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本发明提供了一种失效的定位方法，用于定位按阵列排布的晶体管单元中栅极与有源区之间漏电的缺陷单元，上述定位方法包括：测量连接有源区的第一金属线和连接栅极的第二金属线之间的电阻，通过电阻比例确定上述缺陷单元所在的第一区域；使各个有源区接触孔和各个栅极接触孔相互电气隔离；短接第一区域中的各个栅极接触孔；以及对第一区域中的多列晶体管单元执行主动电压衬度分析，通过对比电压衬度图像，从第一区域中定位缺陷单元。通过本发明所提供的定位方法，能够从按阵列排布的众多晶体管单元中准确地找到nA级别的漏电缺陷所在的晶体管单元。有助于基于上述缺陷调整工艺，提高半导体器件的良率。
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一种车身制造工程领域的点焊连接失效数值模拟系统,本发明中,圆周应力失效判据生成模块根据点焊连接在冲击过程中的失效方式获得焊核圆周应力分布形式,生成圆周应力失效判据;失效极值应力及指数参数获得模块获得在四种外载荷的峰值条件下焊点临界失效应力极值及无量纲应力子项指数初值;焊点连接方式数值模拟模块中,建立拉剪、拉伸、拉弯、拉扭四种试样数值模型;显式动力学分析模块耦合圆周应力失效判据,仿真获得焊点单元模型连续分布的内应力及失效时刻焊点单元承受的极值应力;焊点失效材料知识库模块存储各应力分量的临界失效应力极值及无量纲应力子项指数初值。本发明提高碰撞仿真精度的同时不降低计算效率,降低设计开发成本。
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本发明公开了一种对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法，包括以下步骤：步骤一：根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；步骤二：使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分析定位。本发明在进行物理分析定位前建立起失效模型，能够使失效模型的建模具有系统性的特点，并且大大提高非挥发存储器故障点定位的逻辑严密性和精确度，从而提高失效分析的定位效率和成功率。
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本发明公开了一种用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法，包括：1)用酸去除功率金属氧化物晶体管芯片表面的铝层；2)对于铝层下含有Ti/TiN扩散阻挡层的芯片，直接扎针栅极、源极、漏极灌电流作EMMI或OBIRCH分析，定位出缺陷；对于铝层下无扩散阻挡层的芯片，在芯片内的无晶体管区域用FIB淀积两个金属垫，再在每个金属垫的边上用FIB淀积一个与该金属垫相连接的金属条，两个金属条的另一端分别连接到栅极和源极，利用两个金属垫和芯片背面漏极完成EMMI或OBIRCH测试，定位出缺陷。本发明的效果远远好于液晶分析，而且可以快速、精确地找到缺陷位置。
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本发明公开了一种背面式晶圆失效定位治具，包括：晶圆保护膜，用于贴在晶圆的正面，形成有将述晶圆的失效芯片的表面暴露的第一开口。框架，贴附在失效芯片外围的晶圆保护膜表面上，包括多个输入引脚和输出引脚，各IO管脚通过引线连接到对应的输入引脚。晶圆固定装置，用于固定放置晶圆并将晶圆的正面向下。在晶圆固定装置的下方设置有多根将输出引脚连接到外部测试系统的导线。本发明还公开了一种背面式晶圆失效定位方法。本发明能够及时、简单、快捷的实现背面抓点连接，能提高失效分析定位效率，并同时能保证晶圆的完整性和洁净性。
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本发明公开了一种快速定位集成电路失效位置的方法，包括：步骤S1，导通集成电路中的任意一个包含PN结的器件，并对所述集成电路失效点施加测试信号；步骤S2，使用热发射显微镜从正面和背面分别获取所述PN结和所述失效点的深度信息；步骤S3，通过比较所述PN结和所述失效点的深度信息来判断所述失效点的失效位置。能够快速定位失效位置是在芯片内部还是在封装上，提高失效分析的效率。
