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无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法

722   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:34
本发明公开了一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法,包含:第一步,将失效硅片样品正面使用保护层保护,第二步,利用药液去除背面金属;第三步,使用药液除去保护层;第四步,除去失效管芯之外的其他无关区域;第五步,打线,将栅极与源极引出;第六步,在样品背面涂上一层有机层;第七步,对需要测试的失效管芯,利用测试机台进行测试抓点;第八步,利用机台打打标点,确认失效点在样品的相对位置,进一步根据OM的相对位置,利用FIB位移功能确认精确的相对位置;第九步,再把样品正面朝上,FIB机台位移至失效点的区域;第十步,针对确认的失效点进行后续FIB结构分析。针对无阻挡层金属层的功率器件,准确有效地定位IGSS失效点的位置。
声明:
“无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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