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本发明涉及一种芯片交替布置无键合双面散热碳化硅MOSFET模块，模块由上、下碳化硅MOSFET芯片，上、下DBC基板，导电垫块，纳米银焊膏，高温焊料，功率端子，信号端子，硅凝胶和环氧树脂组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片分别焊接在上下DBC基板的覆铜层，同时对芯片表面电极做了镀金处理，通过导电垫块实现芯片表面电极与外部的电气连接，利用高温焊料将功率端子和信号端子从DBC基板的覆铜层引出。本发明用垫块完全取代了模块中的键合线，减小了寄生电感，提高了模块的可靠性。同时通过将芯片分别焊接在上、下DBC基板，实现双面散热的同时减小了芯片之间的热耦合效应，降低了模块的整体热阻。
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2024年12月06日 ~ 08日 
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