安徽有色金属失效分析技术理论与应用

晶圆研磨方法及晶圆失效分析方法 653     

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本发明涉及一种晶圆研磨方法及晶圆失效分析方法。所述晶圆研磨方法包括如下步骤：提供初始晶圆，位于所述初始晶圆的边缘的裸芯片中具有测试地址；形成重组晶圆，使得具有所述测试地址的裸芯片位于所述重组晶圆的中部；进行至少一次如下循环步骤，所述循环步骤包括：于所述重组晶圆暴露的当前层上形成保护层，所述保护层至少位于所述测试地址上方；研磨所述重组晶圆中未被所述保护层覆盖的所述当前层；去除所述保护层和所述保护层下方残留的所述当前层；判断所述测试地址是否暴露，若否，则以暴露的所述下一层作为下一次循环步骤的当前层。本发明能够使得测试地址能够完整、平坦的暴露，减少甚至是避免了栅极本体的漏电问题。

实现功能和失效关联的FMEA分析方法和装置 736     

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本发明涉及产品或过程的失效分析技术领域，具体涉及一种实现功能和失效关联的FMEA分析方法，包括如下步骤：输入上级要求并界定分析的范围和目的；创建产品“结构树”，并生成产品“结构树”的功能；利用功能失效矩阵识别功能间的上下级传递关系并关联，生成功能网；在已识别的功能关联基础上识别失效内容并关联，生成失效网；根据功能和失效关联后完成风险分析和优化；输出基于功能和失效关联的DFMEA结果。本发明使得逻辑清晰且操作简单。

TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置 804     

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本实用新型公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置，该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成；反光盒由外壳、反光镜和透明玻璃组成，反光镜包括两个互成90°角的左反光镜和右反光镜，左反光镜和右反光镜都是镜面朝上地置于外壳中，左反光镜和右反光镜与外壳底面夹角都为45°，透明玻璃覆盖在外壳顶部开口处；探针系统包括探针、探针臂和探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针上连接导线，导线与测试装置或电源连接；反光盒置于显微镜的载物台上，显微镜的物镜位于反光盒上方。该装置只需特制一个反光盒，利用反光盒内反光镜改变光线的方向，不需要背面显微镜镜头，就可以观察到MEMS结构的运动情况，分析MEMS芯片的失效机理，结构简单，效果好。

芯片可持续失效分析方法 737     

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本发明公开了一种芯片可持续失效分析方法，包括：1)将对准卡(3)套设于芯片(2)的外部并将所述芯片(2)固定于所述基座(1)；2)将针托架(4)上测试针的一端设置于所述芯片(2)的顶部，接着将缓冲框(5)覆盖所述对准卡(3)的顶部以使得所述测试针、对准卡(3)相接触，然后将所述测试针的另一端通过连接孔(6)固定于所述基座(1)上；3)将缓冲垫(7)分布于所述缓冲框(5)的两侧，接着将固定卡(8)设置于缓冲垫(7)的顶部以使得所述缓冲垫(7)固定于所述基座(1)的顶部。该芯片可持续失效分析方法能够重复地对芯片进行失效分析，同时成本低。

逻辑芯片漏电失效分析方法 803     

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本发明提供一种逻辑芯片漏电失效分析方法，属于半导体制造技术领域，逻辑芯片漏电失效分析方法包括：提供一设置有至少两个栅极结构的晶体管结构的测量样品，所述测量样品中的晶体管结构存在亮电压对比缺陷；通过给一部分的所述栅极结构施加工作电压，并给剩余部分的所述栅极结构提供0电压，以对所述测量样品进行纳米探针电性测试，从而定位出所述晶体管结构具体的漏电失效位置，实现了逻辑芯片漏电失效分析时的精确定位，其有利于找到引起漏电失效问题的真因，从而有利于在制程优化时得到有效的优化方法。

软包锂离子电池失效分析方法 861     

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本发明的一种软包锂离子电池失效分析方法，可解决现有的对锂离子电池失效分析方法较为单一，不能充分、全面的说明锂离子电池的失效机理的技术问题。通过记录电池失效前容量Q0和失效后容量Q1；把电池剪开，重新注入电解液后，抽真空再次封装，测试重注液电池容量Q2以及重注液后电池深度放电容量Q3；在充满惰性气体下拆解电池，通过原子吸收测试负极失效前、后锂含量分别为Wn0%和Wn1%；在充满惰性气体中组装成正极扣电，测试失效前、后正极稳定克容量分别为C0和C1；根据上述步骤计算影响因素容量。本发明能够清楚、直观地得到各个因素对锂离子电池失效的影响，分析其影响失效的主要因素，有针对性对电池进行改善，有利于提高电池的循环以及安全性能。

芯片的失效分析方法及系统 788     

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本发明公开了一种芯片的失效分析方法及系统，其中所述芯片的失效分析方法至少包括：提供一失效芯片，在失效芯片上标记出失效点的位置；根据失效点到失效芯片的侧边的距离，在失效芯片上设置取样图形，使失效点的投影位于取样图形的中央；沿着取样图形的边线，分裂失效芯片，获得失效图形芯片和多个辅助图形芯片；拼接失效图形芯片和辅助图形芯片，获得组合图形芯片；以及研磨组合图形芯片，至失效点露出，并通过探针测试失效芯片的失效区域。本发明提供了一种芯片的失效分析方法及系统，能够提升芯片失效分析的准确性和分析效率。

