有色金属失效分析技术理论与应用

对栅氧化层进行失效分析的方法 631     

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为了解决现有技术中失效晶片检测过程极为复杂、检测周期相对较长、容易产生失败检测结果、检测成本较高等一系列问题,本发明提供一种对栅氧化层进行失效分析的方法,包括:用热凝胶将失效晶片倒贴在基片上,所述失效晶片包括衬底及衬底上的栅氧化层;将所述失效晶片的衬底研磨至一定厚度或全部去除所述衬底;用碱性溶液浸泡所述晶片表面;对所述失效晶片进行观测,所述控制栅有损坏时,所述栅氧化层有缺陷;所述控制栅没有损坏时,所述栅氧化层完好。本发明的失效晶片检测方法简单、用时较短、不易失败、成本较低。

客车冷却系统失效分析方法及系统 873     

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本发明提供了一种客车冷却系统失效分析方法及系统，属于客车技术领域，客车冷却系统失效分析方法，S1:通过流量检测装置和温度检测装置，检测预设流量检测点冷却液的流量、预设温度检测点冷却液的温度；S2：将冷却液的流量与预设流量范围比较，将冷却液的温度与预设温度范围比较，分析冷却系统的失效方式。本发明具有检测方法简单合理，有效确保冷却系统正常工作，提高工作部件的使用寿命的优点。

基于高温光发射显微分析技术的失效点定位方法 1000     

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本发明提供一种基于高温光发射显微分析技术的失效点定位方法，属于失效分析技术领域，包括：提供一具有承载平台的加热装置、一温度监测装置、一电压激励源以及一检测组件，将测试样品放置于承载平台上，并将电压激励源连接测试样品；通过加热装置将测试样品加热到预定温度，温度监测装置提供给测试者监测测试样品的实时温度，在实时温度到达预定温度时通过电压激励源向测试样品施加预定数值的电压激励，通过检测组件进行基于光发射显微分析技术的检测操作得到失效点的定位信息。本发明的有益效果：定位处于高温状态下的测试样品的漏电失效点，以找到失效原因，提升经济效益。

失效分析标准流程调整方法及系统 884     

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本发明涉及一种失效分析标准流程调整方法及系统，属于失效分析技术领域，解决了现有失效分析标准流程无法动态调整和生成问题。包括基于历史维修记录获取故障点的良率，通过聚类分析故障点的良率，得到故障点中的正常点，统计正常点的故障发生概率；基于失效分析知识图谱，将正常点的故障发生概率作为相应检测步骤实体的故障发生概率；根据检测步骤实体及实体间的关系，获取各检测流程下具有顺序的检测步骤，作为初始步骤集合；根据检测步骤实体的故障发生概率，对初始步骤集合中的检测步骤顺序进行调整，根据调整后的初始步骤集合，得到各检测流程下调整后的失效分析检测流程。实现了失效分析标准流程的动态调整。

轴承失效分析方法 785     

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本发明涉及一种轴承失效分析方法，包括以下步骤：步骤1、查看和分析失效轴承或实验后的样品轴承；步骤2、对轴承精度进行检测；步骤3、查看和分析轴承内部油脂的状况；步骤4、查看和分析失效轴承或实验后的样品轴承内外圈沟道、钢球、保持架的表面状况；步骤5、测试和分析失效轴承或实验后的样品轴承内外圈沟道圆度；步骤6、材料分析；步骤7、汇总整理并下结论。本发明根据轴承逆向分析流程，通过这一流程进行分析，掌握分析要点，直达根本原因所在，找到轴承失效的根本原因。

塑料结构件失效原因的分析方法及装置 638     

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本发明公开了一种塑料结构件失效原因的分析方法及装置，所述方法包括：先获取待检测对象的样品数据，再根据样品数据判断所述待检测对象是否需要执行内应力分析：若是，则对待检测对象执行形貌分析、成分分析和内应力分析；否则对待检测对象执行形貌分析和成分分析，最后根据上述各分析结果，生成综合分析结果。采用本发明实施例提出的分析方法步骤详尽、重现性高，且通过采用多种分析方法对塑料结构件进行分析，提高了塑料结构件失效原因的分析结果的准确度。

