有色金属失效分析技术理论与应用

天然气长输管道失效的分析方法 671     

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本发明公开了一种天然气长输管道失效的分析方法，包括步骤一、针对天然气长输管道的腐蚀减薄状况，通过实验方法和理论方法获得其在天然气输运过程中的腐蚀速率；二、通过腐蚀速率预测天然气长输管道在使用年度的管壁有效厚度和延性裂纹止裂韧性；三、通过概率分析方法计算发生延性裂纹扩展管段的数量占全体连接管段数量的比例；四、计算天然气长输管道的失效风险概率；五、根据天然气长输管道的失效风险概率和可承担风险概率，对管道失效进行分析判定，并预测管道的允许使用年限。本发明方法步骤简单，实现方便，能够有效应用在天然气长输管道的失效分析中，对天然气长输管道的安全检验、维护和保养提供可靠的指导，效果显著，便于推广。

存储元件的失效模式分析方法 687     

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一种存储元件的失效模式分析方法，包括：利用检测系统来扫描晶圆，以产生所述晶圆的失效图形，并利用检测程序来取得所述晶圆中的单比特位的失效数量；依据字线布局、位线布局以及有源区布局定义出单比特位的分组表；对自对准双重图案化工艺中的至少一工艺分类出核心群组与空隙群组；以及分别统计所述核心群组与所述空隙群组中的单比特位的失效数量，以产生核心失效信息与空隙失效信息。

失效分析装置 937     

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公开了一种失效分析装置，包括：置物台，用于固定待检测芯片；测试台，包括光源，用于对所述待检测芯片进行抓点测试，其中，所述光源产生红外脉冲激光，所述红外脉冲激光能穿透所述待检测芯片的衬底。本申请的失效分析装置，采用能穿透所述待检测芯片的衬底的红外脉冲激光作为光源，提高了正面和背面抓点的准确性，同时提高了存储层的失效点定位的准确性。

飞机发动机非包容失效安全性分析系统及方法 606     

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本发明公开了飞机发动机非包容失效安全性分析系统及方法，属于飞机特殊风险分析与评估的技术领域。所述飞机发动机非包容失效安全性分析系统包括需求信息处理模块、参数设定模块、模拟仿真和结果输出模块。所述飞机发动机非包容失效安全性分析方法：确定发动机转子碎片相对于飞机数字样机的位置参数、尺寸参数；在失效碎片可达区域范围内，采用基于区域划分和层次包围盒法检测发动机转子碎片可能导致失效的飞机设备模型，通过对仿真结果矩阵和最小割集做布尔运算，识别灾难性功能危险并定量给出转子非包容失效安全性的分析结果。本发明在飞机设计阶段快速精确地识别出转子非包容失效的潜在危险，为飞机系统安全性设计和构型设计提供技术支持。?

基于回归分析的电磁环境中TCU失效预警方法 854     

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本发明公开了一种基于回归分析的电磁环境中TCU失效预警方法，包括步骤：(1)通过电磁时域仿真软件确定TCU电路板图上的敏感器件；(2)在敏感器件上设置若干个探头，监视感应电压波动或感应电流波动，若出现异常则记录到异常日志中；(3)对异常日志p_n进行信息提取，构造异常信息向量s_n，并评估其失效模式概率(4)建立历史异常信息与失效模式之间的关系，构造失效检测器；(5)利用失效检测器对实时异常信息向量s_n进行评估，判断其失效趋势及是否发出预警。本发明充分利用回归分析有监督学习的特征，不断扩大失效模式，修正预警时间参数，提高预警的精确性。本发明方法可为晶闸管级的检修提供支撑，应用价值和前景巨大。

电脑主机板失效分析方法 871     

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本发明涉及一种电脑主机板失效分析方法,其包括以下步骤:1)、对电脑主机板进行外观光学检查,判断其是否有污染;2)、对步骤1)中判断有污染的电脑主机板进行电性隔离测试,判断其是否有电性异常;3)、对步骤2)中判断有电性异常的电脑主机板进行SEM/EDS分析,判断其是否有导电性元素;4)、对步骤3)中判断有导电性元素的电脑主机板进行超声波清洗。本发明所述的电脑主机板失效分析方法,其通过对电脑主机板进行外观光学检查、电性隔离测试、SEM/EDS分析以及超声波清洗,可以有效、快速地检测出电脑主机板产生的失效现象。

