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本实用新型涉及混凝土生产设备技术领域，具体涉一种混凝土生产用矿石粉末碾碎装置，包括主箱体，所述主箱体的正面设置有控制面板，所述主箱体的顶部开设有进料口，所述主箱体的内部设置有一级粉碎机构，所述一级粉碎机构包括有粉碎箱，且进料口底部的主箱体内开设有粉碎箱，所述进料口的底部安装有第一电机。本实用新型通过粉碎箱以及输出端带动主粉碎辊轮和副粉碎辊轮相互配合的作用，能够对石矿进行初步的粉碎，初步粉碎的矿石通过通料口进入碾碎箱，在第二电机输出端带动主碾碎辊轮和副碾碎辊轮的作用下，进行深层次的碾碎，通过双重的层层递进碾碎操作，提高整个装置对矿石的碾碎效果，使得矿石能够得到充分的碾碎。
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一种复合硅酸盐水泥，以量大易得的粉煤灰、炉底渣、玄武岩石场的废弃边角石料及绿泥等工业废弃物为主要混合材料，成本低，生产工艺简单，所得的复合硅酸盐水泥可满足GB 175‑2007通用硅酸盐水泥标准中复合硅酸盐水泥要求，能大量处理工业废渣，有利于环境保护和节能减排，同时可提高复合硅酸盐水泥早期强度，改善复合硅酸盐水泥的施工性能。
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一种核壳结构复合隔膜及其制备方法。本发明属于锂离子电池隔膜领域。本发明为解决现有直接将陶瓷填料与聚偏氟乙烯共混的复合隔膜结合力不够、体电阻大、复合效率低而导致锂电池循环和倍率性能差、抑制锂枝晶生长的能力低以及热稳定性差的技术问题。本发明的核壳结构复合隔膜由陶瓷填料和聚合物基底制备而成，所述陶瓷填料均匀分散于聚合物基底中，所述陶瓷填料是由陶瓷核和聚合物壳构成的核壳结构。本发明将聚合物包覆在无机陶瓷颗粒外层，自组装合成包覆均匀的核壳结构单元，再加入到聚合物基体中制备出具有核壳结构的复合隔膜，实现了具有高机械强度、高润湿性、良好界面结合、能有效抑制锂枝晶的隔膜。
本发明公开了一种A2B2O7型高熵陶瓷粉末和屏蔽伽马射线的复合涂层及制备方法，属于辐射屏蔽材料领域。本发明要解决二次辐射给人和环境带来的危害甚至超过了初级辐射的问题。本发明将A2B2O7型高熵陶瓷粉末作为功能填料应用于辐射屏蔽领域，其中元素A是Sc、Y、La、Nd、Eu、Gd、Dy、Er、Yb和Lu中的五种或者五种以上的元素组成，元素B是Zr、Sn和Hf中的一种或其中几种的组合，A2B2O7型高熵陶瓷粉末可通过高温固相法、溶胶凝胶法、共沉淀和水热处理法制备。本发明应用于工作中的防辐射服、医疗方面及核工业中所需的防护领域。
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本发明公开了一种氧化铝赤泥还原方法及装置，本发明在进行渣铁分离还原，被还原物料出炉冷却后，通过简单的湿式磁选就可以获得TFe85～88％、回收率≥93％的还原金属粉产品，生产高品质、低成本、节能环保，还原过程利用U形还原窑炉，对发生炉煤气点燃，产生高热，窑车总成在移动过程中保持稳定，赤泥球之间保持距离，均匀受热，还原程度和还原效率提高，同时通过收集总成收集高温废气用来保温，赤泥温度变化较小，充分反应，使还原所需的时间不会变长，不会使还原失败，还原前通过高温废气输入到预热窑中，对赤泥进行预热处理，使赤泥表面温度在还原前保持高温，热量更容易渗透进赤泥内部，还原后通过冷却窑，营造低氧的冷却环境，防止二次氧化。
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本发明公开了一种水稻缓释肥及其制备方法，所述水稻缓释肥的原料组份及重量配比为：复合菌剂25‑40份、有机物料500‑600份、无机物料800‑1200份、肥料芯100‑150份、微量元素20‑30份、添加剂120‑150份、纤维素70‑80份、溶剂2500‑3500份。
本发明公开了一种屏蔽中子和γ射线的氮化硼/高熵陶瓷氧化物和复合涂层及其制备方法，属于防辐射领域。本发明要解决单一材料较难实现中子和γ射线的同时屏蔽的问题。本发明的A2B2O7型高熵陶瓷粉末中元素A是Gd、Er、Sm、La、Ce、Eu、Dy中的五种或者五种以上的元素组成，元素B为Hf；高熵陶瓷粉末表面包裹有氮化硼构成复合填料，所述复合填料和树脂形成复合涂层。本发明应用于航天器、放射性医疗、核反应堆等领域。