半导体器件的失效分析方法及其设备 785     

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本发明揭示了一种半导体器件的失效分析方法及其设备，该方法包括以下步骤：S1：对半导体器件进行失效位置分析确认失效信息；S2：确认目标位置的观测对象包括单个对象还是多个对象；S3：如确定观测对象包括单个对象，则检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；S4：如确定观测对象包括多个对象确认观测单个对象，检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应单个对象的电路布局图，根据检测到的边界尺寸和方向，对单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。该方法可将观测画面的位置与实际电路布局图上的位置匹配，快速找到观测对象目标，提高了失效分析效率。

用于电力设备失效分析的专家系统及方法 739     

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本申请公开一种用于电力设备失效分析的专家系统及方法，专家系统包括：用户端、AI专家及人类专家端；人类专家端包括多个各领域的人类专家；用户端用于发送电力设备的视频、图像及数据信息至AI专家；AI专家用于对用户端传输的视频、图像及数据信息进行算法识别及分析；用户端补充并修正数据资料，同时根据AI专家的需求取样，将失效样品标识及送检，人类专家端用于对送检的失效样品检测及分析；AI专家用于根据算法识别及分析的数据或人类专家检测分析的数据给出分析结果；用户端用于根据分析结果对失效电力设备缺陷处理。采用的方案能够有效的解决电力设备失效分析工作中运维人员技术能力不足、失效分析多专业融合难度大及网络传输质量差等问题。

二次电池电芯的失效分析方法 613     

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本申请涉及二次电池电芯的失效分析方法。根据一实施例，一种二次电池电芯的失效分析方法包括：获取失效电芯的失效背景信息；对所述失效电芯进行外观检查以获取其外观信息；对所述失效电芯进行无损检测以获取其电化学信息和结构信息；对所述失效电芯进行拆解，并且记录拆解过程；对拆解后获得的所述失效电芯的内部元件进行预处理和取样；以及对所述内部元件的样品进行测试，并且将测试结果与参考电芯的测试结果相比较，以确定关于失效原因的初步结论。利用本发明的方法，能够系统全面地了解二次电池电芯的失效原因和机理，提高失效分析人员的效率和水平，同时积累失效分析数据库，对本行业的长远发展提供帮助。

存储芯片位线失效分析方法 891     

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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,用以对包含埋入式位线及金属位线结构的存储器芯片进行位线失效分析,每条所述埋入式位线与相应的所述金属位线之间通过多个位线接触窗相连,所述方法包括以下步骤:去除所述存储芯片的金属位线之上的钝化层、互连金属层及层间介质层,暴露出所述金属位线;通过电测试确定存储芯片上相互之间存在短路的两条金属位线,逐段切割其中的一条金属位线,使得该金属位线中连接于相邻位线接触窗的部分之间均被割断;去除存储芯片的衬底及包含在衬底内的埋入式位线,形成检测样片;对所述检测样片进行电势对比成像观测,确定所述短路金属位线的具体失效位置。

失效分析标准流程生成方法及系统 608     

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本发明涉及一种失效分析标准流程生成方法及系统，属于失效分析技术领域，解决了现有无法自动生成失效分析标准流程的问题。包括：构建失效分析知识图谱，基于失效分析知识图谱，构建新零件的物理结构类和故障现象类实体及其属性和关系，根据实体相似度，建立新零件与旧零件的实体对齐关系；依次取出新零件的故障现象类的检测项目实体，根据实体对齐关系，获取当前检测项目实体对应的旧零件的检测项目实体，根据旧零件的检测项目实体关联的物理结构类和检测流程类实体，构建新零件当前检测项目实体关联的检测流程类实体及其属性和关系；根据新零件的检测流程类实体及其属性和关系，生成失效分析标准流程。实现了失效分析标准流程的自动化和标准化。

