有色金属失效分析技术理论与应用

基于失效面理论的复合材料层合板强度分析方法 807     

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本发明公开了一种基于失效面理论的复合材料层合板强度分析方法，涉及复合材料结构失效分析领域，该方法包括：基于三维失效面理论确定材料损伤柔度矩阵的计算公式，从而建立起复合材料力学本构关系；采用失效面上的应力构造失效准则以判断复合材料是否失效及其失效模式，并基于失效面坐标系进行复合材料的刚度退化。通过对有限元软件进行二次开发建立了复合材料层合板的三维有限元模型，仿真模拟了复合材料层合板损伤起始、损伤演化和最终破坏的完整过程。该方法物理机制明确，能较好地预测复合材料层合板的失效载荷与失效模式，在很大程度上提高了复合材料层合板强度分析的预测精度，从而避免进行大量耗时长、成本高的试验测试。

带有提示功能的汽车减震器失效检测及报警系统 739     

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本发明公开了一种带有提示功能的汽车减震器失效检测及报警系统，包括：位于汽车悬架系统上的主减震器和备用减震器，以及运动感测模块、距离记录模块、温度检测模块、报警模块和控制模块；运动感测模块用于感测汽车是否运动，并在汽车运动时将运动信号传送至距离记录模块，当距离记录模块接收到运动信号时自动清零并开始记录，当距离记录模块连续记录的距离值高于距离阈值时，距离记录模块向控制模块传送开启信号；控制模块在接收到开启信号后，启动温度检测模块检测主减震器外壳的温度，并在温度检测模块所检测的温度值低于预设温度阈值时，控制模块关闭主减震器同时开启备用减震器，而且向报警模块传送开启信号以及时告知车主。

失效分析定位方法 938     

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本发明公开了一种失效分析定位方法，其属于半导体领域的技术，包括：步骤S1，预先在所述重复性结构区域设置一目标区域；步骤S2，以所述目标区域为中心在所述被测芯片表面设置一点阵图形，所述点阵图形中的组成点的面积和所述组成点与所述目标区域之间的距离成正相关；步骤S3，对所述目标区域进行失效分析以定位所述目标区域中的失效点，在进行所述失效分析之前根据所述点阵图形定位所述目标区域。该技术方案的有益效果是：本发明能够减少抓取失效点的时间，以便快速的进行失效分析，提高了失效分析的效率，实现了对芯片上的重复性结构区域中的失效点的快速定位与分析。

半自磨机贝氏体钢衬板失效的分析方法 814     

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本发明公开了一种半自磨机贝氏体钢衬板失效的分析方法，属于耐磨材料失效分析技术领域，用于对半自磨机衬板的失效分析。其中主要包括以下步骤:获取半自磨机衬板的失效背景；对衬板进行外观检查，得到衬板失效的信息；对衬板宏观形貌进行观察得到失效形式，预估分析衬板的失效原因；通过材料分析法确定衬板失效的原因。利用本发明可以得出衬板失效的原因为以后衬板性能的优化提供有效依据。

基于细观力学退化模型的复合材料结构失效分析方法 642     

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本发明涉及一种基于细观力学退化模型的复合材料结构失效分析方法，以复合材料三维基本材料性能为输入参数，通过细观力学方法计算得到复合材料损伤后的材料性能，考虑了常见的七种失效模式，包括纤维拉伸，纤维压缩，基体拉伸，基体压缩，纤维-基体剪切，分层拉伸和分层压缩，最终得到复合材料渐进损伤分析中的材料退化模型，并用来进行复合材料结构的失效分析，不仅能够相当准确地预测结构失效强度，同时还能够预测结构的失效模式及位置。本发明基于细观力学退化模型的复合材料结构失效分析方法中，材料退化模型是通过理论分析得出，将复合材料的宏观失效与细观机理联系起来，与现有的基于经验或试验的材料退化模型相比，大大减少了时间和试验成本。

