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本发明公开了一种穿孔式高增益光电系统级封装结构的热疲劳优化设计，其特点是该封装结构的热疲劳优化设计包括：封装结构的三维建模、结构模型的热疲劳分析和协同仿真以及调整结构参数进行多次循环收敛的对比验证，直至选取到电磁和热疲劳性能最佳的结构参数结束优化设计。本发明与现有技术相比具有优化过程简便，仿真周期短，参数提取精确，从而降低失效的可能性，为制作工艺提供参考依据，而且使用方便、直观、高效，有效降低封装结构的设计成本。
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本发明隶属可靠性分析领域，具体提供了一种衡量新能源汽车电池充电累积容量损耗可靠性的方法，通过已知特定型号新能源车辆电池达到老化阀值时的充电次数与充电时间，利用最小二乘法进行线性拟合分析，确定威布尔累积失效分布函数的形状参数，从而在一定程度上量化特定新型号新能源汽车电池的工作耐久度可靠性，从而能够基于产品在实验室内的有限数据，找到适合此产品的整体对应失效概率分布函数，继而掌握该新型新能源汽车电池的整体大致工作耐久可靠性情况。本发明的优点是适用于数据较少的有限情况下，对特定新能源汽车电池实验品种的预期整体工作寿命表现进行较准确的预估，能够使得是否投产推广使用该产品的决策成本大大降低。
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本发明提供了一种背照式CMOS传感器中取晶粒的方法和应用，涉及CMOS传感器技术领域。该方法先将背照式CMOS传感器进行混酸处理，再将得到的预处理晶粒靠近电路层的一侧平整固定在硅片上，对预处理晶粒远离电路层的一侧进行任选的一次研磨以除去可能残留的封装料，然后进行反应离子刻蚀和二次研磨以使电路层完整的暴露出来并保持一定的平整度，得到晶粒；其中，将预处理晶粒平整固定在硅片上，硅片的设置可为电路层提供支撑作用，使得在后续提取过程中不会出现电路层脱落或者分层等问题，从而实现晶粒的完整且完好的提取，为后续失效分析工作提供了基础。本发明还提供了背照式CMOS传感器的失效分析方法。
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本发明涉及半导体集成电路的失效分析领域，尤其涉及一种修补去层次样品的方法。本发明提出一种修补去层次样品的方法，在去层次工艺时出现错层的半导体结构上覆盖机械强度达到研磨工艺要求的介质层，并部分去除介质层至金属层，去除暴露金属层后再继续去层次工艺，如此循环重复，直至目标区域完整的处于同一目标层，以便于后续的失效分析工艺的进行。
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本发明发现并定义了虚拟对称多处理环境下中断重映射机制可能存在的一个问题：中断持有者抢占(IHP，Interruptability Holder Preemption)问题。该问题导致中断重映射机制失效，降低了虚拟机的I/O性能。为了解决IHP问题，本发明提供一种前摄性的、基于中断持有者信息的VCPU综合调度方法。该方法基于目前广泛使用的KVM(Kernel‑Based Virtual Machine)及其半虚拟化网络模型，通过对中断持有者运行状态的全局把握与分析，并兼顾系统的全局调度公平性，构建一种VCPU综合调度方法，有效消除IHP问题，显著提升虚拟机的I/O性能。
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一种图像处理技术领域的基于重力场模型的管道状物体拉直的图像处理方法,包括以下步骤:对管道状物体的内壁三维图像数据和外壁三维图像数据进行网格划分并生成外壁三维有限元模型;对外壁三维有限元模型施加边界条件和重力场载荷;进行非线性有限元拉直变形分析;使用基于特征点的非刚体配准的方法实现内壁三维图像数据的拉直;采用中心路径生成算法计算外壁三维图像数据的中心路径和拉直变形后的外壁三维图像数据的中心路径;进行旋转失真校正处理和长度失真校正处理。本发明能够进一步获得优化的管道状物体拉直后的图像,避免了现有技术中基于电场模型和中心路径拉直方法所造成的拉直算法失效问题。