MIM电容器件失效分析方法 631     

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本发明涉及一种MIM电容器件失效分析方法，MIM电容器件位于一硅衬底上并包括一上极板、一下极板和一位于上极板与下极板之间的绝缘层，硅衬底上还至少包括一位于MIM电容器件上方的金属层，上、下极板分别与金属层的第一、第二电路区电连接，该方法包括如下步骤：a)确定下极板有无接地，若没有，则执行步骤b)；否则，执行步骤d)；b)寻找与MIM电容器件层间距离最近的电源总线；其中，电源总线包括一接地引线；c)形成一连接下极板与电源总线的电路通路；d)通过电压衬度检测确定MIM电容器件的漏电区域。其在通过电压衬度检测MIM电容漏电区域时，不会漏过漏电程度较小的情况，便于观测、也更加可靠。

地铁供电网络悬吊结构件的失效分析方法及应用 921     

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本发明公开了一种地铁供电网络悬吊结构件的失效分析方法及应用，包括如下步骤：在已经断裂失效的悬吊结构件的断口处取样(包含断裂面)，将样品清洁后，首先利用体视显微镜进行断口及其周围的宏观检查。利用扫描电子显微镜对断口进行微观形貌观察，然后利用电子探针X射线显微分析仪对断口表面进行元素定性分析，最后利用电子探针X射线显微分析仪对样品进行元素相对分布分析，根据检测结果分析导致悬吊结构件失效的原因。将体视显微镜、扫描电子显微镜与电子探针X射线显微分析仪等设备结合起来鉴定悬吊结构的失效原因，各自取长补短使整个分析过程更有理有据，即准确直观，又方便易行，对杂质元素的分析与定位也更精确。

齿轮箱油位计聚碳酸酯玻璃板失效的综合分析方法 792     

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本发明为一种用于高铁装置油位计聚碳酸酯玻璃板失效原因的综合分析方法。具体步骤为：实地调查和了解玻璃板的工艺参数、运行工况；对失效的玻璃板进行外观检查；采用三维体视显微镜或扫描电镜对失效的玻璃板的断面和内外侧表面进行细致的观察和分析；采用表征方法对玻璃板表面清洗剂进行成分分析；采用表征方法对失效玻璃板的成分、性能进行分析；检查和检测玻璃板的尺寸与凹槽之间的尺寸关系；综合以上从宏观到微观、从现象到本质，确定玻璃板失效的根本原因。本发明通过对高铁齿轮箱油位计玻璃板进行系统的综合分析后，可以快速、准确地判断玻璃板失效的原因，进而采取针对性的预防措施。本方法对其他运输领域聚砜、聚醚砜等高性能玻璃板的安全使用也具有实用参考价值和指导意义。

片式熔断器失效点的分析方法及装置 995     

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本说明书一个或多个实施例提供一种片式熔断器失效点的分析方法及装置，所述熔断器失效点的分析方法包括对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找所述外观合格的片式熔断器失效点的位置；对外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；通过化学方法对所述外观合格的片式熔断器进行处理，获得去除保护膜的片式熔断器；对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。通过本发明方法中化学处理法对片式熔断器保护膜的处理，对导电膜造成的损坏低，降低了失效点的原始形貌的受损程度。

车道保持功能失效分析方法、系统、电子设备及存储介质 855     

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本申请实施例公开了一种车道保持功能失效分析方法、系统、电子设备及存储介质，方法包括：检测车道保持功能的失效场景；当失效场景为车辆在高速路出口且车道保持功能异常时，对车道线进行识别，并得到对车道线的识别类别；当车道线的识别类别为误识别时，分析车辆经过高速路出口时，路面状况对车辆行驶的影响类型以及影响严重程度级别；对于其它的失效场景，分析车道保持功能异常的原因类型。本申请实施例能够根据检测到的数据自动化分析车道保持功能异常时，路面状况对车辆的影响以及严重程度级别，以及分析车道保持功能异常发生的原因，相比原始的主观判断和手动分析，节约了大量时间，且分析结果更加准确。

二极管失效分析装置 654     

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本发明公开了二极管检测领域内的二极管失效分析装置，包括箱体、反应釜，箱体为矩形箱状，箱体的上端设有进料口，箱体内壁的一侧固定有两个并列设置的支撑臂，反应釜的中部铰接在两个支撑臂之间。箱体顶端的内壁上固定有气缸，气缸的输出端连接有伸缩杆，伸缩杆上铰接有连杆，连杆的另一端铰接在反应釜靠上。支撑臂下方的箱体内壁上设有导槽，箱体内部的底部设有废液收集箱，导槽的底端伸入废液收集箱内。本方案能够完成二极管失效分析实验的多次加热腐蚀，不用操作者直接接触反应釜，对废弃的酸液进行集中回收处理，使实验的危险性更低，减少对环境的污染，更加环保，更方便对二极管进行失效分析实验。

