si 1.8％、余量为Fe；步骤二、将钕铁硼磁体合金进行氢爆处理，磨制成钕铁硼粉末，压制成型得到钕铁硼生坯；步骤三、将钕铁硼生坯相对的两侧加载电压，通电，且整个通电过程中钕铁硼生坯处于充满氩气，温度保持在100℃的环境中进行；步骤四、将步骤三处理后的钕铁硼生坯进行真空烧结得到烧结钕铁硼磁体。本发明具有提高钕铁硼磁体的热稳定性，及降低烧结钕铁硼磁体中的碳含量提高耐磨性有益效果。

稀土永磁合金的烧结合成工艺 1006     

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本发明涉及一种稀土永磁合金的烧结合成工艺，本发明方法是将上述永磁合金的毛坯置于有添加剂：NH4F、NH4N3、NH2NH2，一种或两种、三种。吸气剂Zr84Al16和稀土元素La、Ce、Pr等十几种稀土元素中的一种或二种以上，加入量占烧结物量1－4％。微波0.1－500GHz频率的微波烧结炉中燃烧合成，其烧结温度550－1135℃，保温0.1－1.5小时，再将置入真空烧结电炉中时效，冷却到室温，后加工、磁化得到稀土永磁合金。本发明和常规工艺相比，得到的永磁合金具有性能高、均匀性、一致性好的优点，是节省能源、降低成本的工艺技术。

低氧粉末冶金TiAl合金制件及其制备方法 687     

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本发明提供了一种低氧粉末冶金TiAl合金制件及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：原料准备，选取块体TiH₂、Al‑Ti中间合金以及Al与其他合金元素的中间合金为原料；破碎处理，将所述原料混合后进行低温机械破碎处理，得到破碎后粉末；将所述破碎后粉末依次进行成形、真空烧结及无包套热等静压处理，得到TiAl合金制件。本发明通过对改进原料种类、破碎方式及优化制备流程实现了低氧含量高致密度的TiAl合金，制备得到的TiAl合金致密度大于99％，氧含量低于0.15wt.％。

尺度可调的纳米多孔金属材料的制备方法 802     

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本发明公开了属于多孔材料制备领域的一种尺度可调的纳米多孔金属材料的制备方法。所述多孔材料由超细金属粉末掺加造孔剂并压制成型后，在真空烧结炉中烧制而成。该多孔材料内部包含有纳-微-毫多个孔隙尺度，通过控制金属粉末粒径、造孔剂含量及粒径、烧结温度及保温时间等参数以及后续处理工艺可实现多孔材料内部孔隙尺度和金属基体表面粗糙尺度的双调控，并使其具有超亲水性能，可显著提高沸腾传热的效率。本发明成本低，操作简单，技术可靠，产品可应用于热管的吸液芯、蒸发器的蒸发表面以及其他沸腾相变传热装置中，具有很好的应用前景。

环形烧结钕铁硼磁体的生产方法 757     

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本发明提供一种薄片式永磁体的生产方法,根据本发明的方法首先用平行取向成型工艺压制毛坯料并真空烧结,然后将烧结后的毛坯料的内孔表面和外圆弧表面磨加工到成品尺寸,并将两端面粗略加工至大约50%面积见光,接着把多个这样的半成品沿轴向方向用速干胶粘结在一起,最后放在内圆切片机上切片,在切片时采用跳刀程序进行切割,即对于每个坯料,将用于切去料皮的第一刀和最后一刀跳过不予切割。采用本发明的方法能大幅提高材料的最终利用率,减少材料在加工过程中的损耗,从而提高产品竞争力。

高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺 768     

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本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺,其特征是首先按重量百分比,将10～15%的粘接剂,5～20%的石墨,20～40%的硅粉,30～60%的金刚石颗粒湿混,混合时间16～24h。然后在10～50MPa压力和150℃的温度下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气保护气氛中1100℃烧结24h,随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基体。然后将气相渗透的渗料置于石墨坩埚中,将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上,然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1-2h,渗透温度1500～1650℃,真空度-0.08～-0.01MPa。随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。本发明是一种周期短、工艺简单、设备要求较低、成本低,并可制备复杂形状致密Diamond/SiC电子封装材料的方法。

氟铝酸锂系列晶体的软坩埚下降生长方法 861     

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本发明是一种LAF系列晶体的坩埚下降生长方 法, 其特征在于, 采取低温固相氟化处理的方法和软坩埚下降方法。以NH4F为氟化剂, 在80～150℃的温度下加热进行为期3～4周的低温减压脱水, 然后在300℃左右经24小时的减压氟化, 再在560度以上的温度下抽真空烧结, 软坩埚下降方法是以铂金薄片在0.06——0.15mm厚度制作坩埚, 其尺寸为φ8——25mm, X250——300mm, 晶体生长界面温度为770——820℃, 温度梯度控制在20——30℃/cm左右, 向上向下逐步减小, 生长速度每天5——10mm, 直至生长完成。