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本发明公开了一种判断失效光伏组件的失效分析方法及其使用的光伏组件结构，其中，失效光伏组件由第一电池片制备得到，本发明提供的方法的步骤如下：(a)提供一光伏组件结构，其具有两种类型电池片，分别为第一电池片和第二电池片，第一电池片和第二电池片具有单一差异因素，并且除该单一差异因素外，其余因素相同；其中，该单一差异因素为单一的结构设计差异或为单一工艺制成差异；(b)将该光伏组件进行环境实验；(c)再将经过环境实验后的光伏组件进行光伏组件特性测试；(d)根据测试结果判定光伏组件失效原因。(e)如果(d)未能找出组件失效的根本原因，则重复(a)-(d)，直到所有的电池单一差异因素均被完全排除，则判定为失效由组件材料和封装工艺造成。本发明能够有利于甄别出光伏组件的失效原因是由电池片的结构设计差异不同或电池片的工艺制成不同或组件材料和封装工艺不良导致的。
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本发明揭露了一种半导体器件失效分析样品制作以及分析方法，采用化学试剂去除部分芯片背面的封装覆层，不暴露封装覆层内的引线，保持引线框架和引脚的完整。这样，可以同时检测芯片上多个引脚之间的功能单元和金属互连线，无须以引线为终端来检测。并且能在芯片工作的状态下进行整个芯片的检测和失效分析，大大提高了效率。此外，还能避免机械的开盖方法对芯片背面造成损害。
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本发明公开一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其特征在于，包括有晶圆，在所述晶圆的前面寻找目标点，在接近所述晶圆的目标点以及所述晶圆的背面粘贴胶带，然后在所述胶带上粘贴传导带，并在所述目标点以及所述传导带上连接电线，最后在所述晶圆背面的传导带上使用探针进行探测。使用本发明一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，通过本发明能够得到一种好的背面失效定位的结果，而无需将晶圆切碎，有效地节约失效分析费用成本，同时，提高了质量。本发明有效地保证了晶圆的完整性，并且实现背面失效定位。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，通过在CP测试过程中记录芯片的特性参数，在CP测试最后将收集到的芯片特性参数写入安全寄存器内，并使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到初始CP中芯片的特性参数，因此一定程度上节约人力和测试机台成本，提高后期对芯片的分析效率。
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本公开提供了一种产品失效知识库建立方法与产品失效分析方法、装置、设备、介质，属于计算机技术领域。该产品失效知识库建立方法包括：获取多组失效产品数据，包括设计数据、工艺数据与缺陷数据；根据设计数据和/或工艺数据对失效产品数据进行聚类，得到多个失效类别；分别对各失效类别的缺陷数据进行随机性检验，以确定失效类别为随机失效模式或非随机失效模式；对各非随机失效模式的失效产品数据进行关联规则挖掘，得到各非随机失效模式的失效根因数据；根据各失效类别的随机失效模式/非随机失效模式分类结果与各非随机失效模式的失效根因数据，建立产品失效知识库。本公开可以实现对未知失效模式的分析，并提高分析效率。
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本发明提供了一种空调进线端电容失效存储装置及电容失效分析方法，空调进线端电容失效存储装置，与设置在空调进线端的电容连接，其包括：电压检测电路，实时检测所述电容的电压值；数据存储器，与所述电压检测电路连接，存储所述电容的电压值；所述电容失效分析方法基于所述空调进线端电容失效存储装置。这样，通过数据存储器存储电容的电压值，一旦发生电容失效的情况，就可以读取数据存储器中的电压值，进而可以根据电压值很容易确定是否是过压导致所述电容失效；可以在较短的时间内清楚判断电容失效原因，判断方便，且准确度高。
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本发明提供一种半导体器件失效分析样品及其制备方法、失效分析方法，通过在载体上开设一个与半导体器件样品相符的承载槽以及开设至少一个连通承载槽的导流沟槽，并在所开的承载槽中放置导电粘合剂，加热或者紫外光照射载体使导电粘合剂熔融，最后将半导体器件样品放置在承载槽中，轻压半导体器件样品使之与承载槽侧壁的台阶表面齐平，这样就避免了导电粘合剂对样品表面的污染，更重要的是在研磨去层时避免了样品表面不均匀研磨现象的出现。
