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本实用新型公开了高压直流系统交流柜，包括交流柜本体，所述交流柜本体的侧面固定安装有隔离板，所述隔离板的表面固定安装有绝缘拉杆，所述交流柜本体的正面固定安装有风扇，所述交流柜本体的正面固定安装有电能箱，所述交流柜本体的正面固定安装有电流检测盒，所述电流检测盒的表面设置有指示灯。该高压直流系统交流柜，通过设置隔离板与交流柜本体的侧壁形成有真空腔，同时隔离板为绝缘板，从而可对交流柜本体的内部进行隔热，防止触电事故的发生，提升了交流柜使用的安全性，若发生漏电，电流检测盒可通过指示灯的闪烁提示使用者交流柜发生漏电事故，方便了交流柜的检测和维护，极大地提升了交流柜使用的安全性。
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提供一种浸渍管清理器，包括浸渍管清理器台车、液压顶升、平台装置、定位挡板、除渣罐、除渣齿圈、控制台和控制器、吊耳、倾翻吊耳、浸渍管；除渣齿圈焊接在除渣罐的上口内沿，吊耳焊接在除渣罐的上口外沿，倾翻吊耳焊接在除渣罐的下端外沿；定位挡板焊接在平台装置上；除渣罐安装在平台装置的定位挡板上；平台装置固定安装在液压顶升的上面；控制液压顶升升降运动的控制台和控制器与液压顶升都固定安装在浸渍管清理器台车上；浸渍管位于出渣罐的上方。其优点是：本装置结构简单、操作方便、效果明显，浸渍管寿命长。实现了清理浸渍管渣圈同时清理掉落在渣罐里的钢渣，消除了安全隐患。最大程度保护浸渍管，保证了生产的顺行。
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本实用新型涉及饮用水生产设备技术领域，公开了一种饮用矿泉水生产用原水罐，包括罐体、盖设在所述罐体上的顶盖和底盖；所述罐体上部可拆卸地安装过滤网架，所述过滤网架上安装多个过滤网，所述过滤网的孔径从上到下依次减小；所述底盖上设置搅拌装置，所述搅拌装置包括位于底盖上方的搅拌桨，连接所述搅拌桨且穿过底盖的搅拌轴；所述搅拌轴连接搅拌电机的输出端。本实用新型通过过滤网架及过滤网的设置，避免了原水中大泥沙颗粒及其它可沉淀物质在原水罐底部的堆积，不会堵塞管路；搅拌装置的设置可以实现原水罐的自清洗，清洗方便，节省了人力。
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本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在金刚石层的上表面形成导电层；在所述导电层的上表面覆盖掩膜层；去除无源区域对应的掩膜层和导电层；分别去除源区对应的掩膜层和漏区对应的掩膜层；分别在所述源区和所述漏区形成源区高掺杂区和漏区高掺杂区；分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子；分别在所述源区高掺杂区的上表面和所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层，形成源极和漏极；在栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层，形成栅极。本发明能够提高器件的耐击穿特性，降低器件的欧姆接触电阻。
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本发明提供了一种MEMS环行器的封装方法，属于环行器封装技术领域，包括以下步骤：在晶圆的正面制备金属电路层，在晶圆的背面制备金属焊接层，获得成一体结构的多个芯片单元；在晶圆的背面制备焊料层；在背面向上的晶圆上每个芯片单元对应的位置放置金属载体，并将金属载体和晶圆背面焊接为一体；在正面向上的晶圆上每个芯片单元对应的位置点胶，将永磁体贴装在胶层表面，并将贴装了永磁体的晶圆上的胶层进行固化；将焊接了金属载体和贴装了永磁体的晶圆进行切割，获得独立的MEMS环行器。本发明提供的一种MEMS环行器的封装方法获得的MEMS环行器精度高、体积小、一致性好，并能够适用于批量封装制造。
