有色金属失效分析技术理论与应用

智能型电动执行机构失效分析方法 754     

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一种智能型电动执行机构失效分析方法。涉及自动控制领域，特别是一种智能型电动执行机构失效分析方法。提供了一种智能型电动执行机构失效分析的方法，对电动执行机构失效原因前进行分析，判断出电动执行机构失效点，改善电动执行机构的设计和工艺，减少失效的产生。通过对智能型电动执行机构功能划分，统计元器件的工作失效率和危险失效率，然后为了对各个元器件的失效率进行综合对比分析，对失效率进行数据归一化处理，另外，增加现场使用经验数据，可以丰富失效统计数据库，使本方法更加贴合实用，该算法一方面可以给失效风险的降低提供参考的依据，另外给失效故障点的定位提供了预测方法。

带智能检测失效的截齿及截齿失效的智能检测方法 633     

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本发明涉及一种带智能检测失效的截齿，包括截齿本体、设置在截齿本体上端面中心的合金头、感应导线、信号处理与发送模块和接收器，所述截齿本体上设置有小孔，所述截齿本体上环绕设置有导线槽，所述导线槽首尾两端与小孔相连通，所述导线槽宽为2mm，深为7mm，距离合金头底部6mm，所述小孔孔深10mm，直径为12mm，且位于导线槽下方，所述信号处理与发送模块植入小孔内，所述感应导线植入导线槽内，并与信号处理与发送模块相连通。本发明在设备的工作过程中，不用停机进行检测截齿是否失效，如有失效时自动报警，立即提醒操作人员停机更换，不会造成截齿本体、截齿齿座、配件等其他设备部件的损坏，不会造成更大的设备损坏。

LED失效分析方法及其过程中封装树脂的减薄方法 928     

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本发明涉及一种LED失效分析方法及其过程中封装树脂的减薄方法。所述减薄方法，包括如下步骤：(1)取片状板，在其上开孔或槽，形成样品容纳区域，所述样品容纳区域与待测LED样品的尺寸相匹配，且深度小于所述待测LED样品的厚度；(2)将待测LED样品置于所述样品容纳区域；(3)打磨所述待测LED样品，至其厚度与所述样品容纳区域的深度一致，即可。该减薄方法能够有效保证打磨后的待测LED样品表面平整光滑，能够清晰的观察到封装的内部结构，提高失效分析的准确性；同时，可通过控制样品容纳区域的深度对样品的减薄厚度进行有效控制，防止减薄过度，破坏封装的内部构造。

基于TODIM法电磁铁潜在失效模式与效果分析方法 826     

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本发明公开了一种基于TODIM法电磁铁潜在失效模式与效果分析方法，涉及包装机领域，其步骤包括：A、确定电磁铁产品风险分析的目标及风险级别，收集产品潜在的失效模式，逐一确定失效模式所对应的后果及影响因素，评价团队使用直觉模糊数对失效模式进行评价；B、对失效的影响因素，评价成员使用直觉模糊数进行对比评价，形成对比矩阵，为了找到影响因素的最优解，从对比矩阵的偏好关系中导出影响因素的精确权重；C、此时FMEA中的权重信息得到确定，计算失效模式TODIM方法的相对优势度，其中计算相对优势度包括直觉模糊距离以及评价准测的相对权重；D、根据失效模式的相对优势度，根据TODIM计算失效模式的全局优势度以及综合排序值，对失效模式与效果进行排序。本发明具有强逻辑性，更加客观的优点。

分布式SRAM失效分析方法及系统 1027     

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本发明涉及一种分布式SRAM失效分析方法及其系统。一种分布式SRAM失效分析方法，该方法包括以下步骤：A、获取SRAM测试数据结果作为原始数据并对其进行失效分析，得到失效分析结果数据；B、对分析结果数据按预设的二进制编码规则进行二进制编码压缩，并将压缩后的分析结果数据注入分布式数据库中；C、从分布式数据库中提取要进行展示的分析结果数据，根据预设的二进制解码规则对提取的数据进行解码，根据绘制时的分辨率要求，对解码后的分析结果数据按预设的数据采样规则进行采样后，在前端绘制展示。本发明能有效压缩一片Wafer原有的占用空间，提高SRAM失效分析的效率。

