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本发明公开了一种通用型芯片失效分析的测试设备，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有金属凸起，载板设有通孔，通孔内壁均设有金属弹片，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接，同时金属弹片被压缩；其测试装置包括测试机台及逻辑开关，测试机台通过逻辑开关对被测芯片输出测试信号。本发明是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
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本发明公开了一种CPI测试结构，包括：基底，其中形成有层间介电层；钝化层；设置在所述基底表面；顶层金属层，设置在所述钝化层下方；层间金属层，其包括贯穿所述层间介电层的层间互连结构，所述层间互连结构设置有首端和末端，所述首端和末端分别与顶层金属层电连接；所述层间互连结构还包括多个凸出端部，所述凸出端部延伸至顶层金属层并与顶层金属层电连接。本发明可节省失效分析过程中剥掉更多金属及介电层次所花的时间，提高失效分析效率。本发明还涉及一种基于该CPI测试结构的失效分析方法。
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本发明提供了一种对封装芯片进行测试及失效分析的方法，对封装芯片靠近金球的一面进行第一次研磨，至暴露出所述金球，从而可以采用探测板通过金球对所述封装芯片进行探针测试；对封装芯片靠近硅衬底的一面进行第二次研磨，至暴露出所述硅衬底，从而可以采用红外定位的方法确定封装芯片的失效点，避免了现有技术中高温和化学腐蚀对封装芯片的影响或破坏，提高对封装芯片进行失效分析的准确性及效率。
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本申请公开了一种字线电阻测试方法及三维存储器失效分析方法，其中，所述字线电阻测试方法首先将三维存储器的第一台阶区和第二台阶区的多根通孔连线暴露出来，然后通过在第一台阶区形成连接金属层的方式，将多根字线通过通孔连线和连接金属层连接起来，最后通过在第二台阶区测试每两根待测连线的电阻，并根据测试获得的第一测试电阻、第二测试电阻和第三测试电阻计算三个所述待测连线的电阻，也即得到了与这三根待测连线对应的字线电阻，从而实现了对三维存储器中字线电阻的测量，为对三维存储器进行失效分析奠定了基础。
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本实用新型公开了一种芯片失效分析的测试装置，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
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本实用新型涉及一种带有失效分析测试金球的CSP封装件，所述CSP封装件为IC芯片，所述IC芯片包括电子元器件层、测试金球和封装层，所述电子元器件层封装在所述封装层内，所述电子元器件层具有突出在所述封装层外的锡球，所述锡球与所述电子元器件层中的电子元件相连，所述锡球与所述测试金球相连。本实用新型可以实现在对IC芯片做失效分析的时候，可以对IC芯片通电。
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本实用新型公开了一种便于IC卡失效分析的测试板，包括芯条、测试板本体和背板，所述测试板本体的上表面开设有通槽，且测试板本体的上表面开设有安装孔，所述安装孔共设有四十八个，且四十八个安装孔每二十四个为一组，每组安装孔关于测试板本体的上表面等距分布，所述芯条焊接在测试板本体的上表面位于通槽的一侧外端面，所述芯条共设有四个，且四个芯条关于通槽的上表面呈矩形阵列分布，所述背板焊接在测试板本体的后表面，所述背板采用玻璃制成，且背板采用透明设计。本实用新型便于失效分析，节省大量时间。
本发明提供了一种基于失效模式分析的卫星星载制导与导航软件的设计和测试方法，该测试方法包括如下步骤：S1：自n个所述第二终端获得其失效情况的反馈；若所述第一终端的数据库中未记录该失效情况对应的失效类别条目，则进入步骤S2；S2：将得到的失效类别条目归类到数据库中的失效模式类别中，并得到每个失效情况对应的失效类别条目；S3：重复步骤S1至S2，且在重复的过程中，同时进入步骤S4；S4：根据所需测试的软件的需求，索引当前数据库中相应的失效模式类别，参考该失效模式类别下失效类别条目中记载的信息设计测试用例，对卫星星载制导与导航软件在终端的运行进行测试。
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本发明公开了一种应力环失效测试结构，包括：多个金属层以及连接在各金属层之间的过孔组成的链状结构，所述链状结构环绕应力环相邻布置，所述链状结构两端形成有焊盘，所述链状结构两端焊盘其中一端焊盘接地，另一端焊盘空接。本发明还公开了一种利用所述应力环失效测试结构的应力环失效定位分析方法。本发明能通过电压衬度对比的方法定位应力环周围测试结构的断点位置，通过测试结构的断点位置判断应力环切片过程中所受应力损伤的方向，进一步指出应力环发生应力失效的位置，提高了FA失效分析的效率；并且，本发明提供的应力环失效测试结构相邻应力环对内部芯片也可起到二次保护作用。
