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用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法

933   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:35
本发明公开了一种用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法,包括:1)用酸去除功率金属氧化物晶体管芯片表面的铝层;2)对于铝层下含有Ti/TiN扩散阻挡层的芯片,直接扎针栅极、源极、漏极灌电流作EMMI或OBIRCH分析,定位出缺陷;对于铝层下无扩散阻挡层的芯片,在芯片内的无晶体管区域用FIB淀积两个金属垫,再在每个金属垫的边上用FIB淀积一个与该金属垫相连接的金属条,两个金属条的另一端分别连接到栅极和源极,利用两个金属垫和芯片背面漏极完成EMMI或OBIRCH测试,定位出缺陷。本发明的效果远远好于液晶分析,而且可以快速、精确地找到缺陷位置。
声明:
“用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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