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本发明涉及一种样品去层次方法，用于半导体芯片的失效分析，包括以下步骤：步骤S1、所述半导体芯片具有一目标区域；步骤S2、研磨所述半导体芯片，并停止于位于所述层间介质层上表面的所述金属层；步骤S3、形成一保护膜层，所述保护膜层覆盖所述目标区域的正上方的所述金属层的上表面；步骤S4、继续研磨所述半导体芯片，去除位于所述保护膜层下方的所述金属层之外的所述金属层；步骤S5、去除所述保护膜层；步骤S6、去除所述金属层；步骤S7、去除所述半导体衬底上表面的其余物质，露出所述半导体衬底。其优点在于，设置一层保护膜层，避免出现化学试剂与金属层反应，保障半导体衬底不被损伤以及污染；有效提高失效分析的准确性，提高工作效率。
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本发明提出了一种球管，所述球管包括至少一记录装置，所述记录装置包括存储模块和接口模块；所述存储模块用于存储球管基本信息、球管校正信息、球管历史使用信息中的至少一种；所述接口模块与所述存储模块连接，所述接口模块包括数据接口单元和电源接口单元，所述数据接口单元用于实现所述记录装置与外部的数据传输。本发明的球管带有记录装置，可保存球管的相关信息，无需手动输入相关信息，并且在球管更换时仍可保留并直接读取这些信息，用于球管校正或球管失效分析和监控，简化了球管的管理和更换流程，为球管维护保养提供了方便，提高了用户体验。此外，本发明还提出了一种球管工作方法。
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发明公开了一种钢结构纤维模型损伤评价方法，其特点是将钢结构纤维模型通用有限元的弹塑性分析，得到边缘纤维塑性应变云图，直观反映整体结构动力响应过程中的构件损伤和破坏情况，实现构件变形极限和材料变形极限对构件失效破坏的控制，并根据构件的受弯损伤，以及根据构件除塑性转角段部分的塑性变形和判断构件的拉、压损伤情况，对整体结构的安全进行判断和评价。本发明与现有技术相比具有分析过程简单，工作效率高，尤其对重要构件的损伤和破坏提供了有利的依据和参考，使构件在动力响应过程中的失效破坏既满足FEMA构件变形极限又满足材料应变极限。
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本发明提供一种半导体封装基座,包括:底座,所述底座的材质为玻璃;位于所述底座正面的载片区,用于固定半导体芯片;至少一个位于所述底座正面的手指;位于所述底座正面的引线,每一个位于所述底座正面的手指对应连接一条所述引线的一端,所述引线的另一端具有引脚,所述引脚分布在所述载片区的周围;以及至少一个位于所述底座背面的手指,所述位于底座背面的手指的位置与所述位于底座正面的手指的位置一一对应,所述位置对应的位于所述底座背面和位于所述底座正面的手指间通过位于所述手指上的且贯通于所述底座的通孔相连接。该封装基座易于实现芯片与封装基座之间的引线连接,可有效提高通过微光显微镜对芯片进行失效分析的质量。
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本发明涉及化学清洗剂领域，尤其涉及一种黑色金属断口清洗剂。一种清洗黑色金属断口的试剂，按质量百分比计由以下组份构成，5～10%柠檬酸、5～10%柠檬酸铵、10～20%缓蚀剂，余量为水；所述缓蚀剂为含量为2～6%的卵磷脂悬浮溶液。本发明清洗黑色金属断口的试剂通过在具有腐蚀性的化学浸蚀剂中加入缓蚀剂，在去除氧化物和部分腐蚀产物的时候，同时缓蚀剂起到保护断口表面的金属基体不受破坏的作用，不破坏断口表面原有形貌，在对金属材料的失效分析时有利于断口形貌的观察，有助于失效分析工作的顺利进行；同时该试剂使用的原料对环境污染小，对人体无毒性，保障了研究人员的身体健康。
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本发明涉及一种金属内衬结构复合材料螺旋桨的预变形设计方法，以金属桨叶几何模型作为设计输入，在ANSYS Workbench平台进行整个桨叶复合材料层合板与金属内衬的有限元建模，在ACP(Post)中，选择失效准则，对桨叶各铺层单元进行失效评价，判断是否满足强度要求；根据变形后的桨叶几何模型构建水动力计算模型，用流体动力分析模块求解得到桨叶性能与压力分布，并进行水动力性能计算结果进行收敛判别；桨叶的水动力与复合材料强度计算，由Fluent、ACP以及Static Structural等组件实现，基于ANSYS Workbench平台数据传递操作简单，交互便捷，完成复合材料螺旋桨性能的综合分析。