器件失效定位分析方法 783     

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本申请涉及失效分析技术领域，具体公开一种器件失效分析定位方法，包括：对扫描探头进行校准，获取校准数据；控制扫描探头对待测器件进行扫描，并获得第一参数信息，第一参数信息用于表征待测器件扫描高度平面的电磁场信息；根据第一参数信息和校准数据，确定待测器件目标高度平面的电磁场信息；根据待测器件目标高度平面的电磁场信息，确定待测器件表面的电学分布；根据待测器件表面的电学分布，确定待测器件的失效位置。基于电磁注入和探测的原理，结合待测器件表面的电磁场信息实现对待测器件的失效位置的分析，相对于传统的失效分析方法而言，成本较低，且无需对待测器件进行破坏，整体失效定位方法可靠性较高。

晶振失效分析的方法 748     

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本发明提供了一种晶振失效分析的方法，包括以下步骤：A、对需要分析的晶振样品进行外观分析，寻找可能的失效原因；B、对需要分析的晶振样品进行电学测试，测出频率、等效串联电阻和最大阻抗；C、对需要分析的晶振样品进行开封，并进行电学测试；D、使用光学显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；E、使用扫描电子显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；F、综合分析上述步骤得到的结果，总结出晶振样品失效的原因。本发明有如下优点：本发明利用有限的分析仪器，在短时间内快速找到晶振元件失效的原因，分析详尽完整，为晶振的工艺生产的改进提供有效信息。

应用于NVM芯片的失效位图分析方法 607     

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本发明公开了一种应用于NVM芯片的失效位图分析方法，该方法从芯片外部由具有位图分析功能的测试仪输入HV信号，测试芯片的擦除、编程、读取功能，用位图分析方法进行分析，存储单元阵列中，缺陷附近的行或列在位图中表现为读取错误，远离缺陷的行或列在位图中表现为读取正确，根据位图反映的缺陷特征信息分析失效机理和定位失效位置。本发明通过改进常规的失效位图分析方法，将HV信号由芯片内部Pump电路模块产生改为由芯片外部测试仪输入，从而在NVM存储阵列全部存储单元Read失效的情况下，得到了失效芯片的具有缺陷特征的位图信息，不仅突破了常规位图分析方法的限制，而且大大提高了位图分析定位的有效性和适用范围。

用于分析可靠性失效的太阳能组件的方法及相应装置 766     

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本发明涉及一种用于分析可靠性失效的太阳能组件的方法，包括：(1)将失效组件置于高温、暗光环境中并保持电注入预设时间；(2)再次进行EL测试和功率测试，获得处理后的EL测试结果和功率测试结果；(3)将处理后的EL测试结果与初始状态的EL测试结果相比较，并将处理后的功率测试结果和初始状态的功率测试结果相比较，若处理后的EL测试结果相对于初始状态的EL测试结果在第一预设范围内且处理后的功率测试结果相对于初始状态的功率测试结果在第二预设范围内，则分析该失效组件为电池片失效；其他比较结果，则分析该失效组件为封装材料导致或电池片浆料接触导致的失效。本发明还提供了相应的装置。

接触器失效检测方法和接触器失效检测系统 1054     

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本发明提供一触器失效检测方法和接触器失效检测系统，其中所述接触器失效检测系统包括一检测电路、一检测模块以及一控制模块，所述检测电路电气连接于所述电池模块和所述接触器，以形成一检测回路，其中所述检测模块被电气连接于所述检测电路，由所述检测模块检测流经所述接触器的电流和对应所述接触器的分压，以得到所述接触器的接触电阻的阻值，其中所述控制模块被电气连接于所述检测电路和所述检测模块，所述检测模块根据所述检测模块检测的数据信息计算所述接触器的温升，并根据所述接触器的实时温度判断所述接触器的有效性。

对芯片进行失效分析的装置及方法 992     

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本发明公开了对芯片进行失效分析的装置及方法。该装置包括红外金相显微镜、显示器、芯片载台、电流源、金属探针和金属探针调节座，红外金相显微镜适于观测待测芯片发射区的电致发光情况；显示器与红外金相显微镜相连并适于显示红外金相显微镜观测到的情况；芯片载台适于盛放待测芯片；电流源适于输出直流电流并控制输出的直流电流的大小；探针调节座适于将与电流源输出端相连的金属探针的探针尖与待测芯片的电极接触。该装置不仅结构简单，还能通过电致发光情况精确判定待测芯片是否存在失效、失效位置的形状以及失效位置具体是位于芯片内部还是表面，同时可以判定待测芯片失效的电性形态，能够大大提升对芯片进行失效分析的准确率和可靠性。