并网逆变器的失效检测方法和继电器失效检测装置 595     

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本申请公开了一种并网逆变器的失效检测方法和继电器失效检测装置，方法应用于单相和三相的并网逆变器的继电器失效检测电路，电路包括逆变模块、继电器组、电网，继电器组并联依次串联的第一电容、阻抗元件、第二电容，继电器组的主继电器和从继电器分别由第一驱动信号和第二驱动信号控制导通或断开。方法包括：同时控制主继电器和从继电器断开，以通过比对继电器组的电网侧电压和逆变侧电压判断是否是第一故障原因，若不是则交替控制主继电器或从继电器中的一个导通，从而在阻抗元件电压大于所述预设电压阈值时，比较阻抗元件电压和第二电网侧电压的相位方向，进而判断出具体短路故障的继电器。本申请有利于提高继电器故障检测的准确性。

干气密封故障诊断及失效分析方法、系统及计算机存储介质 658     

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本发明涉及干气密封故障诊断及失效分析方法、系统及计算机存储介质，方法包括，监测干气密封装置一级密封泄漏气的压力和流量的变化趋势，并根据该趋势进一步分析输出可能存在的故障或失效原因。与现有技术相比，对于干气密封故障诊断及失效分析不再仅仅局限于密封端面的运行状态的考虑，解决了现有技术故障失效诊断分析单一、滞后性大的问题，能够更有效地帮助实现设备的管理和维护，提高设备的可靠。

内置保险丝固体钽电解电容的失效分析方法 672     

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本发明提供一种内置保险丝固体钽电解电容的失效分析方法，该方法包括：观察电容的外观形貌和内部结构，并确定保险丝的位置和焊接状态；测试电容的电参数，并根据电参数初步确认电容的失效模式以及保险丝和焊接是否正常；机械去除保险丝周围的包封材料，并测试保险丝两端电极之间的第一电阻，解焊保险丝，再测试保险丝两端的第二电阻，根据第一电阻和第二电阻验证保险丝和焊接是否正常；对解焊后的电容进行化学开封，观察暴露钽芯形貌；根据各步骤结果确定电容失效原因；该方法能够准确确定保险丝状态和焊接状态，并通过开封前后进行初步确认和验证，能够高效、准确分析电容失效原因。

半导体芯片的失效分析方法 892     

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本发明公开了一种半导体芯片的失效分析方法，包括：切割半导体芯片制备具有横截面的样品；对样品的衡截面进行研磨抛光、水洗并干燥样品；配置化学染色液；将抛光好的样品放入所述化学染色液中进行染色处理；对染色处理后的样品进行清洗并干燥样品；将样品放置在扫描电镜中进行检查并进行显微摄影，进行失效分析。本发明在对样品进行研磨抛光之后，还采用化学染色液对样品表面进行化学处理，最后才使用扫描电子显微镜对掺杂物分布和结面轮廓进行二维描述，并且能够以较高的空间分辨率精确描绘掺杂剖面，从而可以对样品的失效节点进行详细而准确的分析。

用于动态抓点的芯片失效分析的方法 895     

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本申请公开了一种用于动态抓点的芯片失效分析的方法，涉及芯片失效分析领域。该方法包括将待测芯片安装在PCB板上，所述PCB板上至少设置有芯片连接座、电池和芯片引脚插针；将所述待测芯片通过所述PCB板上的引脚插针与测试机连接；将所述测试机、所述待测芯片与所述电池连接；通过所述测试机向所述待测芯片发送激励模式，所述激励模式用于令所述待测芯片进入预定激发状态中的一种；断开所述测试机与所述待测芯片、所述PCB板的连接；解决了目前进行动态抓点时需要搬动测试机的问题；达到了避免搬动测试机台，不限制测试机的位置，维持芯片状态方便进行动态抓点的效果。

考虑多部位失效相关的轮盘裂纹扩展可靠性分析方法 832     

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本发明涉及一种考虑多部位失效相关的轮盘裂纹扩展可靠性分析方法，(1)通过有限元分析、危险部位分组建立“藤树”结构，实现轮盘多失效部位分组；(2)获取多部位裂纹扩展寿命数据，利用边缘函数推断估计法确定状态函数的边缘累积分布，然后通过极大似然估计法依次确定耦合函数和耦合参数；(3)基于耦合函数和耦合参数实现多部位相关的裂纹扩展寿命可靠性分析。本发明通过耦合函数分组方法量化多部位失效相关性提高计算效率，量化多失效相关性对可靠性的影响从而提高可靠性预测精度。

芯片失效分析方法、装置、设备及存储介质 790     

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本申请公开了一种芯片失效分析方法、装置、设备及存储介质，从待测芯片的记忆模块中获取所述待测芯片的唯一识别码，根据所述唯一识别码获取预先存储的所述待测芯片的生产信息，根据所述生产信息对所述待测芯片进行失效分析。本方案中，由于保存在芯片记忆模块内的唯一识别码不易丢失和混淆，从而使得芯片失效分析可以顺利进行，满足了客户要求，降低了成本。