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本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，其中，包括以下工艺步骤：步骤一，将所要测试的样品通过导电双面胶带黏贴在支撑盘上；步骤二，在支撑盘上黏贴单面隔离胶带，并使单面隔离胶带的两端接近被测样品；步骤三，在单面隔离胶带上设有多个电池，并在每两个电池之间设有垫片连接，之后在首端电池的顶面设有一单面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上，在末端电池的底面设有一双面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上；步骤四，利用引线将单面隔离胶带上的单面导电胶带与双面导电胶带远离电池的一端与被测样品的压点连接；步骤五，对被测样品进行测试。通过本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，能够有效地使操作检测方式变得简易，不需要操作者对其有很丰富的操作经验，使用操作成本低廉，同时能够灵活性的对测试样品进行测试。
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本发明实施例公开了一种待失效分析样品的制备方法，所述方法包括：提供封装结构，所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂；所述芯片堆叠结构包括基板，堆叠设置在所述基板上方的多个芯片，及用于使所述多个芯片之间，和/或所述多个芯片与所述基板之间实现电连接的多条导电线；所述多个芯片在所述基板上方依次堆叠形成第一台阶结构，所述多条导电线位于所述第一台阶结构的上方；对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤，以切断所述多条导电线，得到所述待失效分析样品。
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本发明公开了一种用于背面EMMI失效分析的装置，包括一PVC电路板、一信号输入输出底座；所述PVC电路板的中心设置有一透明的有机玻璃片，有机玻璃片的四周设置有多个金属引脚；PVC电路板的四个角分别设置有电路板金属衬垫；每个金属引脚分别通过金属线连接一跳线接口，每个跳线接口通过金属线分别与四个电路板金属衬垫连接；所述信号输入输出底座包括座体，座体的四个角分别设置有底座金属衬垫，底座金属衬垫的位置与所述电路板金属衬垫的位置相对应。本发明能够使背面EMMI失效分析更加简单、快速和可靠地定位到失效点，只需要花费几个小时的时间就可以完成原先需要几个工作日才能完成的失效缺陷的定位。本发明还公开了一种背面EMMI失效分析方法。
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基于热成像技术的半导体雪崩耐量失效分析的测试方法及装置，本发明主要包括在搭建的测试系统中，开启待测功率器件和功率开关管，电感开始续流，当电感中的电流达到雪崩电流峰值Iav后，关断待测功率器件和功率开关管，电感放电，待测功率器件发生雪崩，在待测功率器件被击穿前开启短路功率器件，待测功率器件被短路并停止雪崩，电感能量通过短路功率器件泄放，此后，重复本操作，使待测器件持续发生雪崩，通过对器件雪崩时间的限制，使得器件在在不损坏的情况下多次进行雪崩过程，在此过程中我们可以通过热成像技术观测器件雪崩过程中发热点位置的变化情况。
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本发明涉及一种用于超级电容器失效分析的数据库及超级电容器的失效分析方法。所述用于超级电容器失效分析的数据库包括：（1）基于大量数据概括的由N个超级电容器组成电容器组中失效几率和失效原因之间的一一对应关系，N≥100；（2）超级电容器在不同使用工况下建立的性能与循环次数或性能和使用时间之间的第一函数关系；（3）超级电容器在不同荷电状态或/和不同存储时间下与其外在表观之间的第二函数关系。
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本发明提供一种失效分析样品的制备方法及失效分析样品，制备方法包括如下步骤：提供待分析的堆叠封装体，堆叠封装体中设置有多个堆叠的裸片，每一裸片具有设置焊垫的正面及与正面相对的背面，裸片的背面与其相邻的裸片的正面接触，所述裸片的焊垫与其相邻的裸片的焊垫电连接；去除目标裸片背面的其他裸片，至暴露出与所述目标裸片相邻的裸片的焊垫时停止；将暴露的焊垫电学引出，形成用于失效分析的样品。本发明优点是，对目标裸片背面进行去除操作，且利用非目标裸片焊垫作为电连接处，从而避免对目标裸片具有电路器件的正面进行去除操作，保护了正面的电路器件，能够制备出完整无损伤的目标裸片，大大提高了制样成功率，大大降低了制样难度。
一种漩涡式探针、探针测试装置、探针卡系统及多晶片模块的失效分析方法。漩涡式探针包括一针体、一连接部与一漩涡弹簧。针体的一端具有一针尖。漩涡弹簧连接针体与连接部。漩涡弹簧包含一圈以上的旋绕体，这些旋绕体彼此共平面，且这些旋绕体的轴心与针体的长轴方向正交。故，通过上述架构，漩涡式探针不致于导电接点上横向滑移，降低滑出导电接点的范围的机会，以维持探针与导电接点之间的电接品质及测试性能，以及缩小测试变数。
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本公开实施例公开了一种失效分析样品的制作方法。所述方法包括：提供待测管芯；其中，所述待测管芯包括相对设置的正面和背面，所述待测管芯的正面通过第一胶层与第一基板之间粘接；将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接；其中，所述第二胶层的固化温度小于所述第一胶层的熔化温度，所述第二胶层的熔化温度大于所述第一胶层的熔化温度；在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯。