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本发明提供了一种钠硫电池失效的早期判断方法及其保护装置。其特征在于充电过程中在t2-t1≤20s的时间段内电压降V1-V2>50mV,认定钠硫电池失效,失效判断的测试项目为开路电压、充电电压、放电电压以及电池内阻。本发明利用钠硫电池表现的电化学特征,结合一种设计的性能评价方法,通过对钠硫电池技术参数的运行和分析,建立了一种钠硫电池失效的早期诊断方法;进一步设计一类保护装置,防止钠硫电池进一步失效或者失效扩大。
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本方法属于集成电路技术领域，涉及考虑重复单元相关性的系统失效率非线性估计方法，具体涉及一种考虑重复单元失效事件相关性的全系统失效率非线性快速估计方法，其包括步骤：估计低阶同步失效率；构造同步失效率的非线性模型，并根据已得到的低阶同步失效率，计算模型稀疏；根据非线性模型计算高阶同步失效率；和采用基于查找表的误差修正算法，根据同步失效率，估计全系统的失效率。经实验证实，应用本发明的方法，能够在进行系统性能的分析时充分考虑重复单元失效的相关性，并通过建立系统失效率的非线性模型，在不增加测试和计算成本的前提下，有效提高失效率的估计精度。
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本发明提供一种对Flash器件失效定位的方法，提供多个存储单元；对多个存储单元分别在同一状态下进行电流量测，得到所有存储单元的电流值；按多个存储单元所在的位置与各存储单元对应的电流值绘制为电流随存储单元位置分布的趋势图；根据趋势图找出失效的存储单元。本发明的方法根据bit cell电流分布趋势来对Flash进行失效定位，制成图表，找到趋势上电流表现最差的bit，有利于对后续的失效分析预测做出判断。
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本发明提供了一种分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法，包括：提供管芯，所述管芯包括衬底、形成于所述衬底上的隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面形成字线层，所述字线层的厚度H0＝H1+ΔH，其中，H1为制程设定的需要形成的字线层厚度，ΔH为制程监控测试中量测出的字线层厚度H2与实际的字线层厚度H3的差值。本发明所提供的分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法，通过数据分析分析出制程监控测试中量测的字线层厚度与实际字线层厚度之间的差值，让字线层在形成时，补偿这一差值，使字线层的厚度达到所需要的要求，从而避免分栅快闪存储器由于字线层厚度过薄而出现编程串扰失效。
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本发明公开了应用于FPGA的失效定位方法。该方法通过根据被测芯片的底层物理网表和原始代码，确定用于失效分析的代码块范围；对所述代码块范围对应的底层电路进行二次布线操作，将所述底层电路的多个fabric电路的中间节点数据引出到芯片外；根据所述中间节点数据分析所述底层物理网表，生成以代码块为单位的多套测试集，每套测试集包括多个测试pattern；根据所述多个测试集对被测芯片进行实测，并收集失效信息；根据所述失效信息，定位至芯片失效的物理位置。本发明技术方案通过保留原始物理网表和复现失效，实现了缩小失效范围和精确定位失效位置。
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本发明公开了一种用于多晶硅层的失效点定位的方法，包括：提供样品；将所述样品进行去层处理至多晶硅层上的层间介质层；对所述样品的表面进行清洁处理；利用电势对比定位法对所述样品进行多晶硅层的失效点定位。本发明由于保留了一定厚度的多晶硅层上的层间介质层，所以避免了对多晶硅层的损伤；由于采用了超声波震荡方法在离子水中对样品表面进行清洁，所以避免了清洁过程中对样品表面的损伤；由于采用了较大的一次电子束的加速电压进行电势对比观测，所以能够快速的定位多晶硅层的失效点。本发明的方法适用于大尺寸多晶硅阵列的失效点定位，可快速地在扫描结果中准确地找到失效点的位置，节省了芯片失效分析的时间，提高了分析效率。