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一种三铝化钛和三氧化二铝颗粒共增强铝基复合材料及其制备方法，它涉及一种三铝化钛和三氧化二铝颗粒共增强铝基复合材料及其制备方法。本发明是要解决现有方法存在的制备方法繁琐，增强体单一的问题。一种三铝化钛和三氧化二铝颗粒共增强铝基复合材料按体积分数由5％～25％TiO2和75％～95％含铝材料制成。方法：一、称量；二、干燥；三、混料；四、冷压制胚，烧结。本发明制得的Al3Ti和Al2O3颗粒共增强Al基复合材料在较高温环境中应用。
本发明属于燃料电池材料技术领域，特别涉及一种中温固体氧化物燃料电池复合阴极材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种中温固体氧化物燃料电池复合阴极材料，从化学组成上，所述中温固体氧化物燃料电池复合阴极材料的化学式为x[La0.85Sr0.15MnO3‑δ]·(1‑x)[Bi2CuO4]，x＝40wt.％～70wt.％。实施例结果表明，以本发明提供的中温固体氧化物燃料电池复合阴极材料为阴极材料制备得到的对称电池，在700℃时的极化电阻RP仅为0.13Ω·cm2；制备得到的阳极支撑型单电池，在700℃的最大输出功率高达661mW/cm2，中温条件下表现出了优异的电化学性能。
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本发明公开的陶瓷空心砖和砌块的生产方法,以挤出加封口工艺和压制工艺形成盲孔,该方法具有取料广泛,不消耗黄土,能耗低优点,其产品外形美观,占空系数大,强度高,施工工艺性好等优点,砖的自身表面即可作墙体装饰面,本发明由以下流程组成,备料—破碎,粉细—成型—毛坯烘干—烧结—包装。
一种低电场驱动高储能密度和超快放电速率的弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法，涉及弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法。解决现有技术下BNT基弛豫铁电陶瓷需要高驱动电场才能获得高的有效储能密度，同时其他高储能性能难以兼顾的问题。材料的化学通式为(Bi0.5Na0.5)(1‑x)SrxTi(1‑y)(M,N)yO3，在驱动电场低于250kV/cm的条件下，获得高于3.7J/cm3的有效储能密度，储能效率在80％以上，在温度为20℃～140℃和频率为0.2Hz～200Hz之间，有效储能密度变化率不超过9％，最大放电密度释放90％的时间小于65ns。方法：一、基体细粉制备；二、流延膜片制备；三、储能陶瓷制备。
一种沿<111>择优取向且A位复合的钛酸钡基片状模板籽晶及其制备方法，本发明涉及片状模板籽晶及其制备方法。本发明解决现有沿<111>取向的模板多为纯BaTiO3组分、粒径尺寸可调控范围窄、粒径尺寸不均一且分散性差造成模板难以在母体中高度定向、扮演“缺陷”角色的问题。这些导致了陶瓷沿<111>织构质量偏低、无法最大化利用T相多畴构型有效地提高该方向的电学性能，尤其是无法受益于剪切性能等限制的问题。片状模板籽晶的化学通式为(Ba1‑xAEx)TiO3；方法：一、固相法制备前驱体用原料BaTiO3粉体；二、熔盐法制备粒径均一的片状Ba6Ti17O40前驱体；三、局部化学微晶反应法制备目标产物。
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一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体的合成方法及应用，它涉及一种钛酸锶晶体的合成方法及应用。本发明的目的是要解决采用现有制备工艺制备的片状SrTiO3晶体中存在粒径尺寸过大且可调控范围相对较窄、晶体为多晶聚集体，晶体中杂质原子含量高、造成其应用中存在范围窄、稳定性差、取向度低、性能恶化的问题。方法：一、制备前驱体混合原料；二、煅烧制备前驱体；三、清洗、分散得到粒径均一且尺寸可调控的片状Bi4Ti3O12前驱体；四、制备产物混合原料；五、煅烧制备产物；六、清洗。应用：用于光催化、纳米器件、有机填充料及能量存储、高性能多功能电子织构陶瓷、薄膜、单晶的制备领域。本发明可获得一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体。