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本发明涉及氮化硅陶瓷材料领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法。所述氮化硅陶瓷材料以重量百分比计，包括氮化硅86～95％，氧化镁2～4％，氧化铝1～3％，氧化钇2～7％。所述氮化硅陶瓷材料的制备方法包括将原料粉末混合，加入去离子水、聚乙烯醇水溶液和聚丙烯酸铵配成浆料，经干燥造粒、压制坯体后，常压、低温烧结得到成品。本发明提供的氮化硅陶瓷材料及其制备方法通过优选原料配比及比例，极大地改善了氮化硅陶瓷材料的烧结特性，使其可以在常压、低温条件下进行烧结；通过优化工艺流程和参数，显著地降低了氮化硅陶瓷材料的生产成本，提高了工作效率，使制得的氮化硅陶瓷材料具有较高的密度、机械强度以及耐高温性。
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本发明公开了一种TiC增强铜基电接触复合材料的制备方法，该制备方法包括原料准备、碳源制备、粉末压块与烧结和TiC自生反应合成等步骤。本发明具有制备工艺简单稳定、成本低、效率高、适合工业化生产和应用等特点。该制备方法所用碳源是通过球磨得到的Cu‑石墨包覆TiC混合粉末，合成的TiC粒径在0.5‑2.0m之间，在铜基体上分布均匀。所制备的TiC增强铜基电接触复合材料致密度高，可通过调整TiC的含量，实现复合材料强度、硬度和导电、导热性的优良结合，具有高强高导特性。
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本发明提供了一种Cr‑C‑N基金属陶瓷，涉及金属陶瓷材料技术领域。本发明提供的金属陶瓷由包括以下质量百分含量的组分制备得到：金属粉末10～40％，碳化物粉末5～30％，余量为Cr‑C‑N硬质相粉末；所述Cr‑C‑N硬质相粉末是由Cr、C和N三种元素形成的单相固溶体；所述Cr‑C‑N硬质相粉末中C的质量百分含量为0.1～9％，N的质量百分含量为0.1～11％，余量为Cr。本发明提供的Cr‑C‑N基金属陶瓷具有优异的硬度、韧性、热稳定性、耐磨和耐腐蚀性等综合性能，且烧结稳定性好。本发明还提供了所述金属陶瓷的制备方法，本发明提供的制备方法过程简单，条件易控，利于工业化推广。
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本发明提供了一种耐磨材料成型设备及方法，涉及耐磨材料技术领域，耐磨材料成型设备包括振动台、筒体、底板、上固定板以及下固定板；筒体设置于振动台上；筒体的上部沿周向设有若干个气嘴；底板设置于筒体的底部且与筒体可拆卸连接；上固定板设置于筒体的顶部且用于固定碳纤维的上端；下固定板与底板固接且用于固定碳纤维的下端。本发明提供的耐磨材料成型设备，筒体的上下两端分别设置上固定板和下固定板对碳纤维的上下两端进行固定，通过注料器向筒体内注射浆料以成型耐磨材料坯体，气嘴的设置有助于提高浆料落入筒体内的速度，振动台的振动作用便于保证浆料分布的均匀平整且使浆料中的磷片石墨趋于水平分布，保证密实的成型效果。
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本发明属于材料加工技术领域，具体涉及一种铝合金靶材及其制备方法。所述的铝合金靶材，以相应原子百分比的铜、硅和稀土元素为原料，制备铝合金靶材，改善所述铝合金靶材的导电性、抗腐蚀性能和抗氧化性能。具体地，铜的加入，使所述铝合金靶材的导电性能提高，硅的加入改变所述铝合金靶材的热膨胀系数，消除薄膜中产生的压缩残余应力，从而消除膜层起包现象，改善溅射镀膜膜层的表面质量。本发明的铝合金靶材的制备方法，先以全部的铜、硅、稀土元素和部分铝混合熔融制成母合金，所述母合金的制备过程使铜、硅和稀土元素更好地与铝熔融混合，再以熔融混合好的铝‑硅‑铜‑稀土合金与剩余部分的铝熔融铸锭，以解决硅、铜难熔融及成分均匀等问题，获得成分均匀的铝合金靶材。