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本发明公开了一种高铁齿轮箱体寿命分析预测中失效数据不足解决方法，所述方法首先利用有限元仿真技术对高铁齿轮箱体进行有限元分析；其次利用齿轮箱体材料的旋转弯曲疲劳试验结果，分析其疲劳寿命的分布规律，并进行参数估计，建立齿轮箱体材料的SN曲线模型；最后结合齿轮箱体的有限元仿真数据和材料的疲劳试验数据进行齿轮箱体寿命分析预测。本发明以高铁齿轮箱体这类大型、载荷复杂、服役周期长的结构为对象，针对其失效数据不足的问题，从跨尺度的角度考虑，提出了一种高铁齿轮箱体寿命分析预测中失效数据不足的解决方法，为进一步进行齿轮箱体的疲劳寿命预测打下了基础，也为此类结构件的疲劳寿命分析提供了一种新的研究方法。
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本发明公开了一种管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法，管芯包括衬底以及位于衬底上的器件层，失效分析方法包括：从管芯的背面，即衬底所在面，对管芯中的缺陷进行热点定位；从管芯的背面，去除衬底以暴露目标线路；以及在管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。堆叠封装芯片包括引线框、堆叠于引线框上的多个管芯、以及覆盖引线框和多个管芯的封装料，失效分析方法包括：对堆叠封装芯片进行电测量以确定故障管芯；若存在未进行失效分析的故障管芯，则重复执行失效分析步骤；失效分析步骤包括：去除引线框、封装料的一部分和/或管芯，直至暴露出首个未进行失效分析的故障管芯的衬底；采用管芯失效分析方法对故障管芯进行失效分析。
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本发明揭示了一种芯片失效分析方法及芯片失效分析标记，包括：提供待测芯片，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记；将所述待测芯片放置于FIB中，利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜，从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。这避免了利用FIB离子束挖洞之前可能出现的寻找不到特征点的情况，节省了操作时间，可靠性高，并且在SEM中能够达到30nm的精度，能够满足实际需求。
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本实用新型公开了一种高探测EOS异常失效分析系统，包括AC电源、电源EMI滤波器、示波器，所述电源EMI滤波器通过测试线与AC电源连接，所述电源EMI滤波器与示波器连接，所述电源EMI滤波器与示波器之间设有欧姆电阻线，使用高探测EOS异常的失效分析系统可以对通电后的生产整个流程中的ESD异常现象进行分析，查找出生产状态时的异常点，更能找到根本原因并实现预防解决问题。
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本发明公开了一种可靠性测试板及基于该可靠性测试板进行的PCB板孔间CAF失效分析方法，所述方法包括以下步骤：提供一种可靠性测试板，并通过分半测试法在可靠性测试板上确定发生CAF的两个相邻的失效孔的位置；对可靠性测试板上发生CAF的两个失效孔及其邻近区域进行水平研磨，直至导电阳极丝出现在研磨剖面上；垂直于所述可靠性测试板所在平面，并沿所述导电阳极丝对两个失效孔及其邻近区域进行切片，观察孔壁的质量及表观，依此分析CAF形成的原因。通过所述方法，可给CAF的改善措施的制定提供有力的依据，从而有利于CAF的改善。
本申请公开了一种确定GaN cascode器件失效位置的测试分析方法，属于半导体芯片的可靠性测试领域。技术要点是：对器件的栅极漏电水平Igss进行测量；对器件在关态低漏级电压下的漏级漏电水平Idss@LV进行测量；对器件在关态高漏级电压下的漏电水平Idss@HV进行测量；通过测试结果分析对照表可以确定器件内部的失效位置，同时明确器件失效的原理和模型。有益效果：本发明所述的确定GaN cascode器件失效位置的测试分析方法将传统测试的繁琐流程简化为三步，且无需解封步骤，在保证测试分析结果准确性同时能快速准确地得出器件的失效位置和原理。
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本发明提出一种存储单元失效分析的测试方法,包括:定义内存区域,所述内存区域中的内存单元与芯片上存储单元数量及位置一一对应;对存储单元进行可调数值范围内的加压,测量得到各存储单元的阈值电压,并将与阈值电压相关的步进值信息存入内存区域对应的内存单元位置,直至所有存储单元的阈值电压都能测试得到;读出内存区域中的与阈值电压相关的步进值信息,生成数据文件;对数据文件进行分析得到阈值电压对应存储单元位置的信息,同时能计算出整个存储芯片阈值电压分布的信息。本发明能很精确地进行阈值电压失效点的定位,提高了测试效率。
