本发明提供一种逻辑
芯片漏电失效分析方法,属于半导体制造技术领域,逻辑芯片漏电失效分析方法包括:提供一设置有至少两个栅极结构的晶体管结构的测量样品,所述测量样品中的晶体管结构存在亮电压对比缺陷;通过给一部分的所述栅极结构施加工作电压,并给剩余部分的所述栅极结构提供0电压,以对所述测量样品进行纳米探针电性测试,从而定位出所述晶体管结构具体的漏电失效位置,实现了逻辑芯片漏电失效分析时的精确定位,其有利于找到引起漏电失效问题的真因,从而有利于在制程优化时得到有效的优化方法。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)