航空发动机转子非包容失效安全性分析方法 998     

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本发明公开了一种航空发动机转子非包容失效安全性分析方法。本发明方法包括以下步骤：导入航空器及航空发动机数字样机模型，并对其进行简化；模拟航空发动机转子碎片生成以及碎片从发动机机匣中飞出后的轨迹，将碎片对简化后的数字样机进行穿透性检测；通过对发动机碎片与航空器数字样机的穿透性检测撞结果与航空器灾难性危险的最小危险组合单元进行对比，判断危险事件是否被触发；根据危险触发分析结果，求出航空器在不同失效模式下的灾难性危险概率。本发明方法通过计算机仿真来求出由转子非包容失效导致的飞机灾难性事故概率，具有计算量小、效率高、分析结果准确可靠等优点，可为飞机安全性设计与适航符合性验证提供支持。

压力容器失效的分析方法 618     

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本发明公开了一种压力容器失效的分析方法，包括以下步骤：S1、制定检验方案：确定压力容器的相关工作参数，结合相关工作参数确定失效的具体内容和形成原因，制定因素分析表，并对应不同因素增加检测方案；S2、方案分析：分析造成失效的不同因素间的相关性，对关键因素进行标记，分析造成因素的原因，记录相关联的工作参数及产生时间、产生频率，同步的制定风险防御方案；S3、失效分析前检查：结合压力容器的基本信息以及设备运行的实际情况，初步分析压力容器是否符合特定工作状态下各项指标要求。本发明对压力容器存在的潜在风险进行及时防控，实现高效排除不同环境下存在的隐患，有效提升压力容器检验效果与质量，适用于工业相关产业。

闪存芯片漏电失效分析的方法 841     

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本申请一种闪存芯片位线间漏电失效分析的方法，涉及芯片失效分析领域，通过采用非破坏性分析工艺，将FIB切分工艺和奈米级探针量测工艺相结合，在完全不破坏前端工艺所有材料的状况下，直接定位出失效的栓塞处，且其可检测位于栓塞不同位置的桥连(如位于栓塞顶部、中间或其他任何位置处的桥连)，并能够获得较好的TEM样品，以便于后续TEM的精准观测，即在有效提高失效分析的可靠性的同时，还能大大降低失效分析所花费的时间及工艺成本等。

基于LIBS的锅炉受热面高温失效趋势快速分析方法 674     

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本发明公开了一种基于LIBS的锅炉受热面高温失效趋势快速分析方法，具体是：锅炉停炉检修期间，脉冲激光光源发出的激光聚焦于待检测的受热面管道表面，使检测的金属材料被烧蚀气化并形成等离子体，采集等离子体膨胀冷却过程中发射的光谱信息，提取表征受热面管道物理和化学特性的光谱特征指标，利用激光等离子体光谱特征指标与材料组织和力学性能指标之间的关联性，得到被测管道的组织状态和力学性能指标，从而预测被检测管道的失效趋势。本发明无需割管即可对受热面结构特性和机械性能进行快速分析，在宏观缺陷出现前判断其失效的趋势，可以有效提高检修期间金属检查的效率，促进快速失效分析技术的发展。

半导体器件失效分析的方法 1024     

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本发明涉及半导体可靠性分析领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析的方法。本发明建立一种针对存储器的失效分析的方法，通过对失效区域及其周围区域的连接通孔进行电压对比分析并对电压对比分析结果剖析，以检测出快闪存储器由于冗余替换的存储区域缺陷经过可靠性测试或实际使用后造成的临近区域的失效问题。在可靠性失效中对冗余替换的信息进行分析，为冗余电路的替换造成的可靠性失效问题提供有力的分析依据，并对可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。

车载直流降压芯片失效分析方法 745     

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本发明公开了一种车载直流降压芯片失效分析方法，包括以下步骤：步骤1)外观检查；步骤2)良品与不良品I/V测试对比分析；步骤3)无损探伤对比分析；步骤4)开封内部检查；步骤5)EMMI对比分析；步骤6)汇总记录，定位车载直流降压芯片失效位置。本发明一种便捷、高效的分析方法，能够快速定位芯片失效位置，并准确分析出失效应力来源。