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本发明提供一种用于失效分析的测试结构，包括测试单元结构且依次堆叠的第N至第N+m个半导体结构层；第N个半导体结构层的引线端部设有通孔接触点；第N+1至第N+m个半导体结构层的引线端部设有金属块，第N个半导体结构层的通孔接触点通过通孔与第N+1个半导体结构层的金属块接触；第N+1至第N+(m‑1)个半导体结构层的引线端部的金属块分别通过各自上方层间介质层中的通孔连接至各自上方相邻的半导体结构层的金属块。本发明在现有的测试结构基础上，兼顾失效分析的需求，通过在引线上添加通孔及方块金属将每个测试单元结构连接到外围电路的引线端引到样品表面，提高研磨效率和研磨成功率，从而满足最初始的电性分析，提高失效分析成功率和分析效率。
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本发明公开了一种测试结构失效分析方法，第一次是通过测试垫进行电性测量缩小分析范围，第二次是通过衬垫及VC分析进一步缩小分析范围，再将缩小范围后的样品去层处理到需要观察的层次，就可以用VC观测到测试结构断点位置。采用本发明能够提高失效分析的成功率。
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本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
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本发明提供了一种电性失效分析的测试方法，包括：提供电性失效分析中各测试项的测试项函数；根据电性失效分析的测试需求，确定电性失效分析的测试项，基于测试项形成测试项关联数据，测试项关联数据与对应的测试项函数关联；提供对应测试需求的测试文件，测试文件包括关联于测试项的测试项关联数据及对应的测试参数；运行测试文件，获取测试结果；根据测试结果和测试需求，在需修改测试文件时，调整所述测试参数。本发明还提供了一种电性失效分析的测试装置。本发明提供的技术方案无需了解测试程序即可修改测试参数并且无需反复加载和编译测试程序即可灵活改变测试流。
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本发明提供了一种用于飞机测试的舱门失效特性分析方法，属于飞机测试技术领域。方法包括以下步骤：S1、构建舱门几何分析模型；S2、提取舱门功能/性能因素参数；S3、构建舱门动力学分析模型；S4、分析舱门功能/性能随时间的变化规律；S5、分析舱门失效演变过程。本发明解决了现有技术缺乏对飞机舱门在复杂气候环境下失效演变过程的研究分析的问题，具有为飞机舱门设计改进提供支撑，提高飞机的安全性和环境适应性的优点。
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本发明提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线、测试金属通孔、金属引线、金属线标尺及测试金属垫，所述测试金属线的端部通过所述测试金属通孔与所述金属引线的一端连接，所述金属引线的另一端与所述测试金属垫连接，所述金属线标尺形成于一至少一层金属层上，并用于定位所述测试金属通孔的至少一个目标截面。通过设计定位所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。特别是在多样品分析比较时，能够锁定每个样品的切片截面位置，通过比较各金属通孔相同横截面位置的形貌差异，为不同样品工艺差异分析提供证据，从而保证电迁移结构失效分析数据的准确性和可比性。
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本实用新型提供了一种锂离子电池的失效分析测试装置，包括重新叠片的失效电芯极片主体、参比电级外接极耳、第一失效电芯正极外接极耳、第一失效电芯负极外接极耳、第二失效电芯正极外接极耳、第二失效电芯负极外接极耳，所述参比电级外接极耳、第一失效电芯正极外接极耳、第一失效电芯负极外接极耳、第二失效电芯正极外接极耳、第二失效电芯负极外接极耳设置在失效电芯极片主体的四周。本实用新型所述的一种锂离子电池的失效分析测试装置，节省制样时间、操作简单、制样一致性高，提高了实验的可靠性和准确性，从而节省了时间成本和人工成本。
本发明涉及一种基于渐进损伤模型的全C/SiC复合材料多钉连接结构失效分析方法，包括以下步骤：(1)在C/SiC复合材料力学性能测试的基础上建立材料的双线性本构模型；(2)根据C/SiC复合材料多钉连接结构几何参数，建立复合材料结构三维有限元模型；(3)基于复合材料结构三维有限元模型进行应力分析；(4)应用适用于C/SiC复合材料的失效准则预测复合材料的失效状态；(5)对失效的材料按照退化模型进行材料刚度退化；(6)判断复合材料结构中的损伤是否导致结构发生破坏，若结构未失效刚继续加载直到材料失效。本发明适用于工程应用，可以有效分析和预测全C/SiC复合材料多钉连接结构的失效，能够显著降低试验成本，为工程实践提供参考。
