本发明涉及一种耐磨陶瓷衬套的生产方法,解决了现有高炉风口衬套寿命短、耐高温、耐腐蚀、磨损、烧损性能差的问题。技术方案为将重量份数为碳化硅50~70,单质硅为20~30,碳黑为10~20,蒸馏水22~35,pH值在6.5~7.3之间的聚乙烯醇3~5,羊毛脂0.2~0.5的原料经配料、制浆、制模、成型、干燥、修坯、烧结、精整制成。本发明原料可全部国产化,降低了采购成本,生产陶瓷衬套能够在温度高达1300℃的工况中正常工作,具有优异的耐腐蚀、烧损和磨损的性能,使用寿命可达100天以上。
本发明属于梯度材料技术领域,具体提供了一种ZrB2‑Mo梯度材料及制备方法,其中ZrB2‑Mo梯度材料包括两端的富ZrB2陶瓷和富Mo金属层,中间为具有梯度渐变组分的ZrB2/Mo多层复合材料层,且采取一体成型的方法烧结制备;各所述ZrB2/Mo多层复合材料层中的梯度渐变组分采用函数进行组分的分布设计。该方案制备的ZrB2‑Mo梯度材料与均质ZrB2/Mo复合材料相比,在相同的烧蚀环境下,能够更好地保持完整性,避免灾难性损伤,有效地缓解了陶瓷材料和金属材料之间因热膨胀系数差异引起的热应力,抗热冲击烧蚀性能大大提高。
本发明公开了一种抗CMAS腐蚀的多组分的高熵烧绿石结构热障涂层材料及其制备方法和应用。热障涂层材料的化学式为A2B2O7,A包括稀土元素、Al和Ba中的至少五种元素,B为Zr、Ti、Hf、Nb和Ce中的一种或多种。本发明提出通过五种以上多主元设计制备抗CMAS腐蚀的多组分的高熵烧绿石结构热障涂层材料。通过高熵效应获得降低的热导率、提高的热膨胀和断裂韧性,同时引入抗腐蚀元素如Al、Ba、Ti和Hf等能进一步提高其抗腐蚀性能,从而获得综合性能优异的热障涂层材料,在下一代高推重比发动机热障涂层领域具有广阔应用前景。
本发明涉及氟磷酸锶分体的合成技术领域,具体涉及一种钕离子掺杂氟磷酸锶透明陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)制备纯相氟磷酸锶纳米粉末;(2)将所得混合粉末进行烧结;烧结预烧温度为900‑1100℃,保温3‑5小时,然后再升温至1200‑1350℃进行热处理,保温1‑3小时,烧结完毕后冷却至室温得到烧结后的样品;(3)将烧结后的样品进行粗磨和抛光,即得到钕离子掺杂氟磷酸锶透明陶瓷。本发明通过控制烧结条件,制备出氟磷酸锶透明陶瓷,本发明的制备方法与其他技术相比具有成本低廉,对设备要求低,产量大等优势。本发明的方法制备的钕离子掺杂氟磷酸锶透明陶瓷,其密度约为99%,近红外波段透过率大于40%。
本发明专利公开了驱动电机用多主相高矫顽力钕铁硼永磁材料及其制备方法,其重量组成最终配比:镨钕合金20~32%,镝0~10%,铽0~10%,硼0.95~1.0%,铜0~0.2%,铝0~1%,钴1~3%,铌0~1%,锆0~0.1%,镓0~0.3%,余量为铁和材料中少量不可避免的杂质。本发明还包括所述高矫顽力钕铁硼永磁材料的成分配比方法和制备方法。本发明提供的钕铁硼永磁材料具有较高的矫顽力和磁能积,能满足驱动电机的性能要求;采用此种方法制备高矫顽力钕铁硼磁体,可以降低磁体中重稀土用量,实现客户需求量的柔性调节,节约原材料和生产成本。