PCB板失效分析方法 719     

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本发明涉及一种PCB板失效分析方法,其包括以下步骤:1)、对PCB板进行外观光学检查,判断其是否有污染或开裂现象;2)、对步骤1)中判断有污染或开裂现象的PCB板进行电性能检测,判断其是否有电性异常;3)、对步骤2)中判断有电性异常的PCB板进行X-RAY射线检测,判断其上的焊接是否良好;4)、对步骤3)中判断有焊接异常的PCB板进行电子扫描显微镜观察;5)、对经过步骤4)处理的PCB板进行能谱分析。本发明所述的PCB板失效分析方法,其通过对PCB板进行外观光学检查、电性能检测、X-RAY射线检测以及电子扫描显微镜观察,可以有效、快速地检测出PCB板产生的失效现象。

电子设备失效分析方法及系统 590     

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一种电子设备失效分析方法及系统，用于对电子设备的功能失效原因进行分析，所述方法包括：建立总数据库，所述总数据库包括第一数据库，所述第一数据库内存储待分析电子设备的测试数据，所述测试数据包括待分析电子设备编号、测试名称、测试指令、测试相关的器件以及测试过程中出现的失效记录；图像化显示步骤，根据失效记录对应的测试数据图像化与所述失效现象相关的器件，生成并显示对应的第一图片，所述第一图片包括相关的器件以及所述相关的器件之间的信号收发状况；以及失效原因检查步骤，判断待分析电子设备的失效原因，并根据所述失效原因显示第一图片中造成所述失效现象的器件。

储能电站电池的失效分析方法及装置 702     

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本发明公开了一种储能电站电池的失效分析方法及装置，包括以下步骤：(1)对储能电池的状态进行在线评估，利用数据驱动模型分析储能电池单体各项参数健康度；(2)当至少一个参数的健康度低于设定的阈值时，通过电化学机理模型对该储能电池单体进行发热特性分析，根据分析结果对其进行容量校正和主动均衡；(3)若经过步骤(2)处理之后，仍检测到储能电站继续发出在线告警信号，则将劣化储能电池单体拆除；(4)离线诊断，找出电池失效原因。本发明将状态在线评估与性能离线诊断相结合，通过状态在线评估半定量分析电池单体失效的可能性，通过性能离线诊断定量检测电池失效程度，建立储能电站电池失效分析方法。

邦定失效分析方法 791     

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本发明公开一种邦定失效分析方法，包括如下步骤：S1：使用X-ray测厚仪测量镀层厚度；S2：用扫描电镜观察表面形貌是否存在异常；S3：若表面形貌异常，则用线扫分析表面是否存在局部无金，若是则判定为表面形貌异常是导致邦定不良的因素之一。本发明通过扫描电镜可快速观察经过邦定工艺之后的产品表面是否存在形貌异常，得出邦定不良的真实原因与表面形貌异常的关系，为邦定工艺的进一步改进提供基础。使用本方法，还能观察到产品表面是否存在异常污染，再经过针对性地清洗异常污染之后，检测、对比产品前后的邦定性能，可得知邦定不良的真实原因与异常元素污染的关系，为邦定工艺的进一步改进提供基础。

印制线路板烧板失效的根因分析方法及装置 1066     

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本申请提供一种印制线路板烧板失效的根因分析方法及装置，涉及印制线路板技术领域，该方法包括：获取烧板失效的印制线路板的失效基本信息；根据所述失效基本信息，获得所述印制线路板的失效模式；对所述印制线路板进行检测，得到对应的检测结果；根据所述检测结果和所述失效模式，分析得到所述印制线路板的失效根因。该方法及装置可以不用过多地依赖分析人的经验，通过采用合理规范的分析流程，准确地得到烧板失效的根本原因。

光耦失效分析方法 825     

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本发明提供了一种光耦失效分析方法,该方法包括以下步骤:A、对失效光耦进行外观检查,查看是否有明显磨损、开裂等现象;B、对比失效光耦和良品光耦的电性测试图,分析可能的失效原因;C、对比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射图片,寻找可能的失效原因;D、对失效光耦进行机械开封和化学开封,对开封后的失效光耦进行扫描电子显微镜观察和能谱仪分析;E、综合分析,确定失效光耦的具体失效原因。本发明有如下优点:本发明方法借助有限的分析仪器,在短时间内快速找到光耦失效的原因。