电子产品失效分析方法 991     

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本发明提供一种电子产品失效分析方法,该方法包括如下步骤:从存储装置中获取失效电子产品的失效信息;根据所获取的失效信息进行失效复制验证,以验证所获取的失效信息对应的失效现象能否复制;当所获取的失效信息对应的失效现象不能复制时,对失效电子产品进行测试以判断所述失效电子产品的失效原因是否属于不能复制问题;当所述失效电子产品不属于不能复制问题时,判断所述失效电子产品是否未出故障。

海洋纤维增强柔性管的渐进失效分析方法 1006     

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本发明涉及一种海洋纤维增强柔性管的渐进失效分析方法，包括，S1，构建各铺层在材料坐标系下的材料柔度矩阵；S2，设置循环体；S3，基于均质化的受力分析方法，根据材料柔度矩阵分析出在当前载荷下各铺层的应力分布；S4，基于失效准则，分析出失效位置及失效模式；S5，基于主导失效模式的刚度退化模型对材料柔度矩阵进行刚度退化；S6，逐步增大当前载荷并根据刚度退化后的材料柔度矩阵循环执行S3至S5。本发明极大地简化了纤维增强柔性管的应力分析过程，不需要求解应力函数，避开了应力函数矩阵奇异、应力公式复杂等缺点；同时可以准确预测海洋纤维增强柔性管的渐进失效过程及极限承载能力。

基于加速退化数据统计分析的失效机理一致性辨识方法 673     

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本发明涉及一种基于加速退化数据统计分析的失效机理一致性辨识方法，属于可靠性工程领域，主要包括以下步骤：(1)将辨识失效机理一致性问题转换为辨识模型参数值一致性问题；(2)确定性能退化模型参数值的检验关系等式；(3)加速退化数据统计分析与模型参数值估计；(4)建立用于假设检验的F统计量；(5)确定F统计量的接收域；(6)辨识各应力水平下的模型参数值是否具有一致性；(7)辨识产品在各应力水平下的失效机理是否具有一致性。该方法为基于加速退化数据统计分析辨识产品失效机理的一致性提供了一种有用手段。

用于失效分析的方法 572     

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本发明提供一种用于失效分析的方法。所述方法包括：在待测芯片的特定位置引入失效；测试出失效位置的电性地址；以及基于所述特定位置和所述电性地址确定电性失效地址与物理失效地址之间的转换关系。本发明所提供的用于失效分析的方法可以有效确认电性失效地址与物理失效地址之间的对应关系，从而可以基于测试到的电性失效地址精确计算出芯片上实际失效的物理单元的地址，为下一阶段的物理失效分析提供良好基础。

气密封特殊螺纹振动疲劳失效试验评价和分析方法 881     

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本发明公开了一种气密封特殊螺纹振动疲劳失效试验评价和分析方法，对实物试样进行气密封特殊螺纹振动疲劳失效试验评价方法；根据有限元分析螺纹结构和主密封面在载荷状态下最大主应变和最大主应力；依据主密封面应力状态判定是否满足发生材料力学性能改变循环软化条件，依据最大主应力变化幅值，采用疲劳实验轴向力控制方法进行材料循环应力应变试验并建立材料屈服强度变量函数；确定最终屈服强度代入有限元模型分析主密封接触压力和长度的密封能变化与内压比较，确定密封完整性和螺纹结构疲劳失效性能，完成气密封特殊螺纹振动疲劳失效分析。本发明为气密封特殊螺纹在特定工况振动载荷下密封和结构两个完整性使用及分析预测提供了基础。

感温包的失效检测装置、失效检测方法及空调 909     

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本发明公开了感温包的失效检测装置、失效检测方法及空调，失效检测装置包括：监测感温包的测量温度的下位机、根据下位机上传的数据判断感温包是否合格的上位机。空调启动后，若在预设时间内测量温度变化的绝对值未超过预设值，则上位机判断感温包不合格；若在预设时间内测量温度变化的绝对值超过预设值，则上位机判断感温包合格。本发明自动化程度高，有效提高检测效率，提升产品质量。