存储器芯片位线失效分析方法 981     

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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,包括以下步骤:通过机械研磨去除待分析芯片的互连金属层和位线层的大部分;通过机械研磨去除待分析芯片的衬底的大部分;通过湿法刻蚀完全去除待分析芯片的残存的衬底;通过干法刻蚀去除待分析芯片位线接触窗底部的介质层的大部分,保留一薄层的介质层;对待分析芯片的位线接触窗的顶部进行检测,确定位线失效的具体位置。本发明方法可使待分析芯片充分减薄,可直接通过电子显微镜进行观测确定其位线短路失效的具体位置,大大提高了工作效率,节省了时间成本。

PCBA失效分析方法 950     

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本发明公开的属于PCBA失效分析方法技术领域，具体为一种PCBA失效分析方法，包括以下步骤：S1：对PCB板进行外观光学检查，判断其是否有污染、开裂或烧焦现象；S2：对步骤S1中判断有污染的PCB板通过红外光谱分析判断其是否有机物污染，若有，检测出有机物种类；通过元素分析判断其是否有无机物污染，若有，检测出无机物种类；S3：对步骤S1中判断有污染或开裂的PCB板进行电性能检测，判断其是否有电性异常；本发明的PCBA失效分析方法对PCB板的失效分析全面，本发明通过外观光学检查、污染物检测、电性能检测、X‑RAY射线检测、金相显微镜检测和SEM+EDS分析，能够有效的检测处PCB板的失效原因。

半导体器件失效分析方法、装置、设备及存储介质 905     

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本发明实施例提供的半导体器件失效分析方法、装置、设备及存储介质，通过物理检测获取正常半导体器件的目标检测参数，目标检测参数包括正常半导体器件对应失效半导体器件上的失效点区域的检测参数，其包括失效点区域的表面检测参数、失效点区域的元素浓度检测参数、失效点区域的剖面检测参数；然后将获取到的目标检测参数作为预设仿真算法的输入参数输入，通过预设仿真算法结合预测失效结果，从而得到失效半导体器件的失效原因。也即本发明实施例实现了对失效半导体器件失效原因的逆向分析，以真实的失效半导体器件作为直接的分析对象，分析结果为全面、准确。

失效检测方法以及失效检测装置 990     

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一种失效检测方法以及失效分析装置,用于检测导电体上的缺陷,所述失效检测方法包括:在待测导电体上设置至少两个输出端,且所述输出端电势位相等;依次向所述待测导电体上沿预定路径排列的检测点输入恒定的检测电流;检测各输出端的输出电流;基于各检测点的位置信息以及各输出端的输出电流信息,建立输出端输出电流与检测点位置之间的对应关系;根据所述对应关系判定检测点是否存在缺陷。本发明所提供的失效检测方法,能够精确进行缺陷定位;并且使用带电粒子束作为检测电流源以避免照射点的尺寸限制,满足了小尺寸失效分析的需求。

二极管失效分析装置及其对二极管分析方法 838     

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本发明涉及一种二极管失效分析装置及其对二极管分析方法。它包括本体、储物柜、排污管、水池、抽风挡板、进水管、电热炉，本体上端中间开有工作空间，工作空间内侧斜上方装有抽风挡板，工作空间中间一侧有进水管装在本体内侧，工作空间下端一侧开有水池，抽风挡板是倾斜安装在本体内部上端，抽风挡板与本体内部上端之间是镂空空间，镂空空间下端连接排污管，镂空空间上端有抽风口，抽风口上端装有抽风机，抽风机上端连接排气管，排气管另一端连接通往废气收集机构。优点是装置设计巧妙，使用方便，结构简单紧凑，安全可靠，采用侧吸式解决了气体上冲或者冷凝液滴下问题，排出气体通过废气回收装置回收，保护环境，提高工作效率。

高阶芯片失效分析物理去层分析方法 1033     

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本发明公开了一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法，包括：提供芯片及芯片上待进行物理去层的关注区域，芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N-2金属层、第N-1金属层以及第N金属层，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蚀第N金属层、第N-1金属层、第N-2金属层、……、第二金属层以及第一金属层；其中，刻蚀第N-1金属层，包括：采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀关注区域内的第N-1金属层上的氧化层；采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀第N-1金属层上的氧化层至关注区域内的第N-1金属层露出金属铜；研磨金属铜至关注区域内的第N-1金属层完全去除。