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本发明属于海洋工程设计领域，公开了一种用于预测复合材料柔性管失效荷载的随机分析方法，包括：建立深海复合材料柔性管的三维力学分析模型，并获取生产参数的随机范围，同时生成各生产参数的随机样本，将随机样本数与ABAQUS软件计算模型相结合，根据Hashin–Yeh失效准则与复合材料渐进损伤失效系数对复合材料柔性管的失效荷载进行随机分析。系统包括：随机样本生成模块；强度参数及弹性常数评估模块；应力分析模块；复合材料柔性管损伤失效分析模块。本发明基于Monte‑Carlo方法结合ABAQUS有限元分析提出了针对深水复合材料柔性管损伤失效的随机分析方法，可以更准确的预测柔性管损伤失效载荷。
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本发明提出一种用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统，能够使半导体激光器腔面失效分析更为准确、可靠，具有产业实际意义。该综合测试系统特别包括分光组件、温度控制模块和多种光特性测试模块，温度控制模块用于调节待测半导体激光器的温度，所述多种光特性测试模块包括近场分布测试模块、远场分布测试模块、功率测试模块和光谱成像模块，分光组件将待测半导体激光器输出的光分出多路用以设置不同的光特性测试模块；计算机接收处理所述温度测试模块和多种光特性测试模块输出的测试数据，并与温度测试模块、温度控制模块和多种光特性测试模块连接。
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本发明涉及光通信领域,本发明公开了一种支持光器件寿命预测和失效原因分析的装置,包括处理器CPU、存储器、光模块状态采集单元、光模块通讯接口,所述处理器CPU分别与所述存储器、光模块状态采集单元、光模块通讯接口连接;所述处理器CPU用于根据光模块的寿命参数和运行参数进行判断,并以判断结果为依据预测出光模块的寿命;所述存储器用于保存光模块的寿命参数和运行参数;所述光模块状态采集单元用于采集光模块的运行参数;所述光模块通讯接口用于与外部管理端的通讯。本发明还公开了一种支持光器件寿命预测和失效原因分析的方法,处理器CPU根据光模块的寿命参数和运行参数,计算出光模块当前所处的寿命阶段,作为是否需要更换光模块的依据,有效预测出光模块的寿命,同时存储的光模块运行参数可作失效原因的统计分析使用。
本发明公开了一种基于胶粘剂化学特性分析的粘接结构失效准则的预测方法，本发明开发了一种基于胶粘剂化学特性分析的粘接结构失效准则的预测方法，通过对不同粘接角度的粘接试件进行人工加速老化处理，通过拉伸破坏试验得到不同老化周期的粘接结构的失效应力相关数据，通过有限元建模分析结合等效应力关系式建立失效准则，对不同老化周期的胶粘剂进行的化学特性分析得到化学特性变化规律，计算筛选出与粘接结构失效准则处于最佳重合状态的化学特性及其组合形式，应用典型相关分析方法，最终获得通过分析胶粘剂化学特性就能得到粘接结构失效准则的预测方法。
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本发明提供一种复合材料结构失效预测分析方法，结合湿热应变的影响，建立了表述各向异性复合材料在湿热环境影响下的应力应变关系的本构方程。同时，结合渐近损伤分析方法，在应力分析模型、失效准则和材料退化模型三个方面均引入了湿热效应对于材料刚度和强度等参数的影响，并编译了UMAT子程序并打包嵌入到有限元软件中，最终建立了可用于湿热环境下复合材料失效分析的更为完善的渐进损伤模型。本发明与现有的各类复合材料结构失效渐近损伤分析方法相比，考虑了湿热效应对于各向异性复合材料失效行为的影响，能够准确的表征材料在湿热环境下的损伤过程，适用于温度和湿度等条件更加复杂的情况下复合材料结构损伤过程的模拟和强度的预测。
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本申请公开了一种芯片的地址测试方法及芯片的失效分析方法。该芯片包括沿字线和位线的方向排列的多个比特位，该方法包括：对芯片中的部分比特位进行标记以形成标记点，并获得标记点的电性地址和物理地址；对芯片进行失效测试以获得芯片中双比特位失效点的电性地址，双比特位失效点由在字线或位线的方向上相连的两个失效的比特位组成，并将双比特位失效点中两个比特位的电性地址的差值的绝对值作为双比特位失效点的电性地址差值；根据双比特位失效点的电性地址差值获取芯片中各比特位的电性地址的排列范围；将芯片中各比特位的电性地址的排列范围与标记点的电性地址进行对照。该方法能够准确分析出芯片中物理地址和电性地址的对应关系。
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