高效的存储器失效分析方法 770     

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一种高效的存储器失效分析方法，可以实现对存储器单元进行可靠性失效分析图形显示的可视化分析方法，能够高效的分析存储器单元在可靠性评测时出现的物理地址、失效方式等，帮助快速定位产品的存储器失效原因；本发明仅提供一种存储器可靠性失效分析的图形化方法，并不限于开发者如何模拟和显示存储器的物理地址分配，依靠在图中显示出存储单元失效的位置以及形式，直观的显示出失效物理地址及分布。

制备15CrMo过热器管失效分析样品的方法 994     

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本发明提供一种制备15CrMo钢过热器管的失效分析样品的方法，所述方法包括：（1）切取待分析的钢件，在切取过程中，保持所述待分析的钢件温度不超过60℃；（2）提供一平坦基板，将所述待分析的钢件粘附于所述基板，其中，所述钢件的待分析表面朝向所述基板；（3）以所述基板为底部，构建围绕所述待分析的钢件的空腔，在该空腔中注入可固化镶嵌料将所述待分析的钢件嵌入所述空腔中；（4）去除通过步骤（3）固化镶嵌后的钢件表面的基板，使待分析表面露出，并对所述待分析表面进行表面处理，使其符合后续分析的要求。通过本发明的方法制备的失效分析样品可以保证样品的切割和镶嵌在失效现场进行，能够完好保存样品原始失效状态，样品制作效率高，消耗少，能够满足后续观测分析的需要。

电性失效分析方法 767     

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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性失效分析方法，利用存储单元的电流拼图进行一种直观性，准确性和高效性的电性分析测试，电流高低不同的存储单元会以深浅不一的颜色显示出来，而不是像比特拼图只能表示存储单元是处于‘0’还是‘1’状态，可以清楚地知道失效地址是硬失效还是边缘失效，因此发现一些比特拼图不能发现电性失效图案对应的物理位置，给后续物理失效分析指明确切的分析方向，从而提高分析效率和失效案例的命中率。

半导体结构的失效分析方法 776     

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本发明公开的一种半导体结构的失效分析方法包括：提供一待测半导体结构，待测半导体结构包括衬底、栅极结构、介质层、互连金属层和钝化层，且衬底内形成有阱区、源漏极；去除钝化层、互连金属层、介质层以及栅极结构以将源漏极的上表面予以暴露；继续将源漏极上表面暴露的待测半导体结构放入氢氟酸混合溶液中浸泡以对该待测半导体结构进行染色操作；观察进行染色操作后的待测半导体结构以对该待测半导体结构进行失效分析；通过该方法不需要对每一个晶体管进行电特性分析的精确定位，而只需要定位出一个小于10um×10um的区域，即可快速确认芯片的失效是否由LDD未有效注入引起，从而降低了失效分析的难度以及失效分析的成本。

电学失效分析方法及相关装置 693     

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本申请提供一种电学失效分析方法，包括：获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；根据失效晶粒的失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；获取当前高频主导失效权重值；根据各个高频主导失效晶粒的各个结构层的高频失效尺寸、各个低频主导失效晶粒的各个结构层的低频失效尺寸、当前高频主导失效权重值和晶圆的各个结构层的设计尺寸，获取各个结构层的失效偏差值，根据失效偏差值和预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，获取与最大的失效偏差值相对应的最大失效影响层。本申请实施例所提供的电学失效分析方法，可以提高电学失效分析的准确性。

失效分析方法及结构 875     

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公开了一种失效分析方法及结构，方法包括：获取测试结构的位置以及与所述测试结构对应的目标焊盘的位置；将所述目标焊盘电连接至空白焊盘上；通过所述空白焊盘对所述测试结构进行失效分析，其中，所述目标焊盘位于所述测试结构上方，将所述目标焊盘电连接至所述空白焊盘上后，所述目标焊盘与所述空白焊盘之间实现电交流。该申请中通过将目标焊盘与空白焊盘电连接，通过在空白焊盘扎针进行失效分析的方法，避免了直接在目标焊盘扎针进行失效分析的过程中，多次扎针引起的测试结构损伤的情况，提高了失效点定位的准确性。

