本发明公开了一种快速定位集成电路失效位置的方法,包括:步骤S1,导通集成电路中的任意一个包含PN结的器件,并对所述集成电路失效点施加测试信号;步骤S2,使用热发射显微镜从正面和背面分别获取所述PN结和所述失效点的深度信息;步骤S3,通过比较所述PN结和所述失效点的深度信息来判断所述失效点的失效位置。能够快速定位失效位置是在
芯片内部还是在封装上,提高失效分析的效率。
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