失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法 585     

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本发明公开了一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法。该方法使用手动研磨代替聚焦离子束来制备TEM样品，使样品中的晶格缺陷在极小或极浅的情况下均能被发现，而且不受晶格缺陷的方向的影响。极大地促进了晶格缺陷的发现与观测，准确率高，对TEM样品的制备的研究具有重要意义。

基于大数据分析的设备失效模式诊断特征参量分析方法 771     

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本发明涉及基于大数据分析的设备失效模式诊断特征参量分析方法。本发明先通过检验样本获得设备的失效或故障模式，进一步通过极大似然估计后的函数f对特征参数求偏导数，通过偏导数绝对值的大小来判定特定失效或故障模式中不同特征参数的重要度。即通过对偏导数绝对值进行排序，就可以识别出设备失效或故障模式的关键特征参量，这为开展设备的失效或故障模式诊断指明了方向。

TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法 756     

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本发明公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法，该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成；反光盒由外壳、外壳中两个互成90°的反光镜和外壳顶部开口处的透明玻璃组成，反光镜与外壳底面夹角为45°；探针系统包括探针、探针臂和探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针上连接导线，导线与测试装置或电源连接。该装置利用反光镜改变光线方向，不需背面镜头，就可以用于分析MEMS芯片的失效机理，结构简单，效果好。本发明的分析方法为：将待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上，在压焊块上扎上探针；通过导线向MEMS结构输入激励电压；通过显微镜观察MEMS结构的响应判断MEMS器件的失效机理。该方法操作简单，能够快速、准确地对待分析MEMS芯片进行失效分析。

电子产品失效分析系统及分析方法 607     

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本发明公开了一种电子产品失效分析系统及分析方法，属于电子产品失效分析技术领域，包括产品信息获取模块和产品外观比对分析模块，所述产品信息获取模块的输出端与产品外观比对分析模块的输入端电性连接；本发明通过在系统内部同时设置有外观分析、测试分析与非破坏分析，可有效保证该系统对于产品失效分析的全面性与有效性，通过在该系统内还设置有数据综合处理模块，可对于失效原因进行汇总分析，从而给出解决电子产品的失效原因的成本，同时可根据失效原因给出一些产品使用建议，从而可有效为电子产品的生产厂家提供有效的改善生产的理论依据，同时可给予用户有效的避雷建议，从而有效降低电子产品使用时的失效率，提高了该系统的应用效果。

用于电源滤波器失效分析的失效模式确认及拆解方法 891     

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本发明公开了一种用于电源滤波器失效分析的失效模式确认及拆解方法，包括以下步骤：失效模式确认；电源滤波器拆解，具体包括以下步骤：开盖；去外壳；预热；匀速升温；取出保温；局部点吹；去除点吹部位的环氧树脂；重复局部点吹和去除点吹部位的环氧树脂，直至所有环氧树脂被去除，得到电路组件。本发明通过预热、匀速分段升温、保温、局部点吹加热的方法将灌封组件的环氧树脂进行软化，软化后再通过掏胶工具对环氧树脂进行局部掏出，可在完全不损伤电路组件的前提下完成环氧树脂的解剖，最终实现对环氧树脂灌封的电源滤波器的顺利拆解，得到的电路组件完整，没有二次损伤，环氧树脂被全部取出，显著有利于后期失效分析的准确性提高。

半导体器件失效分析样品制作方法及分析方法 941     

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一种半导体器件失效分析样品的制作方法，本发明所提供的半导体器件失效分析样品的制作方法包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；去除晶片背面的封装覆层，直至暴露晶片焊垫；去除晶片焊垫；去除晶片背面的封装覆层，暴露引脚框架，不暴露晶片内的引线。相应地，本发明还提供一种半导体器件失效分析方法。采用本发明所提供的半导体器件失效分析样品制作方法和分析方法可以有效提高实效分析的效率，并且在暴露晶片背面的时候能够避免对晶片造成损伤。

