本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法,包括步骤1,去除待分析样品的金属互连层,获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品;步骤2,基于PVC法,采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层,并观察其是否发亮;是,则所述待分析样品存在GOI失效点,执行步骤3;否,则所述待分析样品不存在GOI失效点,结束操作;步骤3,将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域;步骤4,再次基于PVC法,采用电子束照射所述区域,并找出所述区域中发亮的salicide层;步骤5,循环执行步骤3和步骤4,直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时,结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位,且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。
声明:
“GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)