本发明提供一种晶体三极管的失效分析方法,包括以下步骤:对需要进行分析的晶体三极管样品进行外观观察,确认其是否破损之类;对晶体三极管样品进行电性检测,分析可能的实效原因;对晶体三极管样品进行X-Ray透视检查,确认晶体三极管的内部结构;将晶体三极管样品制作成金相切片样品;根据晶体三极管的内部结构,将金相切片样品逐一研磨至金线位置,并在金相显微镜下进行观察分析;综合上述步骤得出的结果,确定晶体三极管的失效原因。本发明与现有技术相比不同的是,本发明的方法提供了观察晶体三极管内部金线的结构与连接情况,从而更深入地找出晶体三极管失效的原因。
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