高铁用聚氨酯弹性体防护挡板失效的综合分析方法 1028     

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本发明为一种高铁用聚氨酯弹性体防护挡板失效的综合分析方法。具体为：了解挡板的工艺参数、运行工况；对失效的挡板进行外观检查；采用三维体视显微镜等方法对失效的挡板进行更为细致的观察；采用表征方法对清洗挡板用到的清洗剂的成分进行分析；采用表征方法对失效挡板的成分、性能进行分析；采用将全新挡板简单浸泡在清洗剂中的方式对全新挡板进行实验，对浸泡结果进行收集和总结以模拟失效过程，验证实验结论；综合以上步骤，从现象到本质，从实验事实到最终结论，确定挡板失效的主要原因。本发明可以准确、快速地判断出挡板失效的原因，进而采取针对性的预防。本方法对轨道车辆领域聚氨酯防护挡板的安全使用也具有实用参考价值。

新的全自动检测泵失效的方法 911     

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本发明公开一种新的全自动检测泵失效的方法，其中，硅片是依次传送至工艺腔室中以进行制造过程，并且泵是用于为工艺腔室抽取一定的真空度，其特征在于，在上一片硅片在工艺腔室中结束制造后，下一片硅片还没有进入工艺腔室前，增加泵的底压检测的步骤，用于检测位于工艺周期中的泵的底压状态。本发明一种新的全自动检测泵失效的方法，通过在工艺程式结束前增加设定特定的条件步骤，用来自动检测泵的底压，有效地实现泵的全自动底压检测，并防止由于泵失效产生的颗粒导致的硅片报废。从而避免人工停机人工检测所带来的资源消耗与机时的浪费，同时也解决传统的检测方法的频率太低所带来的产能风险。

电性能失效分析定位方法和装置 634     

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本申请公开了一种电性能失效分析定位方法和装置。其中，该电性能失效分析定位方法具体包括以下步骤：步骤S11，将监测导线与待测元器件或待测PCB进行电性连接，并将待测元器件或所述待测PCB灌封成待测样本；步骤S12，将监测导线与阻值监测设备进行电性连接；步骤S13，对待测样本进行研磨，并通过阻值监测设备监测待测样本的当前阻值；步骤S14，根据当前阻值确定待测样本的阻值异常位置。因此，本申请通过对待测样本进行研磨，并通过阻值监测设备实时监测待测样本的当前阻值，能够准确地定位失效的待测样本的阻值异常位置。

晶硅太阳能电池的失效分析方法 926     

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本申请公开了一种晶硅太阳能电池的失效分析方法，包括测试失效的晶硅太阳能电池的第一性能；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的金属，露出减反射膜层和钝化层，测量此时电池的第二性能，包括光学性能、电学性能和所述减反射膜层的厚度；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的减反射膜层和钝化层，露出扩散层，测量此时的第三性能；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的扩散层，测量此时电池的第四性能；根据所述第一性能、所述第二性能、所述第三性能和所述第四性能分析出电池失效原因。上述方法能够对电池进行层层剖析，细节到针对每环工序去查找电池片低效的原因，达到量产增效的目的。

用于失效分析的线路板上的元器件拆除方法 933     

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一种用于失效分析的线路板上的元器件拆除方法,其步骤包括预处理,预热,拆除元器件,焊料整平,清洗干燥。在预处理中通过机械方法拆除非焊接连接的元器件;将线路板进行预热;在拆除元器件和焊料整平中将线路板在一定温度的高温介质中加热至焊料熔化,然后在液体介质中,拆除线路板上的元器件并将线路板表面焊盘上的焊料整平。然后将干净平整的线路板用于飞针或夹具电测试,从而找到线路板的失效网络进行失效分析。本发明与现有方法相比,大大提高了拆除效率,而且可以避免对线路板可能造成的损伤、焊锡粘连造成的线路板大量短路、以及焊盘表面不平整而不能用于线路板飞针或夹具电测试等缺陷。

逻辑芯片漏电失效分析方法 760     

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本发明提供一种逻辑芯片漏电失效分析方法，属于半导体制造技术领域，逻辑芯片漏电失效分析方法包括：提供一设置有至少两个栅极结构的晶体管结构的测量样品，所述测量样品中的晶体管结构存在亮电压对比缺陷；通过给一部分的所述栅极结构施加工作电压，并给剩余部分的所述栅极结构提供0电压，以对所述测量样品进行纳米探针电性测试，从而定位出所述晶体管结构具体的漏电失效位置，实现了逻辑芯片漏电失效分析时的精确定位，其有利于找到引起漏电失效问题的真因，从而有利于在制程优化时得到有效的优化方法。