本发明公开了一种Mg(Zn)‑MgSb金属间化合物结构材料的合成方法,称取Mg:Sb=1.2‑12:1的Mg粉和Sb粉,加入占Mg粉和Sb粉总质量1‑2%的Zn粉混合均匀,将混合粉末装入模具,压制成型,成型的制品用石墨纸包覆后放入烧结炉中烧结。在烧结过程中,加热温度达到420℃后Zn熔化,加热温度达到630℃后Sb熔化,和Mg反应形成MgSb金属间化合物,加热温度达到650℃后剩余的Mg熔化,Zn溶入Mg中形成固溶体Mg(Zn)。Zn固溶到Mg中,形成固溶体,产生固溶强化,使Mg强度性能提高。形成Mg(Zn)固溶体后,耐腐蚀性能明显提高。通过化学反应形成的MgSb金属间化合物,和Mg(Zn)固溶体的界面结合良好。同时,MgSb金属间化合物硬度较高、延展性较好,能有效地阻碍位错运动,显著地提高材料的强度性能,抗拉强度达到240MPa。
本发明公开了一种双尺度钛合金材料的制备方法。包括以下步骤:将原料钛合金粉末进行低温球磨,得到细晶钛合金粉末;将细晶钛合金粉末与原料钛合金粉末混合配料,所得混合粉末中细晶钛合金粉末占5~95wt%;将混合粉末装在预先制好的石墨模具内进行脱气,脱气后将混合粉末依次进行表面活化和放电等离子活化烧结(PAS),得到双尺度钛合金材料。本发明生产工艺简明、周期短、结构可控性强,可有效提高钛合金材料的致密度和力学性能;获得的双尺度结双相钛合金材料中,双重尺度晶粒分布均匀,综合力学性能优异,满足大部分工业要求,形成可实现工业应用双尺度钛合金材料的制备方法。
本发明涉及一种光固化成型陶瓷坯体的真空‑空气‑真空快速脱脂烧结方法,将光固化成型陶瓷坯体放置于泡沫氧化铝陶瓷平台上随转移至真空炉中,在1×10‑3~5×10‑1Pa的真空条件下,以0.5~2℃/min的升温速率和升温过程中的间断保温将温度升高至550~650℃并保温1~2h;陶瓷坯体碳化完成后将真空炉的温度自然降温至300~400℃并保温1~2h,关闭真空泵,以0.1~1L/min的速率缓慢的向真空炉中通入空气,使陶瓷坯体中残留的碳与氧气缓慢反应生成二氧化碳而逸出,待保温时间完成打开真空泵,以3~5℃/min的速率将温度升高至陶瓷的烧结温度并进行保温,真空碳化后的空气氧化防止了残留的少量炭对烧结后陶瓷制品性能的影响。
本发明公开了一种驱动电机专用高性能钕铁硼永磁体的制备方法,该制备方法利用三主相合金法和低熔点金属添加法,通过优化合金成分设计制备三种主相合金,然后把三种主相合金按比例混合,添加适量的低熔点金属及其合金,制备驱动电机专用高性能钕铁硼永磁体。采用此种方法制备磁体可以优化磁体中镝和铽的含量、提高磁体的矫顽力,制备出不同磁性能的高性能钕铁硼永磁体,满足客户对磁体磁性能的不同要求,节约生产成本、降低废品率。本发明提供的高性能钕铁硼永磁体的综合磁性能(BH)max(MGOe)+Hci(kOe)≥67、Hci(kOe)≥25,能满足驱动电机对高性能钕铁硼永磁体的磁性能要求。
本发明公开了一种陶瓷钢复合材料及其制备方法。所述陶瓷钢复合材料的成分及其含量是:B为1~10wt%,Mo为20~65wt%,Ni为1~10wt%,Mn为0.1~5wt%,Cr为1~15wt%,C为0.2~2wt%,余量为Fe。按上述成分及其含量配料,外加所述成分总量2~6wt%的成型剂,置入球磨机中湿磨20~100h,在50~80℃条件下真空干燥5~8h,筛分,将筛分后的粉末压制成型;然后将成型坯体置入烧结炉中,以3~10℃/min速率依次升温至320~500℃、750~850℃和900~1000℃,分别保温30~60min;再以2~6℃/min速率升温至1100~1400℃,保温30~90min;即得陶瓷钢复合材料。本发明成本低和工艺简单,所制备的陶瓷钢复合材料硬度高、耐酸碱腐蚀性能优良和耐磨性能好。
