本发明公开了一种高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管及其制备方法,涉及二极管制造技术领域;包括管芯的制备、电极焊接、处理封装;本发明二极管采用U型玻璃钝化表贴封装结构,结合了玻璃钝化产品可靠性高、抗机械、温度冲击能力强特点,以及表贴封装器件尺寸小、易安装的特点,器件具有圆形引出端和方形引出端两种结构,满足用户对高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管的使用要求。
本发明公开了一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法,属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片,所述管芯位于两所述电极片之间,所述电极片通过蒸铝层与管芯连接,所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内,且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片,钼片厚度为0.1mm~0.2mm,引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸,管芯尺寸增大时,只需增大钼片的焊盘尺寸即可,二级管的厚度不会增加,可以制造出外形尺寸小,厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中,再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆,可以根据需要制造不同的封装外形。
本发明属于提高电容器外壳内壁容量技术领域,具体涉及一种提高非固体电解质钽电容器钽外壳内壁容量的方法;采用钽粉压制的阴极桶为多孔蜂窝结构,可以充当二氧化钌的附着对象,等效于增加钽外壳的内表面,增大二氧化钌的附着量,从而达到增加钽外壳内壁容量的目的。
本发明公开了一种玻璃钝化实体封装低压二极管及其制造方法,属于二极管技术领域。该二极管包括硅片A和两个电极引线,所述硅片A位于两个所述电极引线之间,其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接,另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接,所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内,且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的,避免了PN结因高温工艺进行了重新分布,最终导致二极管电压大幅提高的问题,避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅,烧焊时焊接金属穿越PN结,导致PN结短路的问题,可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。
本发明公开了一种免清洗混合集成电路焊接方法,该方法是采用不含助焊剂的全固态预制合金焊料片取代原先的膏状焊料,在充满氮气且温度可控的环境下,采用两种不同熔点的合金焊料分步进行芯片、基片电路、基座的相互焊接,不会对基座、基片电路和芯片造成污染,产品焊接后可直接进行键合、封装,实现免清洗焊接。本方法产品焊接后可直接进行键合、封装,避免焊接后的清洗、清洗剂的使用和排放,节省时间提高效率。采用这种工艺焊接的产品,焊接强度较膏状焊料更高,产品能经受恒定加速度试验不脱落,远高于国家军用标准规定的要求;适用于焊接面为可焊金属介质的外壳、基片电路和带背面金属化半导体芯片、无源元件的混合集成电路的组装焊接。