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本发明涉及材料制备领域，具体关于一种近水地带基坑处理方法；先按照规律在软土地基中设置塑料排水板，然后在软土地基中设置碎石桩，最后在软土地基中设置刚性桩。本发明提供的一种近水地带基坑处理方法，可以较快的排出土壤中的水分，所采用的桩体具有良好的承重性能，从而大大提高基坑的施工周期和降低基坑的施工难度。
一种应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及一种无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决现有无铅压电陶瓷能量密度低，基于传统固溶体或者随机掺杂的理念使得材料的能量收集性能提升幅度非常有限的问题。应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料的化学通式为(1‑x)(Ba1‑yCay)(Ti1‑zMz)O3/xBaTiO3。方法：一、制备细晶壳基体粉体；二、制备流延浆料；三、制备陶瓷素坯；四、制备织构复合陶瓷；五、制备高度致密的织构复合陶瓷；六、制备高性能织构复合陶瓷。应用：用作环保型高功率密度微型化能量收集器。
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一种利用氧化物粉末烧制高致密度基底的方法，它涉及一种提高基底致密度的方法。本发明的目的是要解决传统烧结方法制备氧化物基底致密度低的问题。具体操作步骤为：一、三种方法制备氧化物初始粉体；二、三种粉体按一定质量比充分混合；三、两次反复干压—研磨处理；四、干压、烧结。优点：本实施方式的优点：一、一种利用氧化物粉末烧制高致密度基底的方法，易于操作，方便快捷；二、本实施方式制备方法简单，不需要昂贵的高压仪器设备，相比于现在常用的等静压制备技术降低了制备成本；三、与传统的干压制备致密基底相比，本实施方式处理得到的致密基底的致密度相比提高了10%~20%。本发明可以提高氧化物粉体制备基底的致密度。
一种高压电性低损耗施主受主共掺杂压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种高压电性、低损耗施主受主共掺杂压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决传统固相烧结工艺使施主和受主掺杂离子进入同一个晶格，从而导致施主掺杂离子和受主掺杂离子产生的“软性效应”和“硬性效应”减弱，施主受主共掺杂的压电陶瓷不能得到理想的各项性能的问题。制备方法为首先合成MgNb2O6前驱体，然后分别独立制备单独掺杂钐的铌镁酸铅‑钛酸铅预烧粉体和单独掺杂锰的铌镁酸铅‑钛酸铅预烧粉体，最后将两种预烧粉体和CuO混合后进行烧结，并对陶瓷片进行烧银极化处理，得到压电陶瓷。本发明用于功率型超声换能器。
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一种镨掺杂铌铟镁酸铅‑钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种镨掺杂铌铟镁酸铅‑钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有稀土元素掺杂压电陶瓷机电性能偏低的问题。压电陶瓷的化学式为0.24Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.42Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.34PbTiO3:xPr3+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.02。制备方法为先合成InNbO4和MgNb2O6前驱体，然后以InNbO4、MgNb2O6、PbO、TiO2和Pr6O11为原料制备，再镀金电极及极化处理，即得到压电陶瓷。本发明用于高灵敏度温度传感和电光调控。
一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有压电陶瓷机械品质因数、居里温度偏低的问题。压电陶瓷的化学通式为0.49Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.21Pb(Zn1/3Nb2/3)O3‑0.30PbTiO3:xMn2+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.05。首先合成铌酸铟和铌酸锌前驱体，然后以InNbO4，ZnNb2O6，PbO，TiO2和MnO2为原材料制备陶瓷片，最后进行抛光镀银以及热极化处理，得到锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷。压电陶瓷用于压电径向振动系统。
