权利要求
1.一种模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤a):提供待模拟的目标铝合金,并提供所述目标铝合金的目标热中子注量;
步骤b):根据所述目标热中子注量,确定所述目标铝合金中的目标Si元素含量,根据所述目标铝合金成分与所述目标Si元素含量,提供原料铸锭;
步骤c):利用所述原料铸锭雾化制粉,获得粉体原料,所述粉体原料为Si的过饱和固溶体;
步骤d):利用所述粉体原料烧结并热挤压得到铝合金棒材,对所述铝合金棒材进行均匀化热处理和时效处理,得到模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金。
2.根据权利要求1所述的模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金的制造方法,其特征在于,所述步骤b)中,所述原料铸锭按重量比计,含有:2.2%≤Mg≤3.9%,0.15%≤Cr≤0.35%,1%≤Si≤5.4%,Fe≤0.4%,Mn≤0.5%,Cu≤0.1%,Zn≤0.2%,Ti≤0.2%,余量为Al及不可避免的杂质。
3.根据权利要求1所述的模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金的制造方法,其特征在于,所述原料铸锭的制造方法为:
将所述目标铝合金熔化并添加Si元素直至达到所述目标Si元素含量并浇铸。
4.根据权利要求2所述的模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金的制造方法,其特征在于,所述原料铸锭的制造方法为:
将纯Al、Al-Si中间合金和Al-Cr中间合金在800℃-850℃下熔化得到合金熔体;
将所述合金熔体降温至650℃-700℃,加入纯Mg;
将所述合金熔体加热至740℃-780℃,精炼并浇铸。
5.根据权利要求3或4所述的模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金的制造方法,其特征在于,所述步骤d)中,所述粉体原料的烧结条件为,加热温度380℃-420℃,烧结压力40MPa-60MPa。
6.根据权利要求2所述的模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金的制造方法,其特征在于,所述步骤d)中,所述均匀化热处理温度为480℃-520℃,热处理时长为18h-24h。
7.根据权利要求6所述的模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金的制造方法,其特征在于,所述步骤d)中,所述时效处理温度为150℃-
声明:
“模拟中子辐照嬗变硅效应的铝合金及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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