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本发明涉及一种失效分析结构的制备方法及失效分析方法。失效分析结构的制备方法包括：提供待分析样品，待分析样品包括待分析芯片及承载基底，承载基底位于待分析芯片的正面；提供底板；将待分析样品贴置于底板上，待分析芯片的背面朝向底板；形成防护层，防护层至少覆盖待分析芯片的侧壁；使用腐蚀液去除承载基底。本发明的失效分析结构的制备方法，在去除承载基底的过程中无需使用到离子刻蚀机等复杂设备，操作方便，且没有氯气等腐蚀性气体的使用，不会对待分析芯片造成腐蚀破坏；并且通过形成防护层至少覆盖待分析芯片的侧壁，因此去除承载基底的过程中不会损伤芯片的侧壁，进而不会破坏芯片的信息及定位图案，以便后续对芯片进行信息确认。
本发明提供一种元器件失效分析专家系统中失效分析流程构建方法及系统，所述方法包括以下步骤：采集各门类电子元器件的失效信息；所述失效信息包括：失效分析方法、失效现象、失效模式、失效机理、失效环境；构建各失效信息之间的关联关系；以所述失效模式为触发点，根据各失效信息之间的关联关系构建元器件失效分析专家系统中的失效分析流程。本发明的元器件失效分析专家系统中失效分析流程构建方法及系统，满足了在元器件失效分析专家系统中构建不同门类电子元器件失效分析流程的需求，使失效分析专家系统成为一种具有逻辑判断功能、可辅助完成实际失效分析的电子手段。
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本发明涉及升降机领域，具体公开了一种基于制动力矩分析的升降机失效预测方法。该升降机失效预测方法，包括制动距离阈值确定、建立制动距离的退化模型和获取升降机的剩余寿命步骤，可以实现对升降机剩余寿命的预测，为升降机的维护和更换提供参考，进一步提高升降机的使用安全性。
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本发明公开了一种在线监测故障定位失效分析和控制的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在需要监控的设备上部署传感器；步骤2、由数据采集器将传感器采集的信息通过局域网传递至本地以及云架构平台服务器上；步骤3、通过不断抓取数据建立数据模型，利用模型反复迭代数据，不断进行历史数据对比；步骤4、经过数据的反复校验迭代后给出备品备件的损害率数据以及厂家质量对比。本发明中，云端管理的扩展性好，升级方便，可接收各个区域本地采集端服务器上报的数据，对数据进行分类，存储，分析，展示等操作，无需人工管理，实现智能化。
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本实用新型提供一种芯片表面放电的失效分析用测试装置，包括基座、夹持件和导电件，夹持件可移动的连接在基座上，导电件可旋转的连接在基座上，基座、夹持件和导电件的材料均为导电金属材料；当置于SEM机台的操作台上时，夹持件夹持芯片，芯片通过夹持件分别与基座和导电件电连接，基座和导电件均与操作台上的接地端连接，以通过基座在SEM机台的操作台上的接地端连接，降低芯片在测试时出现的芯片表面放电的问题，导电件可以增加芯片接触接地端(碳胶)的面积，从而解决了芯片在SEM机台上测试时出现的芯片表面放电的问题，该装置没有在芯片的四周点碳胶，没有去除碳胶以及点碳胶的过程，从而减少了在芯片周围反复点碳胶所耗费的时间。
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本实用新型公开了一种聚合物锂电池机械损伤失效分析模拟测试装置，包括：底座；设置在底座上用于放置并带动锂离子电池转动的转盘；设置在转盘上用于压紧锂离子电池的压紧机构；以及设置在转盘一侧用于对电池进行穿刺的穿刺机构。本实用新型通过设置转盘以及压紧机构使得可以对锂电池的不同角度进行稳定可靠的测试，克服了目前采用手动试验存在的无法控制方向和力度、不能有效地验证外力破坏电池的效果、不能调整角度对电池不同部位受力测试且存在安全隐患的缺陷。
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飞机锁机构部件磨损退化与功能退化竞争失效分析方法，属于飞机锁机构部件可靠性分析技术领域。本发明是为了解决现有飞机锁机构的失效分析方法中，需要对部件磨损退化和功能退化分别建模再考虑相关性，分析结果可靠性低的问题。它用非线性漂移布朗运动对部件磨损退化失效进行建模，并用代理模型建立各个磨损退化分部件与功能量之间的函数传递关系，以此寻找功能量的退化规律。FGM copula函数用来建立部件磨损退化量和功能退化量之间的联合概率密度函数，并基于此计算不同失效模式下的竞争失效概率和锁机构的整体可靠度。本发明用于计算飞机锁机构部件的可靠度。