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本发明公开了一种集成电路芯片失效点定位方法，包括以下步骤：解除被测试集成电路芯片接地；解除被测试集成电路芯片各结构之间连接；对被测试集成电路芯片短路监控线路进行接地操作；通过二次电子电压衬度(VC)精确定位失效点。本发明提供的集成电路芯片失效点定位方法改变了常规定位方法的从互联线层到器件层的失效分析的常规流程，通过从器件层到互联线层的方法来实现准确定位。使用本发明的集成电路芯片失效点定位方法可实现集成电路芯片本身接地短路失效模式的失效分析，进而查找到这一类型失效模式的失效原因，辅助推动在线工艺的改善，进而提升产品良率。
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本发明公开一种发动机失效风险评估方法和系统。其中根据有限元应力分析结果，对发动机部件进行区域划分，统计各区域中的失效样本总数，计算各区域的条件失效概率，确定各区域的区域风险，根据每个区域的区域风险值确定整个部件的失效概率。本发明通过基于概率风险评估的方式量化整个部件的失效概率，从而为部件在役检查方案的制定提供基础，通过定量分析可以合理地确定在役检查方案以确定部件的最终设计方案和使用维护计划，既保证部件运行中风险控制的要求，又最大限度地降低在役检查的成本付出。
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本发明公开了一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，包含：第一步，将失效硅片样品正面使用保护层保护，第二步，利用药液去除背面金属；第三步，使用药液除去保护层；第四步，除去失效管芯之外的其他无关区域；第五步，打线，将栅极与源极引出；第六步，在样品背面涂上一层有机层；第七步，对需要测试的失效管芯，利用测试机台进行测试抓点；第八步，利用机台打打标点，确认失效点在样品的相对位置，进一步根据OM的相对位置，利用FIB位移功能确认精确的相对位置；第九步，再把样品正面朝上，FIB机台位移至失效点的区域；第十步，针对确认的失效点进行后续FIB结构分析。针对无阻挡层金属层的功率器件，准确有效地定位IGSS失效点的位置。
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本发明公开了一种纳米级静电保护器件失效微区的表征方法，选取一个静电失效的纳米级静电保护器件，该器件对比失效前，在工作电压下测得漏电流发生突增，此为失效样品；通过激光扫描该器件表面，利用光致电阻的变化，定位缺陷位置，得到失效热点；根据失效热点，原位切割器件，通过SEM窗口实时观察并调整适合的束流大小，得到最有分析价值的失效TEM样品；最后通过TEM完成对失效区域原子级的表征，综合分析，找出失效机理。本发明对纳米级静电保护器件的内部失效微区精确定位并得到失效的高分辨图像和元素的信息，可以对失效部位进行有效的失效分析，得到失效机理，最终达到改进器件性能的目的。
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本发明属于半导体封装和通信技术领域,具体基于菊花链菊花链回路设计的定位失效凸点的方法。本发明主要针对圆片级封装等小间距凸点的封装类型,提出一种菊花链的设计及测试策略,包括如下步骤:在N×N凸点阵列中引入α、β、γ三种菊花链回路单元,并分别引出测试点;动态监控各个菊花链单元内部的电阻值的变化,以菊花链的不同回路形成的阻值判据来定位失效凸点;定位算法基于α、β、γ三种单元的判定算法;在器件可靠性测试过程中实时输出失效凸点的位置和失效时刻。本发明提高了凸点可靠性测试的智能化和精确定位能力,提升了测试分析效率;可获得丰富的测试信息,有效地降低了成本。
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本发明为一种核电设备水闸门减速器轴失效原因的综合判定方法。背景资料整理与分析，收集相关的文件资料与设备运行的工况；检验与试验分析，通过利用各种设备和多种理化检验方法对失效的水闸门减速器轴进行检验分析；综合分析判定，得出结论并给出合理建议。本发明通过对核电厂房内水闸门减速器轴失效部位进行综合分析，可以准确判定轴的失效原因，并提出有效的预防措施。本方法为保障核电设备的安全运行提供理论指导，为确保人身财产安全和社会稳定发展保驾护航。不仅有利于核电厂房内其他设备中的减速器轴在发生失效时能够快速准确的判定其失效模式，找到失效的根本原因，而且对电力、石化、化工、冶金等其他工业的减速器轴的失效分析也有着重要的应用价值。