本发明的一种复合强化铁基高温合金及制备方法,高温合金由基体与复合强化相组成,复合强化相所占体积百分比1%~10%;其中8%≤Cr≤22%,1%≤W≤5%,0.2%≤Ti≤1.0%,0.3%≤Si≤5.0%,0.5%≤Y≤1.0%,1.0%≤Fe2O3≤3.0%,余量为Fe;经机械合金化、等温退火、模压成形及微波烧结工艺制成。本发明生产效率高,成本低,制备的复合强化铁基高温合金,强化相分布均匀,室温拉伸强度σb≥1100MPa,延伸率≥20%,800℃条件下拉伸强度σb≥350MPa,优于传统的Fe‑Cr‑W‑Ti‑Y2O3体系合金,且工艺周期大幅缩短,所需能耗大幅降低,节约制造成本。
本发明公开了一种抗高温氧化的低粘结相Ti(C,N)基复合金属陶瓷制备方法,属于金属陶瓷材料和粉末冶金技术领域。本发明的Ti(C,N)基复合金属陶瓷制备方法,经过原料配比、湿磨、烘料、压制和分压烧结等步骤,通过调节Mo2C和Co的含量,利用分压烧结的方式形成一种抗氧化性比较高Ti(C,N)基金属陶瓷。本发明的高温抗氧化性的低粘结相Ti(C,N)基复合金属陶瓷,其组分重量百分比为:Ti(C0.5 N 0.5):35~65%,WC:15~35%,Mo2C:10~15%,Co:10~15%,Ni:10~20%,石墨0.8~1.0%。本发明制备出的Ti(C,N)基复合金属陶瓷,不仅致密性比较好。同时在高温抗氧化性方面也表现优秀,在特殊钢材的半精加工的切削刀具材料方面有积极意义。
本发明公开了一种齿面金刚石复合片及其制造方法。本发明的齿面金刚石复合片包括硬质合金基体层和与基体层连接的聚晶金刚石层,聚晶金刚石层端面上设置有曲面沟槽结构,曲面沟槽包括设置在聚晶金刚石层端面上的若干个平行凸起的棱和棱间的沟槽。本发明将金刚石粉末与基体层一体化烧结成型,工艺操作简单,避免二次加工,大大节约了制造成本。本发明的金刚石复合片用作钻头时,金刚石层端面上的曲面沟槽结构为工作部位,其具有高耐磨性和高切削效率,抗冲击性能好、热稳定性好、使用寿命长,适应地层多等特点,本发明的齿面金刚石复合片做成的钻头,可以明显改进钻齿的破岩效率,提高钻头的钻进速度,降低钻探起钻频率,降低开采成本。
本发明提供一种日用陶瓷用硅板及其制备方法,所述日用陶瓷用硅板包括以下重量份的组分:碳化硅粉70‑80份、微晶石墨粉0.5‑3份和铝粉0.5‑5份。本发明提供的日用陶瓷用硅板主要成分为碳化硅粉、微晶石墨粉和铝粉,将这三种组分合理配比,可有效提高产品的性能,硅板厚度相对于传统硅板大大减小,节能轻便,还可增加10%装载量,而且该硅板不粘陶瓷,无需再在表面涂刷铝粉,避免铝粉掉渣产生的损耗,相对传统硅板,综合节省能耗20%以上,降低了生产成本。本发明制得的硅板经客户隧道窑连续使用一年半,表面无缺陷,不变形,且价格易接受,深受客户喜爱。