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本实用新型提供一种提高甲醛浓度的装置，包括加热器和真空分离器；所述加热器为圆柱状，被上隔板和下隔板从下往上分隔成料液室、换热室和分离室；所述换热室内竖直设置若干换热管；料液室和分离室通过换热管连通；所述换热管顶端出口高于上隔板的水平高度；所述换热室的侧壁设有蒸汽进口和冷凝出口；所述料液室设有料液进口；所述分离室的顶端设有汽液混合出口；所述真空分离器包括支架和架设在支架上的且底面设置倒置的锥形封头的圆筒，所述圆筒外壁设有夹套；锥形封头的底设置第一出口，所述第一出口出设置防涡挡板；所述圆筒的顶端设置第二出口；所述圆筒的筒壁设置进料口；所述分离室的汽液混合出口与真空分离器的进料口通过连接管连接。
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本发明提供了一种双螺杆挤出机筒体内壁耐磨涂层的制备方法，采用双圆孔结构的钢管作为筒体外套，内置非金属芯管，底部采用耐火材料封底，采用反向浇注的方法在钢管内壁制备一层耐磨涂层，得到一种带耐磨涂层的整体式筒体，筒体外套的强度和合金层的耐磨性能优于普通真空烧结制备的带合金耐磨涂层的筒体，不仅解决了普通切割焊接双C型套筒接缝处塑料残存的问题，而且大大减少了螺杆、塑料高速运转过程中造成的磨损，延长了筒体的使用寿命，而且其制备工艺成本低，易操作，容易实现产业化。
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本发明涉及一种制备铁铝合金多孔材料的方法。该方法直接用于 生产以铁铝金属间化合物为基础的多孔材料，或过滤元件。本发明所 述的方法采用含铁铝成分的粉末，按设计的重量组分比混合，采用模 压成形制备制成片状或成形坯，压力控制在50～300MPa，或采用冷 等静压制备管状型坯，等静压力控制在50～200MPa；采用无压烧结 工艺，950～1250℃，烧结气氛为氢气或分解氨、或者采用真空烧结， 关键的改进在于上述的含铁铝成分的粉末包括粒径为300～1μm的 Fe粉和粒径为300～1μm的FexAly粉，其重量百分比为76.6-3.5％Fe 和23.4～96.2％FexAly。
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本发明涉及复合材料生产工艺中零部件制备领域，具体公开了一种梯度喷嘴的制备方法，包括如下步骤：按照梯度喷嘴的设计，将金属粉末与陶瓷增强颗粒均匀混合，制备出2‑15种不同陶瓷含量的复合粉末，并将粉末进行高能球磨机械合金化，分别向复合粉末中加入凝胶溶液，均匀搅拌形成流动性好的复合材料浆料，然后将几种浆料按照从外到内的顺序，依次加入固化剂倒入高速旋转的立式离心成形机中，待固化结束，经脱模、干燥、真空烧结，制得梯度喷嘴，所得喷嘴的梯度层数可以达到10层以上，单层烧结后厚度为0.3mm~10mm，工艺简单，能耗小，能够制备出大高径比的复合材料梯度喷嘴，具有提高喷嘴热稳定性能，抗冲蚀磨损能力的特点。
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本申请公开了一种碳化硅复合材料制备方法，包括：取碳纳米管和碳化硅粉，二者固体成份比例范围为2：98到5：95；将碳纳米管配制成浓度3％‑10％的碳纳米管水溶液；将碳化硅粉投入所述碳纳米管水溶液，球磨制成碳化硅混合浆料；将所述碳化硅混合浆料制成碳化硅复合坯体；将所述碳化硅复合坯体真空烧结，制成碳化硅复合材料。一种碳化硅复合材料，由碳纳米管和碳化硅制成，其中碳纳米管的固体含量为2％～5％(质量)，其余为碳化硅。本发明解决了半导体用碳化硅陶瓷机械加工时崩瓷问题，进一步提高了产品合格率和碳化硅陶瓷韧性，增强了碳化硅材料抗弯强度。
本发明涉及一种铁基合金的制备方法，其包括以下步骤：（1）以高纯铁、高纯镍和高纯钴为原料，在真空感应电炉内熔炼得到67.9Fe‑31.6Ni‑0.5Co母合金，然后过热到1980‑2020 K后，开始气雾化制粉，然后在500 目下过筛，再经气流分级机分级；(2)将步骤（1）中经气流分级机分级后粒径最小的粉末体放置在扫描电镜下观察，得到了颗粒表面光滑且无晶界存在的粉末体，作为原始单晶合金粉末体；(3)将步骤（2）中的所述原始单晶合金粉末体放入真空烧结炉中松装烧结，烧结时间为0‑60 min，得到合金粉末。本发明将制得的合金粉末应用于测试马氏体相变开始温度，发现了在一定范围内，伴随着本发明制备的铁基合金粉末体颗粒上的烧结颈的数量大幅增多，相应的MS温度大幅上升的规律。