一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷及其制备方法和应用，涉及一种三元系钛酸铅基弛豫铁电织构材料及其制备方法和应用。解决三元系钛酸铅基弛豫铁电普通陶瓷电学性能低，而高质量铅基织构陶瓷难以制备且烧结温度高的问题。三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷的化学通式为xPb(A,Nb)O3‑(1‑x‑y‑z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbZrO3‑zPbTiO3‑avol.％MTiO3。方法：制备细晶基体粉体；制备同时含生长助剂和沿[001]c定向的MTiO3片状微晶的膜片；制备陶瓷素坯；制备三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷。应用：用于制备大功率、宽温区和高电场区的多层压电器件。
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一种高介电聚酰亚胺/钛酸钡复合薄膜的制备方法，涉及聚酰亚胺/钛酸钡复合薄膜的制备方法的领域。本发明是为了解决现有的高介电聚合物制备复合薄膜的介电常数低，不能满足电子领域高介电柔性薄膜的需求，并且制备方法存在操作复杂、耐热性差、化学稳定性差的问题。本发明所述的一、制备粒径为100um-500um的钛酸钡粉体；二、制备聚酰亚胺/钛酸钡复合材料的原液；三、制备聚酰亚胺/钛酸钡高介电薄膜。它可用于电子领域。
高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷及其制备方法和应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有钛酸钡基陶瓷的改进使得该体系陶瓷的应变迟滞Hs变大，虽然钛酸钡基陶瓷的部分电学性能参数有一定的提高，但其另一部分性能参数，如居里温度Tc却被恶化的问题。化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3，0.01≤x≤0.12，0.02≤y≤0.08；方法：一、采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]c高度取向的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷；二、采用工程畴技术制备高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷。应用于高灵敏度、高精确度的压电驱动器、压电传感器及超声换能器领域。
一种生物炭协同Fe(II)和溶解氧去除中性工业废水中重金属的方法，它涉及一种去除废水中重金属的方法。本发明的目的是要解决现有去除工业废水中重金属的方法多数不适用于中性水体，均存在不足和缺陷，无法兼具操作简单、低成本和环保的优点的问题。方法：一、酸性的FeSO4溶液；二、将酸性的FeSO4溶液和生物炭加入到中性工业废水中，搅拌条件下反应，得到去除重金属的工业废水。本发明克服以往工艺中成本高，能耗大，副产物多，对pH要求高等缺陷，反应过程简单，处理效果优良，成本低，易于控制，适用于常见的中性水体，可以解决砷矿挖掘过程中产生的水污染问题。
一种AlN改性具有高压电和高力学性能的钛酸钡基复合陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种具有高压电性能和高力学性能的钛酸钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明的材料组成为(1-x)BaTiO3-xAlN，其中x＝0.75-10mol％。本发明用普通原料和传统固相合成法制备钛酸钡基陶瓷该体系为钙钛矿相，当x> 1.5mol％时，产生BaAl2O4二次相。当AlN含量x＝1.5mol％时，复合陶瓷的压电常数d33值大于300pC/N，维氏硬度Hv可达5.9GPa。本发明方法提高了钛酸钡压电陶瓷的压电常数和力学性能，不需要精细粉体和特殊烧结工艺即可获得性能优异的BT基复合陶瓷，有较好的应用前景。