本发明涉及光学组件制造技术领域,尤其是一种光路无胶自由空间隔离器的制造方法。先将粘接孔的预加工,再将玻璃焊料焊接,最后切割分离。本发明的光路无胶自由空间隔离器的制造方法在偏振片和法拉第旋转片的四角非工作区域使用玻璃将三片固定在一起,三者之间采用空间接触的方法,由于整个制造过程和光路无胶,避免了常规方法的缺陷,安全性和耐用性大大提升。
本发明涉及一种长寿命耐磨叶片的生产方法,解决了现有耐磨叶片耐腐蚀、耐高温、耐磨损性差、能耗高的问题,技术方案包括将以下成分的原料按所述重量份数进行混合:焦粉68~88,单质硅22~32,纯净水20~32,pH值在6.8~7.2之间的聚乙烯醇1~2,然后经配料、制浆、制模、成型、干燥、修坯、烧结、精整制得。本发明方法制得的长寿命耐磨叶片硬度高、耐腐蚀、耐高温、耐磨损、可适用于各类物料输送。
本发明涉及一种细晶粒富硼碳化硼基陶瓷复合材料及其制备方法,其主要物相是富硼碳化硼和硼化钛,硼化钛分散在富硼碳化硼中,富硼碳化硼和硼化钛物相分布均匀,晶粒之间无裂纹。所述的细晶粒富硼碳化硼基复合陶瓷材料由碳化钛粉体和硼粉混合粉体,经过放电等离子烧结而成,其中按质量百分比计碳化钛粉体39.5%‑44.3%,硼粉55.7%‑60.5%。本发明提供的富硼碳化硼‑硼化钛陶瓷复合材料具有均匀的晶粒尺寸和物相分布,碳化硼硼碳比大且方便调控;材料具有高的致密度和优异的性能。
本发明提供一种驱动电机专用钕铁硼永磁体的晶界扩散制备方法,包括以下步骤:设计高镝和高铽含量的两种富稀土相辅助合金和一种不含镝铽的主相合金,三种合金的化学式分别为(PrNd)20Dy20Fe60‑z‑nMzBn、(PrNd)30Tb10Fe60‑z‑nMzBn和(PrNd)xFe100‑x‑z‑nMzBn,式中x、z、n分别表示式中相应元素的质量百分比,M为Zr、Nb、Ga、Co、Al中的一种或几种元素。本发明首先采用双合金法制备两种主相合金成分,然后采用双主相合金法制备获得晶界扩散基材。这种制备方法同时利用了双合金法和双主相合金法,能够极大地提高基材的磁性能。同时,这种制备方法的成分配比方式可以更好地调节重稀土Dy和Tb含量、优化基材的微观结构。最后,利用晶界扩散技术能够制备出多种牌号的驱动电机用高性能钕铁硼永磁体。
本发明涉及一种WCoB?TiC复合陶瓷刀具材料及其制备方法。其技术方案是:以20~70wt%的碳化钨粉末、5~35wt%的二硼化钛粉末、10~60wt%的钴粉末、0.1~1wt%的碳粉末、0.1~2wt%的稀土氧化物粉末和0~5wt%的碳化硅纤维为原料,外加所述原料0.1~2wt%的抑制剂和3~6wt%的成型剂,球磨;在真空度为10?2~102Pa和温度为50~90℃条件下干燥5~10h,筛分,得到粒径为2~75μm的合金粉末;将所述合金粉末压制为刀具毛坯,最后将所述刀具毛坯在1200~1500℃条件下烧结10~15h,机械加工,制得WCoB?TiC复合陶瓷刀具材料。本发明的制备成本低和工艺简单,所制备的WCoB?TiC复合陶瓷刀具材料具有硬度高、耐磨性好、工作温度高、红硬性好和韧性好的特点。
本发明涉及一种高频超脉冲三维半导体反应器水处理技术,能将高浓度难降解有机物快速分解或彻底碳化,能沉淀回收重金属,可将氰根氧化成N2和NH3,由三部分构成:核心参数为输出频率50Hz~20KHz、占空比25%≤d≤100%方波脉冲高频超脉冲发生器,改性活性炭、烧结Al2O3-TiC复合电极、载Mn/Sn/Sb的γ-Al2O3和载CeO2/Sb2O5半导体活性炭配比组成的三维半导体电极,底部进水顶部出水的立式填充床结构反应器。可克服传统技术能耗高、占地面积大、操作繁琐、二次污染等不足。适用于高盐度高浓度难降解有机污水,可用于石油、化工、制药、染料印染、电镀、造纸、养殖、垃圾渗透液、苦咸水等领域。