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本发明实施例公开了一种失效树的绘制方法、装置、计算机设备及介质。该方法包括：响应于失效树绘制请求，获取预先构建的失效树绘制网页进行客户端显示；响应于将绘制元素展示区中的目标绘制元素拖拽至绘制工作区中目标绘制位置的操作指令，检测目标绘制元素是否满足目标绘制位置的限制条件；若是，则根据目标绘制元素和目标绘制位置，更新绘制工作区内的当前绘制失效树；响应于绘制完成指令，将绘制工作区内的当前绘制失效树存储为JavaScript对象简谱文件。本发明实施例，解决了失效树分析过程中，由于需要安装对应的分析软件而造成过程繁琐和分析困难的问题，实现了失效树在网页端的分析和跨平台的兼容性，简化了失效树的分析问题。
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本发明属于发电装置检测技术领域，具体为一种重大发电设备的失效综合判定方法。本发明具体步骤为：一、提出整体分析策略，系统考虑八方面影响因素，包括材料、设计、制造、安装、检验、操作、维护和环境；二、采用综合表征方法，将破口微区分析与宏观试验相结合，所谓微区分析是指将破口放大500倍后对其表面微观特性进行的深度分析；三、建立快速判别技术，可迅速界定在腐蚀磨损、冲蚀磨损、复合腐蚀等复杂工况下的不同失效机理。
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本发明提供一种CIS图像传感器的失效信息自动分类方法及系统，该自动分类方法包括：CIS图像传感器输出检测结果图片文件；所述检测结果图片文件为BMP图片文件；解读所述检测结果图片文件，提取失效信息，具体过程包括：将所述BMP图片文件转换成十六进制文件；根据正常位和失效位的像素颜色有跳变的特征，通过分层聚类分析方法找到失效位的灰度值范围；将所述失效信息转换成标准文本格式的结果文件；根据自定义失效模式对所述结果文件中的失效信息进行自动化归类；显示自动化归类结果。本发明快速的解决了对CIS产品图象测试结果进行自动归类分析的难题，避免了长期以来人工用眼睛来统计和归类的低效率和不精确问题。
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本发明属于核电装置检测技术领域，具体为一种核电装置密封圈失效原因的综合判定方法。了解密封圈的工艺参数、运行工况；对失效的密封圈进行外观检查；采用三维体视显微镜、扫描电镜等方法对失效的密封圈和密封沟槽进行更为细致的观察；采用一种或多种表征方法对密封介质进行成分分析；采用一种或多种表征方法对失效密封圈的成分、性能进行分析；检查密封圈的尺寸与沟槽尺寸是否符合设计要求；综合以上的分析步骤，从现象到本质，确定密封圈失效的主要原因。本发明通过对EH系统失效密封圈进行系统有效的分析后，可准确、快速地判断出密封圈失效的原因，进而采取针对性的预防。本方法对电力、石化、化工、冶金等其他领域密封圈的安全使用也具有实用参考价值。
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本发明属于核电装置检测技术领域，具体为一种核电装置换热器失效原因的判定法。本发明具体步骤为：一、外观检验，重点检查海水入口侧管板口的外观状况；步骤二：失效钛管破口形貌观察，结合步骤一的外观形貌观察，初步判定出失效原因为氢鼓泡、表面凹坑、异物堵塞和微动磨损等原因中的一种或多种；步骤三：综合利用采用多种检测手段中的一种或多种，对破口表层、内外壁边缘等部位进行综合分析和测试，结合步骤二的破口形貌观察，可以准确判定钛管失效的原因。本发明通过对RCW换热器传热钛管失效部位快速分析后，可以准确判断出RCW换热器传热钛管失效原因，从而进行针对性的预防。本方法对电力、石化、化工、冶金等其他工业的换热器在海水中的失效分析也具有应用价值。
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本实用新型提供了一种燃气分析测温用高温燃气取样耙，采用高温合金材料一体加工成型，取样耙本体的一端面上开设有取样孔；横向取样管和纵向异型管，布置在取样本体内，横向取样管的一端部与对应的取样孔连接，横向取样管的另一端部与对应纵向异型管的一端部连接；样气出口安装在取样耙本体的另一端面上，纵向异型管的另一端部与对应样气出口连接；冷却水进口和冷却水出口，布置在取样本体的另一端面上，位于样气出口的两侧，使得冷却水由取样本体的一侧进入，再由另一侧排出。本实用新型可保障取样耙在2300K左右高温条件下的可靠性，间接避免了试验中取样耙失效造成试验中止的问题，有效的降低了单位试验时长进而降低了试验成本，提升试验效率。