失效芯片的分析方法 719     

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本发明公开了一种失效芯片的分析方法，属于芯片检测领域。所述解封方法包括：裁剪部分失效芯片，以减少所述失效芯片上封装膜的表面积；将所述失效芯片放置于第一酸性溶液内，所述第一酸性溶液的温度为20℃~60℃；所述封装膜去除后，将所述失效芯片放置于第一有机溶剂中清洗；将所述失效芯片放置于第二酸性溶液内；对所述第二酸性溶液进行加热，且加热温度为50℃~150℃；将所述失效芯片放置于第二有机溶剂中清洗；以及将所述失效芯片置于显微镜下进行检测。通过本发明提供的一种失效芯片的分析方法，可提高失效芯片的分析可靠性。

基于大数据分析的设备失效模式诊断特征参量分析方法 816     

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本发明涉及基于大数据分析的设备失效模式诊断特征参量分析方法。本发明先通过检验样本获得设备的失效或故障模式，进一步通过极大似然估计后的函数f对特征参数求偏导数，通过偏导数绝对值的大小来判定特定失效或故障模式中不同特征参数的重要度。即通过对偏导数绝对值进行排序，就可以识别出设备失效或故障模式的关键特征参量，这为开展设备的失效或故障模式诊断指明了方向。

TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法 807     

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本发明公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法，该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成；反光盒由外壳、外壳中两个互成90°的反光镜和外壳顶部开口处的透明玻璃组成，反光镜与外壳底面夹角为45°；探针系统包括探针、探针臂和探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针上连接导线，导线与测试装置或电源连接。该装置利用反光镜改变光线方向，不需背面镜头，就可以用于分析MEMS芯片的失效机理，结构简单，效果好。本发明的分析方法为：将待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上，在压焊块上扎上探针；通过导线向MEMS结构输入激励电压；通过显微镜观察MEMS结构的响应判断MEMS器件的失效机理。该方法操作简单，能够快速、准确地对待分析MEMS芯片进行失效分析。

产品失效知识库建立方法与失效分析方法、装置、介质 700     

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本公开提供了一种产品失效知识库建立方法与产品失效分析方法、装置、设备、介质，属于计算机技术领域。该产品失效知识库建立方法包括：获取多组失效产品数据，包括设计数据、工艺数据与缺陷数据；根据设计数据和/或工艺数据对失效产品数据进行聚类，得到多个失效类别；分别对各失效类别的缺陷数据进行随机性检验，以确定失效类别为随机失效模式或非随机失效模式；对各非随机失效模式的失效产品数据进行关联规则挖掘，得到各非随机失效模式的失效根因数据；根据各失效类别的随机失效模式/非随机失效模式分类结果与各非随机失效模式的失效根因数据，建立产品失效知识库。本公开可以实现对未知失效模式的分析，并提高分析效率。

失效分析结构的制备方法及失效分析方法 944     

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本发明涉及一种失效分析结构的制备方法及失效分析方法。失效分析结构的制备方法包括：提供待分析样品，待分析样品包括待分析芯片及承载基底，承载基底位于待分析芯片的正面；提供底板；将待分析样品贴置于底板上，待分析芯片的背面朝向底板；形成防护层，防护层至少覆盖待分析芯片的侧壁；使用腐蚀液去除承载基底。本发明的失效分析结构的制备方法，在去除承载基底的过程中无需使用到离子刻蚀机等复杂设备，操作方便，且没有氯气等腐蚀性气体的使用，不会对待分析芯片造成腐蚀破坏；并且通过形成防护层至少覆盖待分析芯片的侧壁，因此去除承载基底的过程中不会损伤芯片的侧壁，进而不会破坏芯片的信息及定位图案，以便后续对芯片进行信息确认。

芯片失效分析用测试装置 871     

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本实用新型提供一种芯片表面放电的失效分析用测试装置，包括基座、夹持件和导电件，夹持件可移动的连接在基座上，导电件可旋转的连接在基座上，基座、夹持件和导电件的材料均为导电金属材料；当置于SEM机台的操作台上时，夹持件夹持芯片，芯片通过夹持件分别与基座和导电件电连接，基座和导电件均与操作台上的接地端连接，以通过基座在SEM机台的操作台上的接地端连接，降低芯片在测试时出现的芯片表面放电的问题，导电件可以增加芯片接触接地端(碳胶)的面积，从而解决了芯片在SEM机台上测试时出现的芯片表面放电的问题，该装置没有在芯片的四周点碳胶，没有去除碳胶以及点碳胶的过程，从而减少了在芯片周围反复点碳胶所耗费的时间。

测试设备、失效分析方法和测试系统 669     

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本公开实施例提供了一种测试设备、失效分析方法和测试系统，该测试设备包括芯片载台和用于支撑芯片载台的支撑底座，且支撑底座内设置有比较模块和可调电阻模块；其中，芯片载台，用于承载被测芯片；比较模块，与可调电阻模块连接，用于对被测芯片中待测试层的接地电压与芯片载台的接地电压进行比较，根据比较结果和可调电阻模块对待测试层的接地电阻进行调节，以降低待测试层的表面荷电效应。本公开实施例能够降低待测试层的接地点和芯片载台的接地点之间的信号干扰，改善EBAC的成像效果，使得在对被测芯片进行失效分析时，可以快速且准确地定位失效点。