本发明公开了一种梯度Mg‑Zn合金棒的制备方法,将质量比为Mg:Zn=95:5的Mg‑Zn混合粉末压制成的棒料;将质量比为Mg:Zn=90:10的Mg‑Zn混合粉末压制成外径为
内径为
的管料;将质量比为Mg:Zn=80:20的Mg‑Zn混合粉末压制成外径为
内径为
的管料;将棒料和管料组装,内层为
的棒料,中间层为外径为
内径为
的管料,外层为外径为
内径为
的管料,组装后装入内径为
的钢制料筒中一起烧结,然后向料筒一端施加垂直的压力,另一端用外径为
的旋转压头进行旋转挤压,旋转压头和材料间的摩擦作用使接触区域的材料呈熔融状态,在垂直压力的作用下,熔融的材料从旋转压头中间的通孔中溢出并凝固,即得到梯度Mg‑Zn合金棒。
本发明公开了一种Mg3Sb2晶须‑Mg2Si颗粒复合增强镁基复合材料及其制备方法和应用,将不同质量的Mg粉、Sb粉和Si粉混合均匀,将混合粉末装入模具,压制成型,成型的制品用石墨纸包覆后放入在650‑750℃的烧结炉中烧结。在烧结过程中,加热温度达到630℃后Sb熔化,首先Mg和Sb反应形成Mg3Sb2晶须,随着加热温度提高,Mg和Si形成Mg2Si颗粒。最终获得Mg3Sb2晶须为主要强化相,Mg2Si颗粒为辅助强化相的镁基复合材料。通过Mg3Sb2晶须超高的强度和Mg2Si颗粒很高的硬度协同强化,提高复合材料的性能。
本发明公开了一种电池模组用电芯连接板及其制备方法和用途。所述电芯连接板包括金属基体和分散于所述金属基体中的石墨烯。本发明的电芯连接件中,石墨烯发挥超导作用,少量添加不仅能够提高电芯连接件的导热系数和电导率,还能够提升强度并满足电芯连接件的轻量化需求,用于电池模组中电芯和电芯的连接,可以提高模组的性能,对于轻量化电池模组的发展具有重要意义。
本发明涉及了一种LED芯片发光灯条基板材料及LED球泡灯,其特征在于LED球泡灯由发光条(1)、驱动电源(2)、玻璃球泡壳(3)、玻璃支架芯柱(4)和电连接器(5)组成;其中玻璃球泡壳(3)与支架芯柱(4)真空密封成腔体后充入高导热气体,支架芯柱(4)和固定其上的发光条(1)容纳在密封腔体中;发光条(1)与驱动电源(2)及电连接器(5)依次电连接;LED芯片的发光条(1)由YAG:Ce原料粉体与氮化物红色荧光粉体烧制成基板材料(6)的一个面上包含LED蓝光芯片(9)组成,蓝光芯片(9)表面涂覆荧光粉层(7)。本发明采用新颖环保的水基流延成型工艺实现高质量透明荧光多晶体基板材料的低成本制备。获得了高光效、高显色指数、高光学透过的荧光多晶体基板材料及色温一致性散热好、可靠性高、寿命长的球泡灯。
本发明具体涉及一种金属陶瓷复合辊环及其制备方法。采用的技术方案是:该复合辊环由辊环(2)和基体(1)构成;首先将合金粉末经模压或等静压成型为辊环(2),在1100~1400℃条件下烧结10~180分钟。然后将烧结制得的辊环(2)的内壁作为铸模型腔的一部分,采用铸造工艺在其内设置一同心圆柱体砂芯,辊环(2)的内壁及同心圆柱体砂芯构成铸模的型腔,在型腔中浇铸钢水或铁水,浇铸前的辊环(2)或为常温或加热至350~1100℃;脱膜后,得到基体(1)与辊环(2)的连接体即为金属陶瓷复合辊环。本发明采用热膨胀性相近的铁基三元硼化物金属陶瓷与球墨铸铁或合金结构钢复合,具有复合界面结合良好、耐磨性能好、易加工、安装方便、生产成本低等特点。