新型二极管失效分析装置 674     

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本发明公开了二极管检测领域内的新型二极管失效分析装置，包括箱体、反应釜，箱体上端设有进料口，箱体下端设有出料口；箱体顶端设有集风罩，集风罩的顶端设有抽风机，抽风机上连通有冷凝管；箱体的内壁设有两个并列的支撑臂，反应釜的中部铰接在两个支撑臂上；箱体的顶端内壁上设有气缸，气缸的输出端设有伸缩杆，伸缩杆的自由端设有连杆，连杆的另一端铰接在反应釜上；箱体底部设有废液收集箱，冷凝管的另一端与废液收集箱连通。本方案能够完成二极管失效分析实验的多次加热腐蚀，能对挥发的酸液进行抽离和冷凝回收，能对废弃的酸液进行集中回收处理，使实验的危险性更低，减少对环境的污染，更加环保，更方便对二极管进行失效分析实验。

发光芯片失效原因背面分析方法 647     

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本发明涉及一种发光芯片失效原因背面分析方法。该方法包括：S10、研磨抛光N电极上与光波导对应位置的金属陶瓷层，使光波导对应位置的N电极裸露；S20、在N电极上设置测试连接点，且测试连接点位于光波导在N电极的对应区域之外；S30、供电电路的正极连接P电极上的键合金属线，供电电路的负极连接测试连接点，供电电路提供供电电压以使发光芯片发光；S40、使用光检测设备检测发光芯片背面发出的光，根据获取光确定发光芯片的失效区域。本发明解决了光芯片表面覆盖金属层导致失效现象无法显现的问题，提高光芯片失效分析的准确率。

晶体三极管的失效分析方法 996     

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本发明提供一种晶体三极管的失效分析方法，包括以下步骤：对需要进行分析的晶体三极管样品进行外观观察，确认其是否破损之类；对晶体三极管样品进行电性检测，分析可能的实效原因；对晶体三极管样品进行X-Ray透视检查，确认晶体三极管的内部结构；将晶体三极管样品制作成金相切片样品；根据晶体三极管的内部结构，将金相切片样品逐一研磨至金线位置，并在金相显微镜下进行观察分析；综合上述步骤得出的结果，确定晶体三极管的失效原因。本发明与现有技术相比不同的是，本发明的方法提供了观察晶体三极管内部金线的结构与连接情况，从而更深入地找出晶体三极管失效的原因。

基于LIBS的锅炉受热面高温失效趋势快速分析装置 913     

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本实用新型公开了基于LIBS的锅炉受热面高温失效趋势快速分析装置，包括电源模块、脉冲激光光源模块、光谱探测模块、分析模块和光学组件，所述电源模块分别与脉冲激光光源模块、光谱探测模块和分析模块连接，分析模块与光谱探测模块连接，光谱探测模块还与脉冲激光光源模块连接，所述分析模块利用激光等离子体光谱特征指标与材料组织和力学性能指标之间的关联性，得到被测管道的组织状态和力学性能指标。本实用新型无需割管即可对受热面结构特性和机械性能进行快速分析，在宏观缺陷出现前判断其失效的趋势，可以有效提高检修期间金属检查的效率，促进快速失效分析技术的发展。

芯片失效分析方法 830     

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本发明提供一种芯片失效分析方法,用于检测芯片栅极的缺陷特征,其步骤包括:通过机械研磨去除进行失效分析的芯片的衬底和有源区的大部分;通过湿法刻蚀去除芯片残存的衬底和有源区;通过干法刻蚀去除芯片的栅氧层的大部分,保留的部分栅氧层用于保护栅极第一多晶硅层;检测所述第一多晶硅层是否存在缺陷特征。本发明方法可将芯片准确剥离至栅极第一层多晶硅的底部,测得其底部的精确尺寸参数,并可大大提高工作效率,节省时间成本。

芯片失效分析方法、装置、电子设备及存储介质 1066     

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本申请实施例公开一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：将主板的多个真实跌落姿态输入到训练完成的芯片失效分析模型；主板包括一个或多个测试芯片；通过芯片失效分析模型输出每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值，并根据每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值生成与每个真实跌落姿态对应的预测应力值数组；从主板中检测到一个或多个失效芯片时，根据每个失效芯片在多个真实跌落姿态分别对应的预测应力值数组中的预测应力值，确定出导致失效芯片失效的目标跌落姿态。实施本申请实施例，能够准确、高效地复现芯片的失效场景，从而实现对芯片的失效分析。