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本发明涉及一种多失效模式下结构系统模式重要性测度分析方法，包括：通过重新定义设置部组件系统中模式的概率重要性测度、贝叶斯重要性测度、关键重要性测度、风险增加当量重要性测度和风险减少当量重要性测度，来从不同的评估角度衡量结构系统中各失效模式对结构系统可靠性的影响程度；通过基于Copula函数方法计算各模式的重要性测度指标；或者通过SRGP法对模式重要性测度进行高效求解；或者通过MRGP法对模式重要性测度进行高效求解。本发明从不同的评估角度，全面、系统地定义一系列模式重要性测度指标，并针对定义的模式重要性测度指标，提供了有效实现方法，最终实现精确、高效地识别出结构系统中的重要模式和非重要模式。
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本申请实施例公开了一种透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法，其中，所述透射电镜试样的制备方法包括：在待测结构中确定测试区域；在测试区域中确定待分析结构和待去除结构，所述待分析结构沿第一方向的两端分别与所述测试区域的边缘具有第一预设距离，所述待去除结构位于所述待分析结构沿第二方向的投影区域内，所述待分析结构朝向所述第二方向的侧面与所述待去除结构接触，所述第一方向与所述第二方向之间的夹角大于0°且小于180°；去除所述待去除结构，并保留在第一方向上位于所述待去除结构两侧的至少部分所述测试区域作为支撑结构，得到透射电镜试样，其中，所述支撑结构与所述待分析结构形成一体成型的至少一个U型支架。
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本实用新型公开了一种通用型芯片失效分析的测试装置，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有金属凸起，载板设有通孔，通孔内壁均设有金属弹片，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接，同时金属弹片被压缩；其测试装置包括测试机台及逻辑开关，测试机台通过逻辑开关对被测芯片输出测试信号。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
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本发明公开了一种正交通孔链测试结构开路失效的分析方法，先电性验证哪条正交通孔链出现开路情况，逐层研磨至失效位置上层介质层；将开路正交通孔链一端接地，使其处于接地状态，该通孔链另一端处于悬空状态，另一条相邻正常的通孔链处于悬空状态，在失效点处上层金属互联层会出现明暗差别的电压衬度图像，观察失效点处上层金属互联层上表面是否有失效点；在确定的上层金属互联层失效点处的x方向与失效区域相似结构处，利用聚焦离子束去层直至看见下层金属互联层结构，去层区域中与失效点X方向所对应的下层金属互联层所在位置即为失效点下层金属互联层位置，从而确定TEM的制样位置。本发明能够精确定位电路中开路失效模式的异常位置。
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本实用新型公开了一种失效分析探针台测试工装夹具，所述工装夹具为双层PCB板结构，包括：上层PCB板和下层PCB板；所述上层PCB板表面设置有用于连接被测器件的多通道DIP插座和用于与外部控制台相连的电缆插座，所述电缆插座通过PCB布线连接所述多通道DIP插座的各个端口；所述下层PCB板表面设置有用于与测试台固定的真空吸附装置；本实用新型的失效分析探针台测试工装夹具使用方便、器件固定牢固、易于更换。
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本发明公开了一种芯片失效分析的测试设备，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本发明是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
本发明公开一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容，每一个电容的上极板均通过第一接线连接第一金属垫，每一个电容的下极板均通过第二接线连接第二金属垫，其特征在于，还包括：第三金属垫，通过第三接线连接所述第二接线；第四金属垫，通过第四接线连接所述第一接线。本发明的优点是：采用新的测试结构后，对测试结果没有影响，同时在失效分析时也能保证绝大部分样品能找到失效位置。
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一种液晶面板测试模组及一种液晶面板失效模式分析方法,其中液晶面板测试模组包含:驱动电路、测试电路以及若干个开关。其中驱动电路包含:若干个信号输入线及若干个信号输出线,信号输出线包含第一信号输出线群组、第二信号输出线群组和第三信号输出线群组;测试电路包含第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线,分别与第一信号输出线群组、第二信号输出线群组和第三信号输出线群组电连接;以及若干个开关分别位于第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线与每一信号输出线之间。
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