本发明公开了一种用于功率金属氧化物晶体管
芯片的缺陷失效定位方法,包括:1)用酸去除功率金属氧化物晶体管芯片表面的铝层;2)对于铝层下含有Ti/TiN扩散阻挡层的芯片,直接扎针栅极、源极、漏极灌电流作EMMI或OBIRCH分析,定位出缺陷;对于铝层下无扩散阻挡层的芯片,在芯片内的无晶体管区域用FIB淀积两个金属垫,再在每个金属垫的边上用FIB淀积一个与该金属垫相连接的金属条,两个金属条的另一端分别连接到栅极和源极,利用两个金属垫和芯片背面漏极完成EMMI或OBIRCH测试,定位出缺陷。本发明的效果远远好于液晶分析,而且可以快速、精确地找到缺陷位置。
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