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发光芯片失效原因背面分析方法

643   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:29
本发明涉及一种发光芯片失效原因背面分析方法。该方法包括:S10、研磨抛光N电极上与光波导对应位置的金属陶瓷层,使光波导对应位置的N电极裸露;S20、在N电极上设置测试连接点,且测试连接点位于光波导在N电极的对应区域之外;S30、供电电路的正极连接P电极上的键合金属线,供电电路的负极连接测试连接点,供电电路提供供电电压以使发光芯片发光;S40、使用光检测设备检测发光芯片背面发出的光,根据获取光确定发光芯片的失效区域。本发明解决了光芯片表面覆盖金属层导致失效现象无法显现的问题,提高光芯片失效分析的准确率。
声明:
“发光芯片失效原因背面分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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