本发明公开了一种BaFeO3-δ基B位Bi2O3掺杂的固体氧化物燃料电池阴极材料及其制备方法和应用，所述阴极材料组成分子式为BaFe1-xBixO3-δ，其中δ表示氧过剩量或缺乏量，-1≤δ≤1，x表示Bi2O3的掺杂量，0≤x≤0.5。上述BaFeO3-δ基B位Bi2O3掺杂的固体氧化物燃料电池阴极材料可以采用固相反应法合成，也可以使用溶胶-凝胶法合成。本发明还提供了BaFe1-xBixO3-δ在中低温固体氧化物燃料电池中的应用。本发明对BaFeO3-δ钙钛矿型阴极材料进行B位Bi2O3掺杂，来提高材料的电化学性能，以获得电化学性能良好、结构稳定、热膨胀系数适宜的SOFC阴极材料。
具有高相变温度、优异抗疲劳性和高机电性能的弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用，涉及弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用。解决现有技术下弛豫铁电陶瓷材料存在相变温度较低、抗电学疲劳性能较差，无法兼顾高机电性能、高相变温度和优异抗疲劳性的问题，而且含Zr类弛豫铁电织构陶瓷制备过程中存在热动力学问题。弛豫铁电铅基陶瓷材料化学通式为(1‑x‑y)Pb(A,Nb)O3‑xPbZrO3‑yPbTiO3‑awt.％B。方法：一、纯钙钛矿相母体细粉制备；二、流延法制备陶瓷生坯；三、织构陶瓷材料制备。应用：应用于压电致动器、智能传感器、超声换能器和能量收集器。
一种复合掺杂铁酸铋‑钛酸钡二元系无铅铁电陶瓷材料、制备方法及其应用，本发明属于无铅铁电陶瓷材料领域，具体涉及一种复合掺杂铁酸铋‑钛酸钡二元系无铅铁电陶瓷材料、制备方法及其应用。本发明要解决传统固相合成法制备的BFO陶瓷铁电性能较差、漏电严重的问题。陶瓷材料的化学通式为(1‑y)BiFeO3‑yBa1‑x(Li+0.5A3+0.5)xTiO3。本发明采用SPS快速低温烧结和固相合成相结合的烧结方式制备获得陶瓷材料，该体系为钙钛矿相，无杂相，所制备的陶瓷材料具有优良的电学性能和较高的居里温度，其制备工艺稳定，有较好的应用前景。所制备的陶瓷材料作为电子元器件用于温度稳定型电容器及高温应用领域。
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本发明提供一种低温制备高强度莫来石陶瓷的方法，以高岭土、铝溶胶和氧化铝为原料，在矿化剂和助烧剂的作用下，首先在低温下合成含有针状晶须的莫来石多孔陶瓷，利用材料内部的孔洞为晶须的生长提供空间使其充分发育，再通过浸渍反应活性较高的莫来石前驱体，最终通过二次低温烧结获得，本发明的有益效果在于，原料价格低廉，来源广泛易得，成本较低；制备温度较低，大幅度降低了生产能耗；工艺简单，设备要求低；原位自生的晶须实现了材料强度和韧性的同时提高；烧结过程中，产品收缩小，可实现净尺寸成型。
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锆酸钡与氧化锆复合质子导体材料及其制备方法，涉及复合质子导体材料及其制备方法的领域。本发明是要解决现有稀土氧化物掺杂的钙钛矿型锆酸钡材料由于掺杂了稀土氧化物，使得制造成本大大提高；同时现有的溶胶凝胶法等制备方法操作复杂、成本高的问题。锆酸钡与氧化锆复合质子导体材料：化学组成为(1-x)BaZrO3–xZrO2，是按化学计量比由ZrO2粉体和BaCO3粉体制备而成的，其中0＜x≤0.4。制备方法：一、准备原料；二、混合；三、煅烧后研磨；四、压片并冷等静压后烧结。本发明适用于氢泵、固体电解质以及氢气、水蒸气传感器领域。
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本发明提供一种陶瓷金属多孔复合材料及其制备方法，将高岭土、氧化铝粉体和工业铝溶胶混合后，加入矿化剂和助烧剂再次混合均匀，将混合好的陶瓷粉体与溶剂和粘结剂混合配制成浆料，然后浇注到放有泡沫金属的冷冻模具中，待浆料冷冻凝固后进行冷冻干燥，获得陶瓷金属复合生坯，然后在惰性气氛下低温反应烧结，最终制得陶瓷金属多孔复合材料，本发明的有益效果在于，将多孔金属和陶瓷复合为一体，使多孔陶瓷具备了导电、传感和加热的功能，便于下游应用的集成化或多功能化，在催化、吸附等领域具有极好的应用前景；且本方法所用原料易得，工艺简单可靠，在工业化生产上具有明显优势。
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