2125
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为了解决钨铜功能梯度材料烧结时间长,Cu容易流失,工艺复杂,成本高昂等问题,本发明提供了一种钨铜功能梯度材料及其制备方法,通过化学镀粉和快速烧结解决上述问题。
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目前钛基氧氮化物TiO xN y纳米材料的制备方法主要有:脉冲磁控管制备薄膜、固相分解法、氧化还原法等。这些方法或多或少存在着些许缺陷,如脉冲磁控法需要很高的功率。固相分解法是在空气中退火以及在氨中退火得到最终的钛基氧氮化物TiO xN y纳米催化剂,这些制备方法大多合成的是钛基氧氮化物TiO xN y薄膜,方法繁琐,钛基氧氮化物TiO xN y薄膜相比粉末来说利用性比较局限。有鉴于此,本发明提供一种新型的、简便的、有效的钛基氧氮化物纳米颗粒制备方法是十分有必要的。
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本发明提供了一种动力电池回收过程电极材料分离控制方法及系统,能够在动力电池回收过程中,保证正负极材料被粉碎成粉末状的前提下,使金属材料不被过度粉碎,从而使得正负极金属与正负极材料有效分离。
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本发明属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种钙钛矿吸收层/空穴传输层界面的处理方法和钙钛矿太阳能电池。
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本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的硅基负极锂离子电池和锂金属负极锂离子电池的电性能较差的缺陷,从而提供一种负极片及其制备方法与电池。
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现有的技术中对材料表面修饰最有用的方式为表面包覆,通常使用一些氧化物等进行包覆,此方法虽然对材料的循环有一定提升但由于包覆后材料表面形成了一层氧化物与钠离子的复合盐从而使得钠离子依旧暴露在最表层,同样使材料无法达到产业化要求的稳定性。
1903
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本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法,通过本发明提供的半导体器件及其制作方法,可提高半导体器件的耐压性,获得高质量的半导体器件。
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本发明涉及半导体技术领域,具体地,涉及一种横向双扩散场效应晶体管制作方法、一种横向双扩散场效应晶体管、一种芯片和一种电路。
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石墨烯散热膜是一种先进复合材料,因其具有独特的晶粒取向,能将热量沿两个方向进行导热,减小热量的集中,所以石墨烯散热膜广泛应用于手机、电脑等功率较大且不易散热的设备中。本发明涉及石墨烯散热膜收卷技术领域,具体为一种石墨烯散热膜自动收卷装置。
本发明涉及柔性电化学传感器技术领域,特别涉及一种用于重金属离子快速检测的柔性电化学传感器及其制备方法和应用。
1914
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本发明涉及一种岩盐相六元高熵氧化物锂离子电池电极材料及其制备方法,该方法具体涉及高能机械球磨方法,可规模化制备高质量的单相高熵氧化物粉体材料,属于新储能材料领域范畴。
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本发明涉及锂离子电池材料技术领域,特别涉及一种高性能硅氧负极材料及其制备方法和应用。
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目前现有的新能源汽车用粉末冶金行星齿轮在实际使用时,因齿轮啮合转动使得自身温度升高,齿轮长时间处于高温状态下工作容易导致齿轮损坏,使用寿命低;因此,不满足现有的使用需求。本实用新型的目的在于提供一种新能源汽车用粉末冶金行星齿轮,以解决上述背景技术中提出的问题。
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本发明的目的是提供一种Al掺杂和La 4NiLiO 8包覆的正极材料、前驱体及其制备方法,通过同时实现镍系多元正极材料的掺杂和包覆,提升正极材料的界面稳定性,减少副反应的发生,稳定材料结构,最终提升电池电化学性能,延长电池寿命。
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本发明涉及钠离子电池技术领域,具体为一种隧道型锰基钠离子电池正极材料的制备方法。
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本发明涉及属于锂离子电池技术领域,尤其涉及一种包覆锂铝钛氧化物的 钴酸锂正极材料的制备方法。
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本发明属于电池材料技术领域,具体涉及高电压无钴前驱体、正极材料以及制备方法。
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本发明涉及电池技术领域,具体而言,涉及一种改性钴酸锂正极材料及其制备方法与锂离子电池。
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本发明旨在提供一种易于操作、低成本且高纯度、高容量、低残碱、与电解液发生副反应少的正极补锂剂制备方法。为实现该技术目的,本发明的方案是:一种正极补锂剂,所述正极补锂剂中Li 2NiO 2质量百分比大于95%,含碱质量百分比低于4.0%;
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本发明实施例提供了一种硅基材料及其制备方法和应用,通过硅氧烷材料的分散液混合膨胀石墨,利用液体高速剪切力剥离出石墨烯;同时,石墨烯表面负载着硅氧烷材料,经过高温作用,硅氧烷材料裂解生产氧化硅并被还原成纳米硅,与石墨烯原位复合得到本发明的硅基材料。
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本发明属于锂离子电池回收利用技术领域,具体涉及一种废旧三元锂离子电池正极材料的回收再生方法。
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本申请实施例通过提供一种电池用软包材料,解决现有技术中电池用软包材料在进入下游产业后具体产品信息难以追溯的问题,使每一批或每一卷电池用软包材料都具有独特的可追溯信息。
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本发明提供一种废旧动力电池的拆解装置,解决现有技术中,动力电池的切割效率以及电池外壳与电芯的分类回收效率低下的技术问题。
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本发明涉及锂离子电池技术领域,具体涉及一种负极片及其制备方法与锂离子电池。
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本发明属于负极材料热处理尾气净化领域,更具体的说涉及一种节能型负极材料热处理挥发有机废气净化处理系统。
2017
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本申请提供一种半导体器件及其制备方法,能够减少空洞的出现,从而优化半导体器件的电性和良率。
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本发明具体涉及掺杂锌后再溶解制备多级孔结构二氧化铈的方法,无机纳米材料制备相关技术领域。
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本发明涉及光伏接线盒测试技术领域,具体涉及一种光伏接线盒实景模拟测评方式及测试装置。
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