一种钎焊材料及其制备方法以及用其进行焊接的方法,属于钎焊材料的制备方法及其应用,解决现有TI(C,N)基金属陶瓷与金属连接中存在的连接强度和工作温度偏低的问题,实现TI(C,N)基金属陶瓷与钢的牢固连接,且使连接接头具有较好的连接强度和较高的工作温度。本发明钎焊材料各成分质量百分比为:40≤CU≤45,20≤AG≤25,21≤ZN≤23,5≤NI≤10,1≤TI≤3,1≤SI≤5。制备方法包括混合、压制成型、烧结和轧制步骤,轧制成钎焊材料薄片。用钎焊材料进行钎焊的方法包括:焊前准备、装配、升温和降温步骤。本发明采用的钎焊材料和钎焊工艺成功实现了TI(C,N)基金属陶瓷与45钢的牢固连接,接头的最大室温剪切强度达到268.5MPA,平均剪切强度达到240.9MPA。
本发明具体涉及一种WCoB三元硼化物金属陶瓷材料及其制备方法。所采用的技术方案是:以5~30wt%的二硼化钛粉末、20~70wt%的碳化钨粉末和10~60wt%的钴粉末为混合料;按磨球和混合料的质量比为(4~10)∶1,在球磨机中加入磨球和混合料,再加入球磨介质,球磨介质的液面高出磨球和混合料层5~30mm;经球磨机湿磨10~100小时,然后外加混合料2~15wt%的成型剂,在球磨机中混合1~30小时,经造粒得所需粉末;粉末压制成型后在1250~1500℃烧结1~10小时,即得WCoB三元硼化物金属陶瓷材料。本发明成本低、工艺简单,用该方法所制备的WCoB三元硼化物金属陶瓷材料具有较高的耐磨性和耐高温性能,能满足更高的服役条件。
本申请公开了一种表面挤压强化的发动机齿轮制造工艺及挤压成型模具,涉及粉末冶金齿轮表面强化技术领域,该表面挤压强化的发动机齿轮制造方法包括:将多种粉料按照预设比例混合得到混合粉料,混合粉料的组分包括铁、碳、镍、钼、钛、锰、以及润滑剂;将混合粉料压制成齿轮毛坯,并对齿轮毛坯进行烧结得到齿轮烧结件;将齿轮烧结件放入挤压成型模具,依次经过其内部的多级挤压工作带的挤压后得到表面强化的待完成齿轮;对待完成齿轮进行热处理和精加工得到目标齿轮。本申请,可保证齿轮强化效果高、齿轮精度可控制、工艺简单、成本较低。
本发明的名称为母排联接式高性能IGBT模块及其制作方法。属于功率半导体器件和电力电子技术领域。它主要是解决现有铝丝键合存在芯片和联接线间的接触面积小、IGBT器件的浪涌电流能力和过载能力不够高、器件工作可靠性不够高的问题。它的主要特征是:包括外壳、底板、电极和封装在外壳内的半导体芯片、DBC、电极、母排、钼片、焊料等。所述的芯片、DBC、电极相互间是通过母排联接的。母排联接方法是将各部件依次组装在专用的制具中,并紧固,在真空炉中焊接而成。本发明能显著提高IGBT器件的频率特性,改善器件的开关性能,对高频、大功率、高可靠性半导体器件非常适用。相比传统技术,可节省投资,缩短生产加工周期。
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