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本发明公开了一种FIB样品座，包括样品座本体和底座，其中样品座本体与底座为一体结构，所述样品座采用防磁导电金属制成，所述样品座本体为六面体结构，该六面体的底面与顶面平行，四个侧面中至少一个侧面垂直于底面且至少一个侧面与底面的夹角α为40°～55°。本发明的样品座可以同时放置平面TEM样品、截面TEM样品以及FIB标记样品，从而可以提高物性失效分析的效率，延长螺纹连接的使用寿命，保持FIB真空值以提高FIB电子束的分辨率；同时与底面形成夹角的侧面上可同时放置FIB标记样品，从而减少进行共聚焦点高度Eucentric Height的时间。
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本发明提供了一种砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用，涉及砷化镓芯片技术领域。该砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法，采用特定原料组成以及配比的液体混合物与砷化镓芯片封装结构进行反应，并通过控制反应的时间以及温度，从而实现对砷化镓芯片封装结构中塑封体以及基底的完全去除，同时也不会对晶粒产生损伤，实现晶粒的完整提取。本发明提供了上述砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法的应用，鉴于上述方法所具有的优势，使得所提取的晶粒不会受到腐蚀以及损伤，保证了晶粒的完整，为研究砷化镓芯片的失效分析提供了前提条件。本发明还提供一种砷化镓芯片的失效分析方法。
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本发明提出在多层通讯设备中保护高层业务的方法,包括:低层处理模块为高层处理模块提供低层传输通道;高层处理模块为从上游和下游节点通过本模块的业务建立透明的VP连接通路,使通过本模块处理后不影响其内容;高层处理模块检查到本模块故障后通知低层处理模块;低层处理模块检测到高层处理模块故障后建立旁通连接,将出现故障的高层处理模块隔离。采用本发明,不需要冗余的网络通道,对组网保护方式没有限制;本发明主要针对多业务提供平台和多业务传送节点中ATM层处理功能失效的情况下对ATM业务进行有效保护;本发明解决了在设备维护时对网络其它节点跨本节点业务影响的问题。
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本实用新型公布了一种充电控制电路，涉及电路技术领域。其中，包括：一光电耦合模块，用于根据检测模块输出的控制信号，生成反馈信号并反馈至充电器，以控制充电器实际充电的电压与电流；一检测模块，用于根据实际充电电压和实际充电电流输出相应的控制信号；一控制模块，用于在MCU基准信号或检测电路出现故障失效时，将充电电压限制到安全充电电压范围内，从而避免充电器充电电压过高导致蓄电池过热损坏甚至引发燃烧事故。本实用新型的技术方案的有益效果在于，可以在充电器恒压恒流控制电路失效的情况下，将充电电压限制到安全充电电压范围之内，从而避免充电器充电电压过高导致蓄电池过热损坏甚至引发燃烧事故。
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本发明实施例公开了一种显示面板、显示装置和显示装置的驱动方法。该显示面板包括：驱动电路、驱动信号线和与所述驱动信号线一一对应的开关单元；所述驱动信号线的一端与所述驱动电路的输出端电连接，所述驱动信号线的另一端与对应的所述开关单元的输入端电连接；所述显示面板还包括检测信号线，所述检测信号线与所述开关单元的输出端电连接；其中，所述开关单元用于在导通时，将对应的所述驱动信号线上的驱动信号传输给所述检测信号线。与现有技术相比，本发明实施例避免了显示面板在用户使用阶段出现失效线或失效区域时，无法正常显示信息的现象，从而有利于改善显示面板的显示方式，提升了显示面板的安全性。
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本发明为一种汽车落水或涉深水时玻璃自动下降装置及其控制方法，属于汽车安全技术领域，主要解决汽车在落水或涉深水时驾乘人员的紧急逃生问题。本发明主要包括由压力传感器构成的检测模块、控制模块、执行模块、报警信号灯及备用电源。检测模块的压力传感器检测水压信号并将此信号传输给控制模块，控制模块进行数据转换和比较，并将信号通过两个回路分别传输到报警信号灯以及执行模块。备用电源在汽车蓄电池失效的短时间提供能源。本发明能在第一时间为落水或涉深水车辆驾乘人员提供紧急逃生通道，避免汽车在落水时蓄电池及线路故障造成玻璃升降器失效且因水压过大车门无法打开的危险，提高了车辆的安全性。