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本发明一种重机设备健康监测分析方法包括：按照重机设备各个部件的关键程度和布局要求，确定真实传感器的布局位置点；通过真实传感器对对应的数据采集节点进行真实数据采集，将实测传感数据保存在数据存储中心；基于重机设备的实物图像模型建立重机设备的智能虚拟主模型；在智能虚拟主模型中确定虚拟传感器的布局位置点；将实测传感数据经处理后得到的激励数据输入智能虚拟主模型中进行虚拟仿真，获取虚拟传感器的布局位置点对应的实时参数；将虚拟传感器对应的实时参数存入数据存储中心，对真实传感器对应的实测传感数据和虚拟传感器对应的实时参数进行数据处理和数据分析，最终输出重机设备结构的受力、疲劳寿命以及预计失效时间分析结果。
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本发明公开一种基于状态驱动的离散性生产追溯平台的预测分析方法，将底层状态监测作为核心，可深入每个在制品状态监测，不仅能做到全要素追溯，还能对整个生产部门做全程的状态预测分析。在此基础上，开发业务流程模块，也会变得更加清晰合理，顺应了当前智能制造的发展趋势，基于状态驱动的追溯信息分析和失效预测分析，对于多工段并行工序，复杂分零件和总成，大型离散性工序管理规划，可以起到穿针引线，细水长流的作用，对于精确追溯和长期预测分析具有深远意义。
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本发明涉及一种基于近似电路脆弱性分析的电路测试方法，该测试方法包括以下步骤：步骤1：针对近似电路推导某个节点信号翻转时的可靠度公式，进而得到此节点感染时近似电路失效率的计算方法；步骤2：以近似电路中不同节点作为感染源计算失效率并利用关键门节点算法得到关键门节点；步骤3：根据关键门节点和近似电路的所有输出组合的失效率进行近似电路设计和局部选择性加固并最终进行电路测试。本发明可以应用于超大规模集成电路可靠性分析和评估过程，主要针对近年来集成电路领域的研究热点近似电路，分析其失效率和关键门节点，从而有助于改善近似电路设计，降低测试成本。与现有技术相比，本发明具有降低电路测试时间，降低测试成本等优点。
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本发明公开了一种燃油分配管总成失效识别装置，包括压力发生机构、测量机构、第一控制件、第二控制件、第三控制件、连接件和连接接口；压力发生机构连接三通管件第一连接端，测量机构连接三通管件第二连接端，连接件连接三通管件第三连接端,第一控制件设置在压力发生机构与三通管件之间，第二控制件设置在三通管件与连接件之间，第三控制件设置在连接件上，连接件通过连接接口连接燃油分配管总成。本发明还公开了一种利用所述燃油分配管总成失效识别装置的燃油分配管总成失效识别方法。本发明能区分现有燃油分配管总成产线无法区分识别的失效模式，生产制造成本低，便于使用操作。
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本发明揭示了一种集成电路中可靠性分析的测试结构，该测试结构包括：待测结构；N个虚拟结构，N个所述虚拟结构与所述待测结构电连接，N为大于0的正整数；包括第一引线结构和第二引线结构的引线结构；和包括第一通孔结构和第二通孔结构的通孔结构。本发明还揭示了该测试结构的测试方法，包括：提供一衬底，根据所述的测试结构在所述衬底上形成实际待测试结构；所述第二引线结构接一第一测试电流，所述第一节点接地，测量第一失效电流。本发明的测试结构，能准确评估焦耳热效应对器件的影响，从而保证可靠性分析的准确性。
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本发明属于电子技术领域，具体涉及一种热点分析的方法和系统，包括：S1：将一失效芯片设置在一热点分析设备使用的测试板上，并通过单片机推送一测试程序到所述失效芯片中，通过一示波器捕捉波形比对一自动测试设备波形，确认所述失效芯片正常运行的测试程序；S2：通过所述热点分析设备对所述失效芯片进行一热点分析。有益效果：实现了对失效芯片产品在自动测试状态下进行热点分析，提高了产品的检出率，有效改善了芯片产品的生产质量。
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