电力联结金具失效分析方法 1055     

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本发明涉及一种电力联结金具失效分析方法，包括步骤有：(1)对失效的金具进行现场环境、工作状态及有关信息展开调查并记录；(2)收集与失效金具有关的背景资料；(3)对失效金具进行分析试验，找出失效金具损坏的原因；(4)分析试验结果，得出最终失效结论。通过本发明方法对金具失效过程的分析研究，不但可以弄清金具失效的本质、产生的原因及提出预防的措施，而且有助于查找技术管理方面的薄弱环节，通过确定失效的原因，可完善材料性能、改进设计、选型、安装工艺、检修、检查、监督等各方面工作，提高金具的质量。

半导体器件的失效分析方法 649     

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本发明关于一种半导体器件的失效分析方法，其包括步骤：去除半导体器件背面的铜层；对半导体器件背面的硅层进行减薄；及使用微光显微镜(Emission？Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。本发明半导体器件的失效分析方法通过通过对半导体器件的背面进行除铜、硅层减薄及失效点定位，节约了时间，提高了效率及成功率。

对失效芯粒的自动分析方法及系统 632     

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本发明涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统，所述方法包括以下步骤：收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，进行数据分析处理，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图；根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图，并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP‑WAT mapping图；将待测晶圆的WAT mapping图与CP‑WAT mapping图进行比对，计算得到WAT mapping图与CP‑WAT mapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。节省人力物力，提高效率。

电容的失效分析方法 960     

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本发明提供了一种电容的失效分析方法，包括以下步骤：A、对需要进行分析的电容样品进行外观观察，分析可能的实效原因；B、对需要进行分析的电容样品进行X-Ray透视检查，确认电容的内部结构；C、使用小刀将电容划开，取出电容样品中的薄膜；D、将需要进行分析的电容样品制作成金相切片样品；E、使用扫描电子显微镜对金相切片好的样品进行观察分析；F、综合分析上述步骤得出的结果，确定电容失效的原因。本发明带来的有益效果是：本发明方法步骤简单清晰，可准确分析出电容失效的原因，不会造成误判。

堆叠封装结构的失效分析方法及结构 690     

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本申请公开了一种堆叠封装结构的失效分析方法及结构，所述堆叠封装结构包括堆叠且粘接在一起的多个裸片，所述多个裸片各自包括裸露的焊盘。所述失效分析方法包括：对所述堆叠封装结构进行电测量，以确认故障裸片；采用探针标记所述故障裸片的焊盘；将所述堆叠封装结构的多个裸片彼此分离；以及对已经标记的所述故障裸片进行失效分析。该失效分析方法从堆叠封装结构中定位和标记故障裸片，在堆叠封装结构的多个裸片分离之后能够快速的找到故障裸片，进一步定位故障裸片的内部位置，因而不仅降低了测试成本，而且提高了效率。

人工耳蜗植入体的失效分析方法 973     

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本发明提供了一种人工耳蜗植入体的失效分析方法。该人工耳蜗植入体失效分析方法包括：ID遥测、阻抗遥测、顺应性测试及刺激输出的测试。本发明提供的人工耳蜗植入体的失效分析方法，旨在解决现有人工耳蜗耳蜗植入体失效分析方法的失效原因定位难、定位不准的问题，有效提升人工耳蜗植入体产品量产的合格率。

开路失效分析方法和系统 875     

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本申请涉及印刷电路板测试技术领域，具体公开一种开路失效分析方法和系统。方法包括：注入射频探测信号至待测电路板线路；接收反射信号，并对所述反射信号进行时域换算，得到时域曲线；对所述时域曲线进行分析，确定所述待测电路板线路的开路位置点。无需对待测电路板进行破坏，避免对失效位置造成破坏而找不到开路位置点，通过对时域曲线的分析可对任意一种开路状态的线路的开路位置进行分析，且准确度较高，另外，相对于外场电磁场扫描定位方法，本申请的失效分析方法成本较低。