本发明提供了一种超薄钽电容器阳极钽芯,包括箔片和钽层,所述箔片为片状结构,所述箔片的至少一个侧面上设置有钽层,所述钽层与箔片连成一体。本发明采用箔片和钽层结合的结构使阳极钽芯可以做成任意形状的薄片状,采用印刷工艺制备阳极钽芯,大大减小了阳极钽芯的厚度,对阳极钽芯进行低温干燥处理、去粘合剂处理、高温烧结后使薄片状的阳极钽芯满足设计要求,阳极钽芯最小厚度可达到几十个微米,使最终制成的钽电容器的厚度大大缩小,更适合现代元器件对薄型化的需求。
本发明公开了一种炼钢粉尘综合利用回收锌的方法,是将炼钢粉尘与还原剂、添加剂进行混合后,压制成球团,送入真空碳管炉中进行真空焙烧,获得气态单质锌挥发物,其经过冷凝收集器后冷凝成固体,收集该固体获得高纯度锌锭。本申请方法促进了炼钢粉尘中锌的还原,实现了对炼钢粉尘的回收利用,获得了高品质锌锭,降低了炼钢粉尘处理过程中真空条件控制时的能耗,且工艺简单,操作简便,真空还原能够有效蒸发炼钢粉尘中的锌,达到冷凝收集单质锌的目的,使得炼钢粉尘中锌的回收率高达97.76%,并有效解决了现有技术中对含锌炼钢粉尘处理时存在的成本较高、污染重、能耗高、三废产出量大的问题,最终实现了废料循环利用的目的。
本发明公开了一种含锌钢铁冶金粉尘的综合回收方法,它是首先将各种含锌钢铁冶金粉尘磨细后与还原剂焦炭粉混合配料至混合物料中含锌达到10%以上,然后用纸浆或粘土作粘结剂将混合物料制成球团状或砖块状,最后将其加入带微波辐射的真空炉中进行真空还原冶炼,分别获得金属锌和主要含铁和炭的金属化球团或块状的蒸馏残余物。本发明方法以含锌钢铁冶金粉尘为原料,配合本发明工艺步骤综合回收锌、铁和炭,综合回收效果好、能耗低、效率高、工艺流程短、成本低,并且整个过程中无废渣、废液产生,对环境友好。
一种环保型多功能高效真空滤油机,属于真空滤油机,在脚轮(18)支承的底板(26)上安装储油箱(8)、真空泵及电机(9)、冷凝器(12)、油泵及电机(17)、初滤器(19)、二级过滤器(20)、精滤器(21)和电气控制箱(22),在电气控制箱上安装温控器(3)、指示灯(4)和控制按钮(5),在储油箱(8)上安装真空分离器(2),溢流阀(6)、进油阀(7)、吸油阀(25)和加热器(13)与初滤器(19)相连,电接点压力表(10)装在真空分离器(2)上并和二级过滤器(20)相连,真空表(11)装在冷凝器(12)上并与真空分离器相连,本实用新型能解决现有真空滤油机漏油、喷油对环境造成的污染和浪费资源问题,并能实现一机多用,降低运行维护费用,提高经济效益和工作效率,适于变压器油、透平油、润滑油、液压油等工业用油的处理。
本实用新型涉及一种既耐高温,又能在真空和保护性气体的环境下,电流通过石墨电阻且石墨电阻发热加热烧结炉内dpf生坯的壁流式蜂窝陶瓷载体高温烧结炉,它包括高温烧结炉,所述高温烧结炉的壳体呈圆筒状结构,炉壳末端与弧形封头焊接,炉门为弧形头状结构,高温炉壳腔内设有石墨一区和石墨二区且位于石墨放料枕上,料盘位于石墨放料枕上。优点:一是采用石墨电阻发热烧结,不仅烧结温度高,而且高温温度的穿透性好,确保了烧结质量的稳定可靠;二是结构设计新颖、独特、简单、耐压密封性能好,真空烧结效果好。
本实用新型提供了一种SMD‑0.5陶贴封装产品烧结模具,包括管座;有至少两条平行的侧挡和至少两个位于多条侧挡间的隔块构成平面腔体,管座置于该平面腔体中。本实用新型装架时只需将芯片轻轻放入即可,大大降低了装架难度,芯片及电极片定位准确,为拓展自动化烧结、压焊提供方案;使用方式简单、过程大大简化,生产效率提高50%;芯片表面无需受力,对芯片表面易损同时芯片表面质量要求很高的产品提高了高可靠性、高成品率的解决方案;配合真空烧结工艺可以有效解决芯片烧结空洞问题,将芯片烧结空洞面积降低至5%以下。
