本发明揭示了一种集成电路中可靠性分析的测试结构,该测试结构包括:待测结构;N个虚拟结构,N个所述虚拟结构与所述待测结构电连接,N为大于0的正整数;包括第一引线结构和第二引线结构的引线结构;和包括第一通孔结构和第二通孔结构的通孔结构。本发明还揭示了该测试结构的测试方法,包括:提供一衬底,根据所述的测试结构在所述衬底上形成实际待测试结构;所述第二引线结构接一第一测试电流,所述第一节点接地,测量第一失效电流。本发明的测试结构,能准确评估焦耳热效应对器件的影响,从而保证可靠性分析的准确性。
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