本发明公开了一种车载直流降压
芯片失效分析方法,包括以下步骤:步骤1)外观检查;步骤2)良品与不良品I/V测试对比分析;步骤3)无损探伤对比分析;步骤4)开封内部检查;步骤5)EMMI对比分析;步骤6)汇总记录,定位车载直流降压芯片失效位置。本发明一种便捷、高效的分析方法,能够快速定位芯片失效位置,并准确分析出失效应力来源。
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“车载直流降压芯片失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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