本发明涉及一种
芯片交替布置无键合双面散热碳化硅MOSFET模块,模块由上、下碳化硅MOSFET芯片,上、下DBC基板,导电垫块,纳米银焊膏,高温焊料,功率端子,信号端子,硅凝胶和环氧树脂组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片分别焊接在上下DBC基板的覆铜层,同时对芯片表面电极做了镀金处理,通过导电垫块实现芯片表面电极与外部的电气连接,利用高温焊料将功率端子和信号端子从DBC基板的覆铜层引出。本发明用垫块完全取代了模块中的键合线,减小了寄生电感,提高了模块的可靠性。同时通过将芯片分别焊接在上、下DBC基板,实现双面散热的同时减小了芯片之间的热耦合效应,降低了模块的整体热阻。
声明:
“芯片交替布置无键合双面散热碳化硅MOSFET模块及制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)