本发明提供了一种降低钽电容器损耗角正切值的阳极钽块的制备方法,包括以下步骤:(1)选择用于阳极钽块成型的钽粉;(2)设计阳极钽块的形成电压或下限压实密度,并设计其相应的规格参数;(3)使用步骤(1)所选择的钽粉,并按照步骤(2)中的相关参数压制形成阳极钽块;(4)将成型的阳极钽块进行真空烧结。本发明通过降低相应规格产品的实际密度或通过降低产品的烧结温度,增加钽粉颗粒之间的孔隙度,使得钽粉颗粒之间在高温下的相互作用降低,使得容量引出更好,从而有效降低了非固体钽电解电容器的损耗角正切值;增大了其耐纹波电流的能力,为市场对该类型产品高可靠性要求提供了生产制造保障。
本申请公开了一种电解电容器的制造方法,涉及电容器的技术领域,本申请的电解电容器的制造方法包括:将阀金属粉料经模压和真空烧结成为带有引线的阳极多孔烧结体;在所述阳极多孔烧结体的表面上形成介质氧化膜;在所述介质氧化膜上形成二氧化锰层;在所述二氧化锰层上涂敷石墨层;在所述石墨层上涂敷银浆层;将银浆层与引线框架粘接,形成中间产物;将钽丝焊接在所述中间产物的正极端上;在中间产物的表面上形成镍金属层;通过模压封装形成电解电容器故本申请能够大幅提升电解电容器耐外界环境应力的能力,具有性能稳定,抗击穿能力强的优点。
本发明涉及一种阳极钽块及其制备方法。该阳极钽块包括柱状的钽块本体,钽块本体的侧壁沿其径向等距间隔设有多个凹槽,每个凹槽贯穿钽块本体沿其轴线方向的两端,凹槽的深度为钽块本体半径的5%‑80%,其有效降低非固体电解质钽电容器ESR值。上述阳极钽块的制备方法,其包括:将钽粉压制形成上述阳极钽块的坯体,真空烧结。以制得上述有效降低非固体电解质钽电容器ESR值的阳极钽块,同时便于工业化生产。
本发明涉及电解电容器制造过程中介质氧化膜的处理方法,特别涉及以在传统的以钽、铌、钛、铝等阀金属为阳极,以高分子导电聚合物为阴极电解质制造电解电容器过程中增加的对介质氧化膜的预处理的方法,其包括以下步骤:将阀金属粉料经模压和真空烧结成为带有引线的阳极多孔烧结体;在阳极多孔烧结体表面采用电化学的方法形成介质氧化膜;阳极芯块介质氧化膜预处理;在带有介质氧化膜的阳极多孔烧结体表面形成导电高分子聚合层;在导电高分子聚合物层外依次涂敷石墨层和银浆层;通过模压封装形成产成品。此方法制造的电解电容器具有等效串联电阻(ESR)低、漏电流小等优点。
本发明公开一种降低钽电容器漏电流值的烧结方法,将熔点较低、且其本身或氧化物易与水或酸反应的金属作为脱氧剂和经过压制和烧结的钽块放在真空烧结炉中烧结。在烧结过程中,真空度始终大于2×10-3Torr,烧结温度介于700~1170℃之间,钽块与脱氧剂的重量比为1:0.001~1:0.08,达到烧结温度后的保温时间为1~9小时,采用镁作为脱氧剂。完成脱氧烧结并在真空状态下降至室温后,为清除钽块表面残留的金属脱氧剂以及该脱氧剂的氧化物,将钽块放入稀酸中浸泡30分钟,再用去离子水冲洗3~4次。本发明通过对钽块进行二次烧结,在较低温度烧结的情况下除去氧杂质,有效地提高钽块的纯度,产品的漏电流值减小30%以上。
本发明公开了一种微带滤波器3D打印制造方法,包括以下步骤:S1:根据微带滤波器的电路图形设计基板打印图形和金属线路打印图形;S2:使用3D打印机按照所述基板打印图形,将低温共烧陶瓷浆料作为打印材料从喷嘴中挤出并沉积在工作台上形成低温共烧陶瓷基板;S3:使用红外加热方式对工作台上的低温共烧陶瓷基板进行固化;S4:使用3D打印机按照所述金属线路打印图形,将纳米银金属墨水作为打印材料喷印在固化的低温共烧陶瓷基板表面以形成金属线路;S5:使用真空烧结炉对已喷印金属线路的低温共烧陶瓷基板进行烧结。本方法简单易掌握,同时也能减少生产成本,为微带滤波器快速制造和个性化创造提供了解决方法。
本发明公开了一种钽电解电容器的阳极烧结方法,将钽粉与粘结剂混合模压后形成的钽金属阳极放置入注有脱脂剂的真空干燥箱;然后进行低温湿法催化脱脂;再对放置入真空干燥箱中的钽金属阳极进行3次以上的循环脱脂后进行真空干燥;最后对阳极进行真空烧结;所述粘合剂选择不同熔点的石蜡、苯甲酸、樟脑、甘油和硬脂酸;脱脂剂选择乙醇、乙烷、三氯乙烷和汽油中的一种。采用本发明所述方法可获得较高的比表面和较高的孔隙率,并获得较大的容量和低的漏电流,其碳含量和氧含量分别降低到0.005%~0.010%和0.28%~0.62%。该方法具有跟现在的生产工艺兼容,适合大规模生产。