二极管失效分析实验用反应釜 611     

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本发明公开了二极管检测技术领域内的二极管失效分析实验用反应釜，包括本体、端盖，所述本体为上端开口的圆形杯状，所述本体的内壁和底部上均设有环形的凹槽，所述凹槽内固定有电热丝，所述电热丝的外侧设有反应杯。所述端盖通过铰链铰接在本体上端的一侧，所述端盖的形状与本体相匹配；所述端盖上设有若干排液孔，端盖与铰链相对一侧的下端向下凸起形成卡台，本体上端与铰链相对的一侧设有卡槽，所述卡台和卡槽相配合。本方案通过电热丝对反应杯加热，降低了实验的不稳定性和危险性，通过设置带有排水孔的端盖，防止样品掉落，避免重复实验，提高了实验效率。

红外补光模块失效检测方法及终端设备 1041     

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本发明提供了一种红外补光模块失效检测方法及终端设备。所述方法包括：在检测到用户输入的终端解锁操作时，通入第一电流开启所述补光灯，并获取所述红外摄像头采集的第一图像，其中，所述红外摄像头用于执行所述终端解锁操作；依据所述第一图像的亮度信息判断所述灯罩是否失效；在所述灯罩未失效的情况下，将所述补光灯的开启电流由所述第一电流增加至第二电流，并获取所述红外摄像头采集的第二图像；当所述第二图像的亮度值低于第一亮度阈值时，确定所述补光灯失效。本发明能够实现对灯罩或补光灯是否失效进行检测，并且，通过电流的控制，可以在检测过程尽量减少红外光线对人眼造成的伤害，提高了用户的使用体验。

在半导体器件中进行失效分析的方法 670     

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一种在半导体器件中进行失效分析的方法,包括:提供待测的半导体器件,所述半导体器件包括晶片和封装覆层;在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口;在暴露的晶片正面进行失效分析;填充所述开口;在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面;在暴露的晶片背面进行失效分析。与现有技术相比,本发明采用先在晶片正面开口,后在晶片背面研磨的方法,实现在晶片的正背面分别进行一次失效分析,提高了失效分析的准确性,增强了失效分析的效果,改善了晶片的利用率。

飞机机轮刹车系统防滑失效分析及仿真的方法 927     

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一种飞机机轮刹车系统防滑失效分析及仿真的方法，比较左机轮速度与右机轮速度的比例：当两个机轮速度比例大时，释放低速机轮的刹车压力，避免因为两个机轮的速度差偏大引起的飞机偏航，同时，考虑低速机轮释放刹车压力后，机轮会快速起转继续实施刹车，若2s后机轮没有起转，判断机轮刹车通道的防滑故障，当发生防滑故障后抑制机轮锁死保护直到再次重新启动后，并向飞行员提供警告以及显示，防止因机轮锁死保护功能持续工作而丧失刹车功能，提高了机轮刹车系统的可用性5％，并且避免了因防滑故障可能造成的机轮爆胎，降低了机轮的爆胎可能性8％；且对机轮锁死保护功能进行仿真验证。且该功能的检测及实现无需增加刹车控制系统的其他硬件，成本较低。

失效分析方法、装置、设备和存储介质 937     

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本申请涉及一种失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质，计算机设备获取待测失效器件的至少一个测试数据；然后将测试数据输入到深度学习模型中进行失效分析处理，获取与每个测试数据关联的失效节点信息；失效节点信息包括测试数据关联的上级失效事件节点和下级失效事件节点，下级失效事件节点为上级失效事件节点的备选失效机理；最后根据每个测试数据关联的失效节点信息，构建各个失效事件节点之间的父子关系，并根据父子关系确定最底层的失效事件节点为待测失效器件的目标失效机理。采用上述方法可以提升失效分析的效率和准确率。

掺杂失效的分析方法 729     

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本发明公开了一种掺杂失效的分析方法，包括步骤：提供一良品硅片；对良品硅片和待测样品硅片进行处理直至露出衬底表面；将良品硅片和待测样品硅片分别放置在一导电底座上并用锡焊固定；分别在良品硅片和待测样品硅片上选定一测试图形；进行测试条件设置；采用单针分别对良品硅片和待测样品硅片上的测试图形进行认证测试；对良品硅片和待测样品硅片的测试数据进行比较并判断待测样品硅片的掺杂是否失效。本发明能准确快速验证掺杂相关的失效，能大大减少测试图形尺寸、实现小尺寸图形的掺杂失效分析，能大大节省芯片失效分析的时间和确保失效分析的准确性，为明确工艺原因及提升相关产品的良率发挥重大作用。