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本发明公开了一种乘用车门锁控制单元，包括：MCU通过SPI总线和RESET控制线连接系统基础芯片，系统基础芯片通过强制解锁模块连接门锁继电器输入端；SPI总线用于传输MCU对系统基础芯片的设置参数和MCU状态信号，RESET控制线用于传输复位信号，系统基础芯片具有MCU状态定时检测电路并能提供5V电源；系统基础芯片能检测MCU是否失效并提供MCU复位信号，系统基础芯片根据MCU是否失效及点火开关0N档状态判断是否输出解锁信号至强制解锁模块。本发明还提供了另一种乘用车门锁控制单元。本发明的乘用车门锁控制单元能在乘用车MCU失效情况下能保证乘用车门锁安全解锁。
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本实用新型提供一种铅酸电池充电装置，该装置包括：充电电流发生装置，用于产生对电池进行充电的高频直流脉冲充电电流；检测装置，用于检测所述充电电流发生装置的输出状况；控制装置，用于根据所述检测装置获得的检测信息，调整所述充电电流发生装置的充电电流输出，使其保持稳定。其产生稳定的直流高频脉冲充电电流，对铅酸电池进行充电，可以清除蓄电池极板上的硫化铅结晶，并防止新结晶的形成，并且还能使已有的硫化铅结晶化为细小晶粒，从而对已经失效或损坏的电池进行修复，或者延迟电池的失效或损坏，延长电池使用时间，节约电池使用成本。
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本实用新型涉及一种燃气烘干机燃烧器保护装置，其中：燃烧控制器、燃气控制阀和温度检测开关分别设置在燃烧器外壳上，燃烧控制器与燃气控制阀通过线路连接，燃烧控制器连接电源；燃烧器进风口设置在燃烧器外壳一侧以使外部空气由风机抽入燃烧器；温度检测开关设置在燃烧器进风口附近，温度检测开关连接控制电路；燃气喷嘴连通燃烧管使燃气经过燃烧管进入燃烧器中燃烧；当风机失效燃烧器进风口处温度急剧升高，温度检测开关动作，并通过控制电路关闭燃气控制阀以保护燃烧器。本实用新型结构简单，工作可靠，布草在烘干过程中可有效避免因风机失效导致燃烧器过热损坏，保护燃烧器。
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本发明公开了一种集成电路芯片的温度保持装置，包括：片上加热电阻，由芯片的金属线路组成；片上温度检测电路，用于检测芯片内部的温度；加热控制电路，根据片上温度检测电路检测的温度值控制片上加热电阻的加热电流的开关，通过在片方式实现对芯片的温度控制。本发明还公开了一种集成电路芯片的温度保持方法。本发明能实现芯片的温度保持，特别能使芯片在低温环境工作时使芯片的温度保持在芯片正常工作的温度，防止芯片上的集成电路出现短暂失效或永久失效；同时还能降低成本和功耗；还能大大降低器件精度要求，降低可靠性风险，提升制造工艺窗口，帮助延长芯片寿命、降低出错率。
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本申请涉及一种基于监控的复位安全机制、实现方法及复位电路，所述方法包括：设置与多个预设复位信号类型一一对应的复位序列，得到复位序列表；当检测到复位源时，对复位源进行类型检测，得到复位序列选择信号；根据复位序列选择信号在复位序列表中选择，得到预期复位序列；当检测到复位控制电路的复位输出时，对复位输出进行序列检测，得到实际复位序列；将预期复位序列与实际复位序列进行比较，如果不一致，则发出复位不一致报警。相对与使用冗余比较的方式，本方法使用了监控的方式，在覆盖复位的所有失效模式的同时，能有效减少面积；使用了不同于复位控制逻辑的技术，共因失效的风险低。
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一种预置保护圈的保护倒换方法,用于网络通信技术领域。本发明当网络的链路或节点发生故障时,前节点和后节点检测到网络故障后,直接把业务偏转到预置保护圈上,业务将沿着前节点和后节点之间的预置保护圈段传输,即折回保护倒换;或者在故障发生时,通过四个节点即源节点、前节点、后节点和宿节点参与故障的保护恢复,如果检测到网络故障发生在预置保护圈上,则业务将直接从源节点沿着预置保护圈到达宿节点;否则预置保护圈为失效业务提供恢复路径,即源路由保护倒换。本发明方法适用于各种类型的预置保护圈,折回保护倒换方法的保护恢复时间短,数据丢失少,操作简单,源路由保护倒换方法,带宽占用少,恢复路径短,端到端传输时延小。