本发明提供了一种可降低钽电容器容量变化率的阳极钽块的制备方法,包括以下步骤:(1)选择用于阳极钽块成型的钽粉;(2)设计阳极钽块的形成电压或上限压实密度,并设计其相应的规格参数;(3)使用步骤(1)所选择的钽粉,并按照步骤(2)中的相关参数压制形成阳极钽块;(4)将成型的阳极钽块进行真空烧结。本发明在产品的生产工艺允许的范围内,通过增加阳极钽块的实际密度,或提高阳极钽块的烧结温度,或适当降低烧结后阳极钽块的比容,有效降低了非固体钽电解电容器在125℃条件下其容量变化率,解决了非固体钽电解电容器的高温时容量变化大的问题,为市场的对该类型产品高精度要求提供了生产制造保障。
本发明涉及硬质合金制备工艺的技术领域,具体公开了一种硬质合金坯料低压成型工艺,包括以下步骤:1.混料:将金属粉末和粘接剂混合;2.准备模具:模具包括模腔,模腔内壁紧密贴合有模套;3.注射成型:将步骤1中混合后的产物注射入模套内成型;4.脱模:将模套与成型坯料一起取出;5.脱蜡预烧:将模套与成型坯料一起放入烧结炉内脱蜡;6.真空烧结;7.出炉:降温后排出炉内氩气,将坯料卸出。本发明通过在成型坯料外包裹一层模套,避免成型坯料在脱模、转移过程中受损,从而避免经济损失,同时减少成型坯料与空气接触的面积,提高最终产品的质量。
本发明公开了一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法,该方法是在芯片焊接前,在外壳基座上,沿功率半导体芯片焊接区域四周,通过激光标刻方式,刻出一道沟槽,形成一个引流圈;按正常钎焊工艺流程在外壳基座上先放置预制焊料,再将芯片放置在预制焊料上,最后加上压块放入真空烧结炉中进行钎焊;此时,溢出的焊料被限制在引流圈范围内,从而防止溢出焊料向外流动,避免造成短路。本方法具有以下优点:①可直接使用已有的工装夹具,适合规模化生产;②不需对原有钎焊工艺参数进行调整,可快速导入生产;③可将溢出钎料控制在预定区域,提高产品质量。本方法适用于功率半导体分立器件和集成电路芯片钎焊。
本发明公开一种提高钽丝机械强度的烧结方法,将熔点较低且其本身或其氧化物易与水或酸反应的金属作为脱氧剂和压制成型的钽丝在真空状态下共同烧结,使钽丝被氧化的部分脱氧,脱氧完成后继续在真空状态下升温对钽丝进行烧结并使钽粉结晶,从而提高钽丝的机械强度。具体的技术方案是首先将金属脱氧剂和准备盛放钽丝烧结的容器例如钽坩埚放入真空镀膜装置中,在真空状态下升温使金属脱氧剂汽化,冷却后金属脱氧剂在盛放钽丝的容器表面形成一层金属膜;然后将钽丝放入经过镀膜的容器在真空烧结炉中烧结。
本发明公开了一种轴承滚针的加工工艺,步骤包括:(1)粗加工,选择材料,然后墩粗、锻压,进行酸洗;(2)热锻,将材料放入压力机中进行热锻,再放入真空烧结炉中进行加热烧结;(3)淬火,放入温度为100‑240℃的淬火炉中进行淬火,冷却后进行冷轧处理;(4)热处理,进行真空热处理,温度为800‑860℃,保温时间1‑2h;(5)细加工,拉制成棒材,然后根据尺寸进行切削、打磨、抛光,制成滚针成品。本发明提供的轴承滚针的加工工艺,操作简单,所制作的滚针使用寿命较长、质量优良。
一种大功率混合集成电路器件的烧结方法,该方法是使用一种多芯片定位夹具来定位芯片和固定压块,并通过验证的算法进行夹具重量设计,以确保金属表面与焊料紧密接触,减小基片与外壳间隙,增加填缝长度,将拟烧结的大功率器外壳、焊片、芯片、陶瓷基片与压块组装成一个整体放入真空烧结炉进行烧结,使焊料沿着焊面间隙外溢运动,填充基片底部,避免过多溢出,从而提高粘接强度。本发明的烧结方法不仅工艺简单、定位准确、有效固定芯片与压块,又能使基片与外壳能够更好的浸润铺展,提高产品质量的同时还能提高工作效率。通过该方法的组装方式以及夹具重量算法设计可以用于其它微电子组装上的真空共晶焊。