于失效分析中观察失效区域的样品制作方法 1062     

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本发明公开一种于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，包括以下步骤，首先，提供一芯片，将进行失效分析。其次，在该芯片周围点上保护胶固定在一小基板上，使该芯片在研磨时不会造成破损。其次，将该芯片倒置固定在一支撑基板上。最后，灌入卸取胶使该芯片能固定在一承载基板上，且在进行失效分析中在判断出失效区域后能将该芯片卸取进而确认其失效原由。本发明方法能制作于失效分析中观察失效区域的样品，以便对于特定失效区域进行后续芯片结构及失效原由确认。

考虑质量偏差与失效相关性的早期失效风险分析方法 949     

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一种考虑质量偏差与失效相关性的早期失效风险分析方法，其步骤如下：一、建立相关产品的基础数据库；二、建立早期失效动态故障树，明确产品早期失效相关的各组件动态相关关系；三、分析各组件固有早期失效风险可能性；四、分析各组件固有早期失效风险严重性；五、分析各组件相关早期失效风险可能性；六、分析各组件相关早期失效风险严重性；七、分析产品早期失效风险；八、识别早期失效风险较高组件；九、结果分析；通过以上步骤，达到了从风险角度出发综合考虑制造质量偏差与早期失效相关性分析早期失效的目的，为企业进一步面向制造过程主动预防早期失效，开展高效的质量管理提供决策依据，有利于持续提高企业生产效益和产品质量。

GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法 1022     

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本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。

考虑失效传递和失效模式共因的故障树分析方法 1029     

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本发明公开了一种考虑失效传递和失效模式共因的故障树分析方法，包括以下步骤：同层基本事件独立不相关性分析；中间层事件和关键底事件限制相关参数等级标准建立；基于基本事件基本属性和基本事件分类方法的相关性组合模型；随机扰动源作用下失效模式共因失效分析；考虑共因失效的失效模式串联系统故障树顶事件概率分析。本发明所述分析方法计算结果准确，适合推广应用。

半导体功率器件失效分析的失效点定位方法 851     

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本发明提供了一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，包括以下步骤：利用化学腐蚀剥层技术对覆盖在功率器件表面的金属铝层进行化学腐蚀，将铝层完全腐蚀去除，同时完整保留金属铝下层的阻挡层；利用微光显微镜和光束诱导电阻变化技术对功率器件进行正面定位，模拟失效情况下的电性条件，以及使用点针的方法进行加电，模拟电性条件，找出可能的失效点；利用电子封装组装失效分析工具对之前步骤的定位结果进行电子封装组装失效分析的物理验证，找出最终的物理失效点。本发明有以下优点：有效地对金属铝层进行剥离，同时保持了阻挡层的完整性；极大地加快了半导体功率器件失效点定位工作的速度和效率，同时保持了很高的精度。

失效点的定位方法及芯片的失效分析方法 891     

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本申请提供了一种失效点的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括衬底和位于衬底的器件，该定位方法包括：对芯片的背面进行减薄处理至接近器件；对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件；以及对离子束轰击处理后的芯片的正面进行电子束扫描，以定位芯片中的失效点的位置。该定位方法通过对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件并使器件中产生击穿区域，从而在利用电子束对芯片的待测表面进行扫描时，待测表面上产生的表面电荷能够从器件表面沿着击穿区域被释放掉，减少了表面电荷对器件表面电势的影响，进而能够精确地获得器件中失效点的位置。

H型钢失效分析取样及分析方法 866     

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本发明公开了一种H型钢失效分析取样及分析方法，腹板裂纹和矫直裂纹是异型坯生产H型钢中常出现的两种裂纹失效形式，其中腹板裂纹位于H型钢腹板位置，但腹板裂纹和矫直裂纹有时产生部位都在腹板与翼板连接R角处难以进行区分；本发明主要是提供一种判别H型钢失效形式的方法，及方法实施过程中的取样位置及检测分析法。