半导体器件失效分析方法 905     

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本发明提供了一种半导体器件失效分析方法，包括如下步骤：暴露出半导体器件的测试区域，所述测试区域包括多个测试点；选择多个所述测试点中的至少一个所述测试点作为输入端；形成与所述输入端电性连接的输入结构；在所述输入结构上施加测试信号；使用电性测试探针扫描测试除施加了测试信号的所述输入端之外的其他所述测试点。本发明通过引入一种新的半导体器件失效分析方法，在使用导电原子力显微镜等电性探针测试方法对半导体器件进行测试分析时，形成与测试点电性连接的输入结构，通过输入结构准确地对测试点施加偏压，并通过多个输入结构有效地缩减了失效分析所需的人力和时间成本。

智能3D打印服务系统失效模式与影响分析方法及系统 745     

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本发明公开了智能3D打印服务系统失效模式与影响分析方法，包括：确定潜在失效模式严重度S、频度O和难检度D的权重；确定各潜在失效模式的S、O、D的数值；根据S、O、D的数值和S、O、D的权重，计算潜在失效模式的初始强度值；建立初始强度值‑影响矩阵，矩阵的元素为各潜在失效模式之间的相互影响，根据初始强度值‑影响矩阵计算各潜在失效模式的中心度和原因度。本发明还提供了智能3D打印服务系统失效模式与影响分析系统。本发明可有效提高对失效模式的识别评估效率，降低评估成本，实现智能3D打印服务系统潜在失效模式高效识别。

服务器故障在线诊断、健康分析及失效预报系统及方法 572     

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本发明公开了一种服务器故障在线诊断、健康分析及失效预报系统及方法，该服务器故障在线诊断、健康分析及失效预报系统包括：监测对象单元、参数监测模块、数据分析模块、参数统计模块、系统辨识模块、结果报告模块。本发明通过对服务器及网络设备等参数进行监测，并作为设备健康度指标，利用一套基于神经网络技术的专家系统辨识服务器、网络设备正常状态下的负载量与健康度的模型，诊断经长期运行后某一负载水平下服务器、网络设备的健康度与期望值是否匹配，从而对服务器突发性崩溃进行预测，做出提前预警，提高系统的稳定性，同时具备开发接口，提供对后期其他设备的接管功能。

铆钉连接区动态失效载荷的分析方法 1023     

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一种铆钉连接区动态失效载荷的分析方法，步骤如下：通过设计狗骨试样，测定金属材料在准静态、动态载荷下的应力‑应变曲线，并转换为有效应力‑应变曲线；给定综合考虑应变强化效应、应变率效应及温度效应的Johnson‑Cook本构模型；建立铆钉连接区细节有限元模型得到铆钉连接区连接件动态拉脱失效载荷和挤压失效载荷给定铆钉材料的动态极限失效应力，得到铆钉自身的动态极限拉伸载荷及动态极限剪切载荷通过及铆钉削减系数K₁，最后得到铆钉连接区动态拉伸失效载荷及动态剪切失效载荷。本发明方法可以极大的缩短研发时间、减少研发费用、保证分析精度及其可靠度，实际工程应用前景广泛。

半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法 663     

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本发明提供了一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法，所述综合分析方法包括：（Ⅰ）采用电测量分析方法对存在栅极硅氧化层失效的样品进行失效定位；（Ⅱ）采用化学分析方法对样品进行失效机理模型判断，判断确定栅极硅氧化层的失效原因是杂质污染，还是等离子体诱导损伤；（Ⅲ）如果失效机理模型是杂质污染，则采用飞行时间二次离子质谱对有栅极硅氧化层失效的样品进行污染元素定性探查；随后通过动态二次离子质谱对探查到的的污染元素进行精准定量测量。本发明采用更多的分析技术、仪器和方法联合应用于失效分析，能够快速准确地确定晶体管栅极硅氧化层的失效机理和模型，以便失效分析工程师提供更精准的分析报告。

导电黑色聚酰亚胺薄膜空间环境作用下失效分析方法 740     

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本发明提出了一种导电黑色聚酰亚胺薄膜空间环境作用下失效分析方法，用于我国黑色聚酰亚胺薄膜空间环境作用下的失效分析。本发明利用地面环模设备对导电黑色聚酰亚胺薄膜进行其空间环境效应模拟试验，研究其在空间环境作用下的性能退化规律；用表面分析技术对空间环境作用前后的导电黑色聚酰亚胺薄膜进行微观分析，研究其微观结构变化规律；进行导电黑色聚酰亚胺薄膜宏观性能测试与分析；结合理论建立导电黑色聚酰亚胺薄膜空间环境作用下的宏观性能变化与微观结构变化的对应关系，分析其微观结构变化对宏观性能退化的影响，以此为基础判断空间环境作用下导电黑色聚酰亚胺薄膜失效情况。