本发明的名称为母排联接式高性能IGBT模块及其制作方法。属于功率半导体器件和电力电子技术领域。它主要是解决现有铝丝键合存在
芯片和联接线间的接触面积小、IGBT器件的浪涌电流能力和过载能力不够高、器件工作可靠性不够高的问题。它的主要特征是:包括外壳、底板、电极和封装在外壳内的半导体芯片、DBC、电极、母排、钼片、焊料等。所述的芯片、DBC、电极相互间是通过母排联接的。母排联接方法是将各部件依次组装在专用的制具中,并紧固,在真空炉中焊接而成。本发明能显著提高IGBT器件的频率特性,改善器件的开关性能,对高频、大功率、高可靠性半导体器件非常适用。相比传统技术,可节省投资,缩短生产加工周期。
声明:
“母排联接式高性能IGBT模块及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)