本发明属于材料加工技术领域,具体涉及一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法。本发明的制备方法,采用真空熔铸和锻轧结合,在真空感应熔炼炉内对纯度在99.9999%以上的高纯铝锭进行重熔成型,在室温下以冷轧和热处理的方法,制备出半导体
芯片用超高纯、等轴细晶铝溅射靶材。所述的制备方法通过对高纯铝锭进行重熔进一步降低高纯铝锭的晶粒尺寸至1mm以下,大大简化后期塑性变形工艺,提高成材效率,降低生产成本,最终得到的超高纯、等轴细晶铝靶材其晶粒大小均一,且保持在100μm以下。
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