本发明涉及高磷鲕状赤铁矿脱磷技术领域,尤其是一种高效去除高磷鲕状赤铁矿中磷的方法,通过对鲕状赤铁矿压制成球后,置于真空碳管炉中,加热,真空还原处理30?60min,收集固相,使得得到精矿的磷含量低于0.1%,精矿的品位达到60%以上,并避免了采用脱磷剂的处理,降低了处理成本,避免了新物质的加入,降低杂质成分。
本发明公开了一种半导体集成电路芯片焊接的方法,该方法工艺流程是将管基放在真空烧结炉内,接着将焊料片置于管基的相应位置,再将芯片放在焊料片正上方,之后开启保护性气体,进入焊接程序,开启冷却气体,焊接程序结束并冷却后打开真空烧结炉,取出产品,焊接完成。本发明方法由于减小了焊料片的面积,节约了成本,而且芯片周围的焊料是在合金焊接的过程中溢出的,而不是在合金焊之前就存在;采取在高温阶段打开冷却气体,使得焊接系统的各向同性比较好,从而使芯片底部的焊料均匀地溢出到芯片边缘。适用于半导体集成电路生产(后道封装)过程中芯片的焊接。
本发明公开了一种四元系镁基储氢合金、其生产方法及应用,四元系镁基储氢合金由Mg1.5-2Al0.02-0.08Ni0.5-1.0A0.05-0.1组成,其中A为V、Ti、Fe、Nd、Pd,显微组织中分布有弥散的纳米晶团簇和非晶团簇。合金元素粉末经充分混合后压制成片状,然后在真空烧结炉内进行烧结,得到的合金样品进行粉碎、球磨、筛选,得到粒度<25μm以下的合金粉末;称取少量的微细Ni粉进行球磨,得到纳米晶Ni粉;把粒度<25μm以下的Mg1.5-2Al0.02-0.08Ni0.5-1.0A0.05-0.1合金粉末和纳米晶Ni粉及第二相活性粒子充分混合后进行高能球磨,得到具有纳米晶和非晶组织的活性储氢合金材料,经过活化后得成品。成品具有吸/解氢温度低、性能稳定、具有实用性,价格便宜的特点。
本发明公开一种提高钽块机械强度的烧结方法,将熔点较低的金属作为脱氧剂和压制成型的钽块在真空状态下共同烧结,使钽块被氧化的部分脱氧,脱氧完成后继续在真空状态下升温对钽块进行烧结并使钽粉结晶。在烧结过程中,将脱氧剂和压制成型的钽块放入真空烧结炉,真空烧结炉的真空度大于3×10-4Torr后开始升温,当升温至脱氧剂的熔点时停止升温;真空度大于3×10-4Torr后升温至脱氧剂汽化温度,使脱氧剂完全汽化后保温30分钟;真空度大于3×10-4Torr后升温至烧结钽块所需的温度。由于钽粉颗粒表面的氧化物被脱氧剂蒸汽清除,钽粉颗粒表面的微熔化层没有氧化物的阻挡,彼此间形成结晶区域,在真空环境下自然冷却后,钽块的机械强度得以大幅提升。
本发明公开了一种海绵钛添加石墨烯复合材料及其制备方法,其中制备方法包括如下步骤:(1)称取石墨烯纳米片,超声分散;(2)将海绵钛粉混入石墨烯分散液中同时进行超声分散和磁力搅拌;(3)将分散完毕的混合泥进行真空干燥;(4)将步骤(3)中的混合粉粉末放入钢制模具中进行单向静压;(5)将步骤S4中的压制样品进行真空烧结;(6)烧结完毕后,烧结样品随炉冷却至室温,取出样品;本发明的海绵钛添加石墨烯的复合材料的制备方法提供一种具有轻质强硬的钛基复合材料,其采用超声分散与真空烧结相结合的技术制备复合材料,以获得轻质、高比强度的新型复合材料。
本发明公开了一种处理焊锡电解阳极泥的方法,包括如下步骤:焙烧脱氟:将焊锡电解阳极泥在空气中焙烧,并获得焙烧渣及含氟烟气;真空还原熔炼:将获得的焙烧渣置于真空炉中,并在向真空炉内填入还原煤炭后,进行真空还原熔炼,真空还原熔炼结束后获得还原渣及合金;真空蒸馏及冷凝:将获得的合金在真空炉中进行真空蒸馏,此时真空炉内合金中的锑和铋挥发并产生挥发气体,挥发气体通入冷凝管进行冷凝收集,进而获得铋锑物料,合金中的锑和铋挥发后,合金变为富锡合金,实现了焊锡电解阳极泥中锑铋与锡的有效分离。本发明在进行的过程中,能够实现焊锡电解阳极泥中锑铋与锡的有效分离,且整个过程中清洁、环保,有利于进行推广运用。
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