权利要求
1.半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底上表面形成有第一功能层和位于所述第一功能层上表面的第二功能层； 形成贯穿所述第一功能层和第二功能层的开口，所述开口暴露所述衬底上表面； 沿所述开口刻蚀所述衬底，形成位于所述衬底内部的沟槽； 沿所述开口侧壁，对各功能层进行回退处理，使所述各功能层相对于所述沟槽的沟槽口边缘向沟槽外侧方向发生回退，暴露出所述沟槽顶部边缘的部分衬底表面，且所述第二功能层的回退量大于所述第一功能层的回退量； 对所述沟槽侧壁和衬底表面衔接的上转角进行圆弧化处理，所述圆弧化处理过程对所述第一功能层造成腐蚀，使得所述第一功能层最终回退量小于或等于所述第二功能层的最终回退量； 在所述沟槽以及所述开口内填充隔离材料层，以形成隔离结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述圆弧化处包括以下步骤： 在所述沟槽内形成第一氧化层，所述第一氧化层至少覆盖所述沟槽侧壁和衬底表面衔接的上转角的表面； 采用刻蚀工艺去除所述第一氧化层，所述刻蚀工艺沿所述开口侧壁处对所述第一功能层进行回退。 3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第一氧化层。 4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述圆弧化处理还包括以下步骤： 在去除所述第一氧化层后，在所述沟槽的底部和侧壁表面形成第二氧化层，所述第二氧化层至少覆盖所述沟槽的上转角。 5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用高浓度电浆沉积方法或高温氧化物沉积方法中的至少一种，在所述沟槽的底部和侧壁表面形成所述第一氧化层和/或第二氧化层。 6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，对所述各功能层进行回退处理，且所述干法刻蚀时使用的刻蚀气体中的气体分子的氢原子的个数大于或等于2个。 7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀所用的刻蚀气体对所述第二功能层与所述第一功能层的刻蚀速率比大于500:1；和/或， 所述刻蚀气体包括一氟甲烷或二氟甲烷中的至少一种。 8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀工艺，对所述各功能层进行回退处理包
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我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：广州粤芯半导体技术有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