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本发明属于材料加工技术领域，具体涉及一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法。本发明的制备方法，采用真空熔铸和锻轧结合，在真空感应熔炼炉内对纯度在99.9999％以上的高纯铝锭进行重熔成型，在室温下以冷轧和热处理的方法，制备出半导体芯片用超高纯、等轴细晶铝溅射靶材。所述的制备方法通过对高纯铝锭进行重熔进一步降低高纯铝锭的晶粒尺寸至1mm以下，大大简化后期塑性变形工艺，提高成材效率，降低生产成本，最终得到的超高纯、等轴细晶铝靶材其晶粒大小均一，且保持在100μm以下。
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一种MIM工艺用真空烧结炉，包括炉体、设置在炉体内部烧结区的加热系统、与炉体内部相连的冷却系统、与炉体内部烧结区相连的真空系统以及用于测量炉体内部指定区域的压力/和或温度的测控系统，炉体内部设置有阻热套，阻热套与炉体内部之间预留空腔；阻热套前后两端分别设置有阻热套仓门；冷却系统包括冷却水装置和鼓风装置，冷却水装置包括设置于炉体内壁与阻热套之间的空腔内的管束以及用于向管束内部供水的加压泵温度检测装置包括热电偶，热电偶的保护管位于阻热套内部，热电偶与炉体外壳相连处设置有气氛仓，气氛仓内充装有保护气，气氛仓设置有压力表。本实用新型的MIM工艺用真空烧结炉，在烧结过程中，性能更加安全可靠。
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本实用新型涉及一种带冷却装置的真空烧结炉，包括设有出气口A的真空烧结炉、与出气口A连通的冷却装置以及与冷却装置相连通并且设置有进气口A的真空泵，所述冷却装置包括壳体、设置在壳体上方的进气口B、设置在壳体下方的出气口B、设置在壳体右端的进水口、设置在壳体左端的出水口、设置在壳体内部左侧并且与壳体左端之间具有左间隙的分隔板A以及设置在壳体内部右侧且与壳体右端之间具有右间隙的分隔板B，冷却水的水流方向与真空烧结炉排出的气体方向相对，可使气体进行充分的冷却，分隔板A和分隔板B可防止壳体中真空烧结炉排出的气体通过进水口和出水口散发到空气中，进而得不到冷却并且使真空泵失去作用。
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本实用新型公开了一种真空烧结炉的测温系统，涉及烧结设备测温系统技术领域，尤其是一种真空烧结炉的测温系统，其包括：控制器、红外线测温仪、热电偶、时钟电路、通信模块以及显示模块；本实用新型测温系统设有至少两个红外测温仪，两个互为备用，热电偶作为校准红外测温仪的基准，通过比对热电偶的温度，找到测温不准的红外测温仪进行检修，另外一个作为温度检测基准源进行测温可靠性大为提高，减少了系统维护的时间和停机时间。本实用新型测温系统设有测温仪安装座，仅需要操作丝杆，即实现在密封真空烧结炉后对红外测温仪进行拆装，真空烧结炉无需停机操作，仅需要操作丝杆即实现密封，操作便利，效率高，不影响炉内气氛，实现了在线检修。
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本实用新型为电磁搅拌真空熔铸系统，涉及一种用于熔铸成型设备。其目的是为了提供一种封闭环保、电磁搅拌、熔铸成型高度集中、方便二次加料、提升合金熔铸均匀性的电磁搅拌真空熔铸系统。本实用新型电磁搅拌真空熔铸系统，包括炉体、炉盖，炉体与炉盖围覆成真空室，真空室上连接有真空系统，真空室内设有加热室，加热室的侧壁上连接有电磁搅拌器；炉盖上设有分步加料机构，分步加料机构与加热室连通；加热室上配设有成型模具，熔液流出加热室流入成型模具，成型模具连接在模具移动机构上；真空室上设有相连通的高压室，真空室与高压室之间设有中间门，中间门上连接有中间门执行机构，模具移动机构带动成型模具在真空室与高压室之间移动。
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