权利要求
1.高性能硅氧负极材料,其特征在于,所述高性能硅氧负极材料包括:多孔陶瓷、氧化亚硅和掺杂元素; 其中,所述高性能硅氧负极材料使用化学气相沉积法通过温度控制沉积速率制备得到,以所述多孔陶瓷作为骨架,所述氧化亚硅和掺杂元素以原子级内嵌分布在所述多孔陶瓷的孔隙内; 所述多孔陶瓷的孔隙的孔径在1nm-100nm之间; 所述高性能硅氧负极材料的孔隙率在0.5%-10%之间; 所述掺杂元素包括金属掺杂元素和/或非金属掺杂元素; 所述金属掺杂元素包括: 一种或多种Al、Na、Li、Mg、Ca、Ti、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Ge、Sn任意一种掺杂元素的物质; 所述非金属掺杂元素包括: 一种或多种B、N、P、S、C、As、Se任意一种掺杂元素的物质; 所述掺杂元素占所述氧化亚硅质量的百分比为0.1%-20%。2.根据权利要求1所述的高性能硅氧负极材料,其特征在于,所述氧化亚硅的质量占所述高性能硅氧负极材料总质量的百分比为50%-90%;所述多孔陶瓷占所述高性能硅氧负极材料总质量的百分比为10%-50%; 所述掺杂元素占所述氧化亚硅质量的百分比为0.5%-10%。 3.根据权利要求1所述的高性能硅氧负极材料,其特征在于,所述多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化镓、多孔氮化钛、多孔氮化硼中的一种或多种;所述多孔陶瓷的粒径Dv50在20nm-100μm之间,孔隙率在30%-90%之间。 4.根据权利要求1所述的高性能硅氧负极材料,其特征在于,所述高性能硅氧负极材料还包括碳包覆层;所述碳包覆层的质量占所述高性能硅氧负极材料总质量的百分比为0-20%。 5.上述权利要求1-4任一所述的高性能硅氧负极材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法为化学气相沉积法,包括: 将硅粉、二氧化硅粉末和含掺杂元素的材料的混合材料置于真空高温炉内,在减压条件下,加热升温,至所述混合材料气化后,得到第一混合气体;或将硅粉和二氧化硅粉的混合粉末置于真空高温炉内,在减压条件下,加热升温,至所述混合粉末气化后,通入所述含掺杂元素的材料的气体,得到第二混合气体; 将所述第一混合气体或所述第二混合气体沉积在所述多孔陶瓷的孔隙中,得到前驱体材料; 
声明:
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