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本发明提供一种网络设备的Samba配置管理方法及系统。网络设备的Samba配置管理方法包括：设置一个共享目录时，将共享目录信息加入到Samba配置文件中，并将共享目录信息存储到存储设备的共享备份文件中；当检测到存储设备拔出网络设备时，将存储设备相关的共享目录信息从Samba配置文件中删除；当检测到存储设备插入网络设备时，逐条读取存储设备的共享备份文件中的共享目录信息，并作如下处理：获取共享目录信息的共享路径，将共享路径的盘符修改成存储设备的当前盘符，判断修改后的共享路径是否存在，如果存在，则将共享目录信息加入到Samba配置文件中。本发明能解决因外接设备路径发生改变，造成共享失效的问题。
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本发明公开了一种满足POE非隔离电源系统的串口设计电路，包括：POE稳压电路,将来自以太网供电设备的极性未知的直流经整流后产生极性确知的高压输出，并转换为稳定的电压输出，将来自以太网的数据传输至系统电路；主电压产生模块，将POE稳压电路的输出转换为系统所需电压，并使该电压较POE稳压电路的输出延时输出；可控开关阵列，用于在POE稳压电路的输出建立初期将接口电路与系统电路、主电压产生模块隔离，于该输出建立或系统电路启动后将接口电路与主电压产生模块、系统电路相连；接口电路及系统电路，本发明可避免串口通路把用户端电网工频50Hz的干扰带入芯片检测端，从而导致检测失败导致PCB上电启动失效的问题。
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本发明提供一种晶圆,其边缘设有第一缺口,其中,在晶圆的边缘至少还设有第二缺口,第二缺口与第一缺口的位置相差90度,形状不同,且开口高度相等。本发明还提供一种利用晶圆识别错误制程的方法,晶圆上设有至少两个缺口,至少两个晶圆通过该制程,该方法包括如下步骤:第一片晶圆通过该晶圆上的第一缺口定位,通过该制程;将第二片晶圆旋转90度,通过该晶圆上的第二缺口定位,通过该制程;通过第一缺口定位检测第一片晶圆上的芯片参数;通过第二缺口定位检测第二片晶圆上的芯片参数;对比两个晶圆上芯片参数的失效模式来判断该制程是否出现错误。与现有技术相比,本发明可以有效识别错误制程,而且简化了判断坏片出现原因的过程。
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本发明实施例涉及通信技术领域，公开了一种耳机的校准方法和移动终端。本发明中，提供了一种耳机的校准方法，应用于移动终端，包括：指定待校准按键的所属功能；在检测到待校准按键动作时，获取待校准按键的第一检测电压值；根据第一检测电压值，校准待校准按键的所属功能的判定条件；在检测到一按键被按压时，利用校准后的判定条件确定所按压的按键所属的功能，使得当用户使用除标配耳机之外的其他耳机，出现耳机不兼容导致耳机按键失效问题时，可自行校准耳机按键的不同功能的判定条件以解决按键失效问题。
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本发明公开了一种燃料电池发动机系统低温环境下的启动方法及装置，包括：预设低温启动区间，检测各点位的传感器信号，判断传感器处于正常状态；检测当前的环境温度，当所述环境温度处于低温启动区间内时，根据冷启动规则对发动机系统进行冷启动，发动机系统进入冷启动状态；当检测到电堆状态满足发动机系统退出冷启动状态的条件时，则发动机系统退出冷启动状态进入正常运行状态，响应外部功率请求。本发明通过失效冗余控制规避传感器失效；实时检测反应系统的状态，通过辅助加热稳定系统的低温启动，缩短二次冷启动时间；适当调整系统的运行条件，以避免电堆处于非正常的运行状态。
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本发明公开了一种芯片存储单元扰码地址的验证方法，包含：第一步，在芯片量产过程中，在线缺陷检测中捕捉到存储器内部的失效缺陷或者利用聚焦离子轰击等手段人为制造缺陷导致存储器失效；第二步，记录失效芯片在晶圆上的地址及其失效缺陷在存储单元内的物理地址；第三步，继续完成芯片的制造；第四步，进行普通电学测试，得到失效单元的电学地址；第五步，根据存储器结构设计和测试原理编写转换公式得到物理失效地址；第六步，将上述物理失效地址与第二步记录的物理失效地址进行比对。本方法无需破片进行物理地址的确认，缩短了制样周期，提高了存储单元扰码地址验证的成功率。
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